risc-v 文章進(jìn)入risc-v技術(shù)社區(qū)

基于VIM的嵌入式存儲(chǔ)控制器的研究與實(shí)現(xiàn)

　　1 引言　　隨著VLSI技術(shù)的迅猛發(fā)展，微處理器主頻日益提高、性能飛速增長(zhǎng)，盡管與此同時(shí)存儲(chǔ)器集成度也越來越高、存取延時(shí)也在不斷下降，但是處理器性能的年增長(zhǎng)速度為50%～60%，而存儲(chǔ)器性能每年提高的幅度只有5%～7%，DRAM存儲(chǔ)器的低帶寬和高延遲使高性能處理器無法充分發(fā)揮其性能，處理器和存儲(chǔ)器之間速度的差距越來越成為制約整個(gè)系統(tǒng)性能的瓶頸。眾多的研究者從微體系結(jié)構(gòu)出發(fā)，采取亂序執(zhí)行、多線程、預(yù)取、分支預(yù)測(cè)、推斷執(zhí)行等技術(shù)，或多級(jí)Cache的層次式存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)來彌補(bǔ)微處理器與存儲(chǔ)器性能差距，但是這些
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三星業(yè)內(nèi)首先量產(chǎn)3bit 3D V-NAND閃存

　　全球先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)軍品牌三星電子今天宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)用于固態(tài)硬盤的業(yè)內(nèi)首個(gè)3bit MLC 3D V-NAND閃存。　　三星電子存儲(chǔ)芯片營(yíng)銷部門負(fù)責(zé)人韓宰洙高級(jí)副總裁表示：“通過推出一條全新的高性能高密度固態(tài)硬盤產(chǎn)品線，我們相信3bit V-NAND將會(huì)加快數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備從傳統(tǒng)硬盤向固態(tài)硬盤的轉(zhuǎn)換。固態(tài)硬盤產(chǎn)品的多樣化，將加強(qiáng)三星產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，進(jìn)一步推動(dòng)三星固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)的發(fā)展。” 　　3bit V-NAND閃存是基于三星第二代V-NAND芯片技術(shù)的最新產(chǎn)品，每
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AMETEK Sorensen可編程電源的保護(hù)特性

　　可編程電源是電氣實(shí)驗(yàn)室工程師及技術(shù)人員必備的基本儀器，用以獲得測(cè)試所需的基本功率或可變功率。這些電源的成本通常較低，并只帶有基本的控制裝置：一個(gè)開啟/關(guān)閉開關(guān)及兩個(gè)用于調(diào)節(jié)電壓電流的旋鈕。在未來，旋鈕調(diào)節(jié)將繼續(xù)會(huì)是首選方法，因?yàn)槠淇蓡为?dú)且靈活的改變電壓或電流，從而直觀的觀察其他測(cè)量?jī)x器或被測(cè)部件性能。　　對(duì)低成本應(yīng)用中的大多數(shù)電源而言保護(hù)功能不是必須考慮的因素，但是在一些測(cè)試應(yīng)用中，會(huì)要求使用很小電壓范圍，如2.0%- 20%范圍，否則會(huì)很容易損壞設(shè)備，這就為使用者提出了新的要求。　　AMET
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嵌入式系統(tǒng)架構(gòu)（四）：RISC家族之MIPS處理器

　　MIPS是美國歷史悠久的RISC處理器體系，其架構(gòu)的設(shè)計(jì)，也如美國人的性格一般，相當(dāng)?shù)拇髿馇依硐牖?。MIPS架構(gòu)起源，可追溯到1980年代，斯坦福大學(xué)和伯克利大學(xué)同時(shí)開始RISC架構(gòu)處理器的研究。　　MIPS公司成立于1984年，隨后在　1986年推出第一款R2000處理器，在1992年時(shí)被SGI所并購，但隨著MIPS架構(gòu)在桌面市場(chǎng)的失守，后來在1998年脫離了SGI，成為MIPS技術(shù)公司，并且在1999年重新制定　公司策略，將市場(chǎng)目標(biāo)導(dǎo)向嵌入式系統(tǒng)，并且統(tǒng)一旗下處理器架構(gòu)，區(qū)分為32-bit以及
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嵌入式系統(tǒng)架構(gòu)（三）：RISC家族之Tensilica架構(gòu)

　　Tensilica公司的　Xtensa　處理器是一個(gè)可以自由配置、可以彈性擴(kuò)張，并可以自動(dòng)合成的處理器核心。Xtensa　是第一個(gè)專為嵌入式單芯片系統(tǒng)而設(shè)計(jì)的微處理器。為了讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師能夠彈性規(guī)劃、執(zhí)行單芯片系統(tǒng)的各種應(yīng)用功能，Xtensa　在研發(fā)初期就已鎖定成一個(gè)可以自由裝組的架構(gòu)，因此我們也將其架構(gòu)定義為可調(diào)式設(shè)計(jì)。　　Tensilica公司的主力產(chǎn)品線為Xtensa，該產(chǎn)品可讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師可以挑選所需的單元架構(gòu)，再加上自創(chuàng)的新指令與硬件執(zhí)行單元，就可以設(shè)計(jì)出比其它傳統(tǒng)方式強(qiáng)大數(shù)倍的處理
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嵌入式系統(tǒng)架構(gòu)（二）：RISC家族之ARC架構(gòu)

　　與其它RISC處理器技術(shù)相較起來，ARC的可調(diào)整式(Configurable)架構(gòu)，為其在變化多端的芯片應(yīng)用領(lǐng)域中爭(zhēng)得一席之地。其可調(diào)整式架構(gòu)主要著眼于不同的應(yīng)用，需要有不同的功能表現(xiàn)，固定式的芯片架構(gòu)或許可以面面俱到，但是在將其設(shè)計(jì)進(jìn)入產(chǎn)品之后，某些部分的功能可能完全沒有使用到的機(jī)會(huì)，即使沒有使用，開發(fā)商仍需支付這些〝多余〞部分的成本，形成了浪費(fèi)。　　由于制程技術(shù)的進(jìn)步，芯片體積的微縮化，讓半導(dǎo)體廠商可以利用相同尺寸的晶圓切割出更多芯片，通過標(biāo)準(zhǔn)化，則是有助于降低芯片設(shè)計(jì)流程，單一通用IP所設(shè)計(jì)
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嵌入式系統(tǒng)架構(gòu)（一）：RISC家族之ARM處理器　

　　ARM公司于1991年成立于英國劍橋，主要出售芯片設(shè)計(jì)技術(shù)的授權(quán)。目前，采用ARM技術(shù)智能財(cái)產(chǎn)(IP)核心的處理器，即我們通常所說的ARM 處理器，已遍及工業(yè)控制、消費(fèi)類電子產(chǎn)品、通信系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、無線系統(tǒng)等各類產(chǎn)品市場(chǎng)，基于ARM技術(shù)的處理器應(yīng)用約占據(jù)了32位RISC微處理器 75%以上的市場(chǎng)，ARM技術(shù)不止逐步滲入到我們生活的各個(gè)方面，我們甚至可以說，ARM于人類的生活環(huán)境中，已經(jīng)是不可或缺的一環(huán)。　　目前市面上常見的ARM處理器架構(gòu)，可分為ARM7、ARM9以及ARM11，新推出的Cort
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基于FPGA的高帶寬存儲(chǔ)接口設(shè)計(jì)

　　摘要：文中詳細(xì)地分析了Altera公司Cyclone V FPGA器件的硬核存儲(chǔ)控制器底層架構(gòu)和外部接口，并在此基礎(chǔ)上對(duì)Controller和PHY進(jìn)行了功能仿真。仿真結(jié)果表明硬核存儲(chǔ)控制器和PHY配合工作時(shí)的功能與設(shè)計(jì)預(yù)期相符，性能優(yōu)良，適合于在當(dāng)前FPGA的外部存儲(chǔ)帶寬需求日益增長(zhǎng)的場(chǎng)合下應(yīng)用。　　如今，越來越多的應(yīng)用場(chǎng)景都需要FPGA能夠和外部存儲(chǔ)器之間建立數(shù)據(jù)傳輸通道，如視頻、圖像處理等領(lǐng)域，并且對(duì)數(shù)據(jù)傳輸通道的帶寬也提出了較大的需求，這就導(dǎo)致了FPGA和外部Memory接口的實(shí)際有效帶寬
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Mouser 備貨 Freescale Kinetis KV1x 微控制器面向數(shù)字電機(jī)控制市場(chǎng)

　　貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始供應(yīng)Freescale Semiconductor 的 Kinetis® KV1x 微控制器系列產(chǎn)品。Kinetis V 系列 KV1x MCU 產(chǎn)品是 Freescale 全新 Kinetis V 系列的入門級(jí)產(chǎn)品，此可擴(kuò)展的微控制器 (MCU) 系列產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用市場(chǎng)為數(shù)字電機(jī)控制。采用 75 MHz ARM® Cortex?M0+ 內(nèi)核的 Kinetis KV1x 系列產(chǎn)品具有整數(shù)除法和平方根協(xié)處理器，從而降低了因需要
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一種基于MC32P21單片機(jī)的移動(dòng)電源設(shè)計(jì)方案

　　移動(dòng)電源是一種集供電和充電功能于一體的便攜式充電器，可以給手機(jī)等數(shù)碼設(shè)備隨時(shí)隨地充電或待機(jī)供電。一般由鋰電芯或者干電池作為儲(chǔ)電單元。區(qū)別于產(chǎn)品內(nèi)部配置的電池，也叫外掛電池。一般配備多種電源轉(zhuǎn)接頭，通常具有大容量、多用途、體積小、壽命長(zhǎng)和安全可靠等特點(diǎn)，是可隨時(shí)隨地為智能手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相機(jī)、MP3、MP4等多種數(shù)碼產(chǎn)品供電或待機(jī)充電的功能產(chǎn)品。　　移動(dòng)電源可以通過USB電纜線使用在任何符合USB國際標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備，其具有短路、過充過放、恒流恒壓等保護(hù)措施，還有高性能電源管理技術(shù)。　　移動(dòng)電源
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研華全系RISC/ARM計(jì)算平臺(tái)，搭載Freescale?i.MX6處理器

　　全球嵌入式計(jì)算平臺(tái)領(lǐng)導(dǎo)廠商研華科技將推出全系嵌入式RISC/ARM平臺(tái)解決方案。該系列產(chǎn)品搭載Freescale® i.MX6系列處理器并支持ARM®Cortex™-A9微架構(gòu)。研華RISC計(jì)算解決方案包括ROM-3420 RTX 2.0、ROM-5420 SMARC、ROM-7420 Qseven、RSB-4410 3.5” SBC、UBC-DS31緊湊型標(biāo)牌播放器和UBC-200網(wǎng)絡(luò)網(wǎng)關(guān)工控機(jī)。 Freescale® i.MX6系列處理器可提供卓越
關(guān)鍵字：研華 RISC/ARM Freescale

V-Band 微波小站回傳，TDD還是FDD？

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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三星量產(chǎn)全球首款第二代32層三維V-NAND閃存

　　全球存儲(chǔ)領(lǐng)軍品牌三星電子今日宣布，已開始正式量產(chǎn)全球首款第二代立體垂直結(jié)構(gòu)的“32層三維V-NAND閃存”。　　三星電子此次推出的32層三維V-NAND，與之前推出的24層V-NAND相比，雖然堆疊存儲(chǔ)單元的設(shè)計(jì)難度更高，但是因?yàn)榭梢灾苯邮褂蒙a(chǎn)第一代V-NAND閃存的設(shè)備，所以具有更高的生產(chǎn)效率。　　除此之外，三星電子推出了基于第二代V-NAND閃存的高端固態(tài)硬盤系列產(chǎn)品，并提供128GB、256GB、512GB、1TB等多種容量選擇。三星電子在去年面向數(shù)據(jù)中心推
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一種電流溫度穩(wěn)定度小于1μA/℃的V/I變換器

本文介紹一種高溫度穩(wěn)定度的V/I變換器電路，通過一種可以調(diào)節(jié)溫度變化量的溫度補(bǔ)償電路，使V/I變換器的輸出電流溫度穩(wěn)定度小于1μA /℃。應(yīng)用于對(duì)電流穩(wěn)定度要求極高的傳感器信號(hào)處理或精密儀器儀表電路。
關(guān)鍵字： V/I 變換器傳感器二極管溫度補(bǔ)償 201406

電梯故障記錄儀系統(tǒng)設(shè)計(jì)

為了保證電梯安全運(yùn)行，同時(shí)減少事故的發(fā)生，本文設(shè)計(jì)一種基于ARM的電梯故障實(shí)時(shí)記錄儀系統(tǒng)。整個(gè)系統(tǒng)以ARM微控制器為核心，以無線為信號(hào)傳輸介質(zhì)，進(jìn)行電梯信號(hào)的采集、傳輸、判斷和存儲(chǔ)，將相鄰信號(hào)進(jìn)行對(duì)比，把故障信號(hào)顯示在LCD顯示屏上，同時(shí)存儲(chǔ)于FLASH中。系統(tǒng)主要由無線收發(fā)模塊、門系統(tǒng)信號(hào)采集模塊、屏控制系統(tǒng)信號(hào)采集模塊、井道設(shè)備系統(tǒng)信號(hào)采集模塊等構(gòu)成。初步實(shí)驗(yàn)表明，這些模塊在ARM芯片的控制下，基本實(shí)現(xiàn)對(duì)電梯運(yùn)行狀態(tài)、故障及事故前各種數(shù)據(jù)的采集和記錄，具有及時(shí)顯示危險(xiǎn)信號(hào)，提示電梯故障等功能，能有效保
關(guān)鍵字：電梯故障 RISC 嵌入式 S3C2440A 201406