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終端需求多元化帶動NAND Flash市場穩(wěn)健增長
- TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,由于智能手機、平板電腦等移動裝置需求穩(wěn)健增長,固態(tài)硬盤在筆記本電腦以及服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的需求增加,而物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用也將逐漸導入NANDFlash,2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將提升至266億美元,年增長9%。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,2014年NANDFlash需求位增長率為36%,在更多元化的產(chǎn)品開始導入NANDFlash的挹注下,2015年的需求位增長率將依舊有35%。市場趨勢觀察的重
- 關(guān)鍵字: NAND Flash 穿戴性裝置
基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計
- 摘要:本文以ARM7內(nèi)核的MCU LPC2458在片外FLASH上運行程序時,采用SWI軟中斷的方法實現(xiàn)同時寫片外FLASH的例子,詳細講述ARM7內(nèi)核的MCU如何設(shè)計SWI軟中斷程序的流程、方法和應(yīng)用原理。 1 背景描述 筆者在設(shè)計一項目時采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核,帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH,98k字節(jié)的片內(nèi)RAM,支持片外LOCAL BUS總線,可從片外NOR FLASH啟動CPU。由于代碼量較大,程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
- 關(guān)鍵字: ARM7 LPC2458 FLASH MCU SWI CPU 201409
上海海爾:向通用MCU進發(fā)
- 今年上半年,上海海爾集成電路公司推出十幾款單片機產(chǎn)品,有其自主知識產(chǎn)權(quán)內(nèi)核的HR7P155~170、201、192、196等系列,還有新的觸摸按鍵芯片等,容量涵蓋0.5~64kB,管腳數(shù)從10pin至80pin。豐富的資源為客戶的方案設(shè)計提供了多樣選擇。 專注于專用MCU的上海海爾,為何此次在如此多的通用產(chǎn)品上發(fā)力?在芯片本土化的熱潮下,上海海爾的愿景是什么? 處于從專用向通用MCU升級的開端 MCU(單片機,微控制器)一般有通用和專用兩類。很多歐美大公司喜歡推出通用單片機,而日本、
- 關(guān)鍵字: 海爾 MCU Flash 201408
基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用
- 靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM),簡稱SRAM。在電子設(shè)備中,常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性,SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比,SRAM不需要時鐘信號,即可保持數(shù)據(jù)不丟失。 1、VDMS16M32芯片介紹 VDSR16M32是一款工作電壓3.3V,16Mbit,32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
- 關(guān)鍵字: SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
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