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40nm代工RRAM存儲芯片 中芯國際進入下一代內(nèi)存產(chǎn)業(yè)
- 中芯國際(SMIC)已經(jīng)是國內(nèi)最大、最先進的晶圓代工廠，除了處理器之外他們也在積極謀劃存儲類芯片業(yè)務(wù)。2014年9月份他們推出了自己開發(fā)的38nm NAND閃存芯片，日前中芯國際又跟Crossbar公司達成了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將使用40nm工藝為后者代工RRAM阻變式存儲器芯片，意味著中芯國際已經(jīng)進入了下一代內(nèi)存產(chǎn)業(yè)。 RRAM阻變式存儲器也被稱為相變內(nèi)存，RRAM使用一種或者多種含硫化物玻璃制成，其特點就是受熱之后可以改變形狀，成為晶體或者非晶體，而不同狀態(tài)具有不同電阻值，因此可以用來儲存數(shù)據(jù)。
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中芯國際與RRAM領(lǐng)軍企業(yè)Crossbar達成戰(zhàn)略合作協(xié)議
- 中芯國際集成電路制造有限公司(簡稱“中芯國際”)，中國內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進的集成電路晶圓代工企業(yè)，與阻變式存儲器(RRAM)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者Crossbar，今日共同宣布雙方就非易失性RRAM開發(fā)與制造達成戰(zhàn)略合作協(xié)議。 作為雙方合作的一部分，中芯國際與Crossbar已簽訂一份代工協(xié)議，基于中芯國際40納米CMOS制造工藝，提供阻變式存儲器組件。這將幫助客戶將低延時、高性能和低功耗嵌入式RRAM存儲器組件整合入MCU及SoC等器件，以應(yīng)對物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、平板電腦、消費
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加入RRAM開發(fā)戰(zhàn)線，Sony 與Micron 共同發(fā)表新成果
- 繼 Crossbar 在先前 IEDM 2014(IEEE International Electron Devices Meeting)發(fā)表了他們在電阻式記憶體(Resistive RAM, RRAM、ReRAM)的最新成果之后，Sony 也與合作夥伴 Micron 發(fā)表了自 2011 年首度公開 RRAM 試作品后的最新試作品結(jié)果。 在 RRAM 的合作關(guān)系中，Sony 與 Micron 各自扮演了重要角色;Sony 持有 RRAM 的技術(shù)，Micron 則是目前記憶體制造業(yè)的大廠。在今年的
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最新阻變存儲器RRAM技術(shù)可在單芯片中存下1TB數(shù)據(jù)
- 阻變存儲器RAM(RRAM)是一種可以用于PC和移動設(shè)備的內(nèi)部存儲器，相比現(xiàn)在的閃存，它的速度快上許多，讀寫時還非常節(jié)能。今天，加州一家技術(shù)公司Crossbar宣布研發(fā)出全新電阻式RAM技術(shù)，可以在一顆比郵票還小的單芯片中存下1TB的數(shù)據(jù)，這意味著未來電子產(chǎn)品的存儲密度將極大地提高，同時RRAM的寫入性能比目前最好的NAND芯片還快上20倍，讀寫時的功率僅為1/20。 取決于不同的設(shè)備，RRAM可以將設(shè)備電池壽命延長數(shù)周、數(shù)月甚至數(shù)年，使用壽命也10倍于NAND，可以說是一種完美的高速存儲器。C
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