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SiC主驅逆變器讓電動汽車延長5%里程的秘訣
- 不斷增長的消費需求、持續(xù)提高的環(huán)保意識/環(huán)境法規(guī)約束,以及越來越豐富的可選方案,都在推動著人們選用電動汽車 (EV),令電動汽車日益普及。高盛近期的一項研究顯示,到 2023 年,電動汽車銷量將占全球汽車銷量的 10%;到 2030 年,預計將增長至 30%;到 2035 年,電動汽車銷量將有可能占全球汽車銷量的一半。然而,“里程焦慮”,也就是擔心充一次電后行駛里程不夠長,則是影響電動汽車普及的主要障礙之一??朔@一問題的關鍵是在不顯著增加成本的情況下延長車輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅逆變器中使用碳化
- 關鍵字: 電動汽車 逆變器 SiC MOSFET
SiC MOSFET 器件特性知多少?
- 對于高壓開關電源應用,碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運行并非易事,即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用,但由于其存在“拖尾電流”且關斷緩慢,因此僅限用于較低的工作頻率。因此,硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作,而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應器件,能夠像 IGBT 一樣進行高壓
- 關鍵字: SiC MOSFET IGBT WBG
為敏感電路提供過壓及電源反接保護!
- 假如有人將24V電源連接到您的12V電路上,將發(fā)生什么?倘若電源線和接地線因疏忽而反接,電路還能安然無恙嗎?您的應用電路是否工作于那種輸入電源會瞬變至非常高壓或甚至低于地電位的嚴酷環(huán)境中?即使此類事件的發(fā)生概率很低,但只要出現(xiàn)任何一種就將徹底損壞電路板。為了隔離負電源電壓,設計人員慣常的做法是布設一個與電源相串聯(lián)的功率二極管或 P 溝道 MOSFET。然而——◇ 二極管既占用寶貴的板級空間,又會在高負載電流下消耗大量的功率?!?P 溝道 MOSFET 的功耗雖然低于串聯(lián)二極管,但 MOSFET 以及所需的
- 關鍵字: MOSFET 二極管 LTC4365
了解高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)
- Littelfuse擁有廣泛的產品系列、具有競爭力的產品性能和先進的技術,在高壓(HV)分立Si MOSFET市場具有領導地位,特別是在1700V以上產品,包括電壓阻斷能力高達4700V的器件,能夠支持客戶開發(fā)需求嚴苛的應用。Littelfuse擁有廣泛的產品系列、具有競爭力的產品性能和先進的技術,在高壓(HV)分立Si MOSFET市場具有領導地位,特別是在1700V以上產品,包括電壓阻斷能力高達4700V的器件,能夠支持客戶開發(fā)需求嚴苛的應用。Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si) MOSF
- 關鍵字: Littelfuse MOSFET
如何更好的使用EiceDRIVER IC驅動SiC MOSFET
- 碳化硅(SiC MOSFET)和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應用,但對驅動系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護、精準的短路保護、可調的軟關斷等功能,為新一代的功率器件保駕護航。EiceDRIVER?增強型1ED34X1主要特色:●? 單通道隔離型柵極驅動芯片●? 輸出電流典型值+3/6/9A●? 功能絕緣電壓高達2300V●? 帶米勒鉗位、Desat短路保護、
- 關鍵字: MOSFET EiceDRIVER MOSFET
高性能 SiC MOSFET 技術裝置設計理念
- 合適的設備概念應允許一定的設計自由度,以便適應各種任務概況的需求,而無需對處理和布局進行重大改變。然而,關鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻,與其他列出的參數(shù)相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數(shù),還可以添加更多參數(shù)。合適的設備概念應允許一定的設計自由度,以便適應各種任務概況的需求,而無需對處理和布局進行重大改變。然而,關鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻,與其他列出的參數(shù)相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數(shù),還可以添加更多參數(shù)。圖 1:必須與 SiC MOSF
- 關鍵字: MOSFET
英飛凌高壓超結MOSFET系列產品新增工業(yè)級和車規(guī)級器件
- 【2023年7月27日,德國慕尼黑訊】在靜態(tài)開關應用中,電源設計側重于最大程度地降低導通損耗、優(yōu)化熱性能、實現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)設計,同時以低成本實現(xiàn)高質量。為滿足新一代解決方案的需求,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴大其CoolMOS? S7 系列高壓超結(SJ)MOSFET 的產品陣容。該系列器件主要適用于開關電源(SMPS)、太陽能系統(tǒng)、電池保護、固態(tài)繼電器(SSR)、電機啟動器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器(PLC)、照明控制、高壓電子保險絲/電子斷路器
- 關鍵字: 英飛凌 高壓超結 MOSFET
ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”, 助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積!
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向數(shù)據(jù)服務器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1,開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。近年來,為了實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會,對消費電子和工業(yè)設備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求,GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而,與Si MOSFET相
- 關鍵字: ROHM AC適配器 GaN HEMT Si MOSFET
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