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          ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”, 助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積!

          • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1,開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動用驅(qū)動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。近年來,為了實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會,對消費電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求,GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而,與Si MOSFET相
          • 關(guān)鍵字: ROHM  AC適配器  GaN HEMT  Si MOSFET  

          深挖 GaN 潛力,中國企業(yè)別掉隊

          • 氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度達(dá)到 3.4eV,是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料。除了更寬的禁帶寬度,氮化鎵還具備更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率,以及更優(yōu)的抗輻照能力,這些特性對于電力電子、射頻和光電子應(yīng)用有獨特優(yōu)勢。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備,下游是 GaN 芯片元器件的設(shè)計和制造。襯底的選擇對于器件性能至關(guān)重要,襯底也占據(jù)了大部分成本,因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主,4 英寸已實現(xiàn)商用,6 英寸
          • 關(guān)鍵字: GaN-on-Si  氮化鎵  

          貿(mào)澤電子與Fortebit簽署全球分銷協(xié)議

          • 專注于引入新品推動行業(yè)創(chuàng)新的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子  ( Mouser Electronics )  近日宣布與 Fortebit 簽署全球分銷協(xié)議。該公司設(shè)計并制造高質(zhì)量、高性價比的解決方案,用于嵌入式語音識別、語音播放功能和位置服務(wù)。簽署此項協(xié)議后,貿(mào)澤分銷的 Fortebit產(chǎn)品線 包含EasyVR 3 Plus語音識別器件和Polaris汽車物聯(lián)網(wǎng)平臺等產(chǎn)品。 EasyVR 3 Plus 是一款多
          • 關(guān)鍵字: SD  SV  SI  

          智?遠(yuǎn) | IA架構(gòu)何以引領(lǐng)視頻會議邁向智能時代

          • 知IN,英特爾的自媒體微信賬號。分享英特爾新聞、產(chǎn)品技術(shù)和內(nèi)幕故事;交流行業(yè)熱點話題;體味科技與人文的溫度
          • 關(guān)鍵字: SI  IA  

          a-Si/GZO/LTPS三種技術(shù)對比

          • 隨著顯示產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展,人們對于顯示成像技術(shù)的要求不斷提高,這也促使著技術(shù)的不斷發(fā)展,TFT-LCD這種低成本、高解析度、高亮度、寬視角以及低功耗
          • 關(guān)鍵字: a-Si  GZO  LTPS  

          2017年TDDI出貨量估成長191% a-Si規(guī)格成新藍(lán)海

          •   DIGITIMESResearch觀察觸控與顯示驅(qū)動整合(TouchandDisplayDriverIntegration;TDDI)芯片市場發(fā)展,由于增加HybridIn-Cell型態(tài)產(chǎn)品,以及面板業(yè)者導(dǎo)入TDDI動機提升等因素帶動,2017年全球TDDI出貨量將較2016年成長191%,其中,臺系業(yè)者市占率將達(dá)近4成,從過去由新思(Synaptics)一家獨大局面中突圍。   TDDI芯片又稱IDC(IntegratedDisplayandController),2017年上半受大中華區(qū)智能型手
          • 關(guān)鍵字: a-Si  TDDI  

          回顧全球平板顯示行業(yè)的2015:新格局 新常態(tài)

          •   2015年,對于顯示面板產(chǎn)業(yè)而言,注定是不平凡的一年。全球來看,產(chǎn)業(yè)進入深度調(diào)整和高速發(fā)展期,轉(zhuǎn)型升級步伐不斷加快,產(chǎn)品競爭日益激烈;國內(nèi)來看,產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模持續(xù)擴大,核心競爭力逐步增強,液晶面板產(chǎn)能過剩卻隱憂暗藏??傊?015年顯示面板產(chǎn)業(yè)既有技術(shù)提升和創(chuàng)新帶來的變革,也有市況與價格戰(zhàn)帶來的重重考驗;既有順應(yīng)市場需求而快速崛起的新勢力,也有停滯不前而瀕臨淘汰的落后者。在新年伊始,我們對行業(yè)進行梳理和總結(jié),通過七個關(guān)鍵詞來回顧全球顯示面板產(chǎn)業(yè)不平凡的2015年, 同時提煉產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢,以窺2016。
          • 關(guān)鍵字: 平板  a-Si  

          主流a-Si面板逐漸被LTPS、AMOLED取代

          •   TrendForce旗下光電事業(yè)處WitsView最新研究報告顯示,2015年全球智能手機面板出貨有機會達(dá)到18.2億片,2016年上看19.5億片,年增7%。其中LTPS/Oxide TFT規(guī)格的智能手機面板出貨比重將由2015年的29.8%攀升至2016年的34.6%。同時,受三星顯示器積極外賣AMOLED面板的影響,AMOLED規(guī)格的智能手機面板出貨比重也有機會由2015年的12.1%,攀升至2016年的14%。   WitsView資深研究經(jīng)理范博毓表示,F(xiàn)HD機種往中端手機市場擴張的態(tài)勢確
          • 關(guān)鍵字: a-Si  LTPS  

          一種基于PMM8731和SI-7300的步進電機驅(qū)動電路設(shè)計

          • 1 PMM8713的功能特點 PMM8713是日本三洋電機公司生產(chǎn)的步進電機脈沖分配器。該器件采用DIP16封裝,適用于二相或四相步進電機。PMM8713在控制二相或四相步進電機時都可選擇三種勵磁方式(1相勵磁,2相勵磁,1-2相勵磁三種勵磁方式之一),每相最小的拉電流和灌電流為20mA,它不但可滿足后級功率放大器的要求,而且在所有輸入端上均內(nèi)嵌有施密特觸發(fā)電路,抗干擾能力很強,其原理框圖如圖1所示。 在PMM8713的內(nèi)部電路中,時鐘選通部分用于設(shè)定步進電機的正反轉(zhuǎn)脈沖輸入法。PMM8713有兩種脈
          • 關(guān)鍵字: PMM8731  SI-7300  

          世強啟動Silicon Labs 2014創(chuàng)新技術(shù)巡回研討會

          •   由中國最大本土分銷企業(yè)世強攜手業(yè)界領(lǐng)先的高性能混合信號IC供應(yīng)商Silicon?Labs舉辦的創(chuàng)新技術(shù)巡回研討會將于近期全面啟動。本次研討會主要針對在職研發(fā)工程師,Silicon?Labs的資深技術(shù)專家將親臨現(xiàn)場,帶來處于創(chuàng)新最前沿的設(shè)計技術(shù)。  本次會議主題涉及:  1、應(yīng)用全球最節(jié)能的ARM?Cortex?MCU實現(xiàn)超低功耗設(shè)計(最低待機功耗900nA)  2、100MIPS?的8位MCU創(chuàng)新設(shè)計與應(yīng)用  3、使用任意頻點可編程時鐘縮短產(chǎn)品上市時間
          • 關(guān)鍵字: 世強  SI  ARM  MCU  GPS  

          NEC斥資1億美元收購萬向集團蓄電系統(tǒng)業(yè)務(wù)

          •   3月24日,IT&通信巨頭NEC公司宣布以1億美元收購中國萬向集團旗下A123Systems公司的蓄電系統(tǒng)集成部門(A123?Energy?Solutions),此次世界頂級蓄電SI和ICT的強強聯(lián)合,目標(biāo)瞄準(zhǔn)的是全球能源市場。憑借此舉,NEC將成為世界領(lǐng)先的蓄電系統(tǒng)供應(yīng)商,并有助于其實現(xiàn)全球智慧能源戰(zhàn)略。  據(jù)悉,NEC集團將于今年6月成立?“NEC能源解決方案”新公司,通過整合A123的蓄電系統(tǒng)集成和NEC公司世界領(lǐng)先的信息通信技術(shù)?(ICT),以及
          • 關(guān)鍵字: NEC  萬向  A123Systems  SI  ICT  

          Vishay推出針對新能源應(yīng)用的增強型卡扣式功率鋁電容器

          • 2013 年 12 月19 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,將其159 PUL-SI系列卡扣式功率鋁電容器在+105℃下的額定電壓提升至500V。這些增強型器件是針對太陽能光伏逆變器、工業(yè)電機控制和電源而設(shè)計的,具有長使用壽命和高紋波電流,在100Hz下的紋波電流達(dá)2.80A,工作溫度為+105℃,最大ESR低至150mΩ。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  電容器  159 PUL-SI  

          大尺寸磊晶技術(shù)突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解

          • 近年來氮化鎵(GaN)系列化合物半導(dǎo)體材料已被證實極具潛力應(yīng)用于液晶顯示器(LCD)之背光模組、光學(xué)儲存系統(tǒng)、高頻 ...
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          Si87xx的CMTI性能測量

          • Silicon Labs數(shù)字隔離器(光電耦合器替代品)與標(biāo)準(zhǔn)光電耦合器之間關(guān)于共模瞬變抑制(CMTI)魯棒性的詳細(xì)對比。該視頻中展示了如何使用被認(rèn)可的經(jīng)過校準(zhǔn)的商業(yè)CMTI測試儀測量Si87xx數(shù)字隔離器的瞬變抑制特性,因此你能確
          • 關(guān)鍵字: CMTI  Si  87  xx    

          基于PROFIBUS―DP的變頻控制在冷凝水回收中的應(yīng)用

          • PROFIBUS—DP應(yīng)用于對分散冷凝水的回收,通過對冷凝水泵電機的變頻控制,不但組網(wǎng)容易,而且控制精度和控制決策更加簡潔。組網(wǎng)時必須借助于通訊接口卡SI—Pl,通過配置相應(yīng)的軟件,使普通變頻器成為帶有現(xiàn)場總線接口的變頻器。按照鍋爐補水箱極限水位,動態(tài)調(diào)節(jié)各分散處冷凝水的回收流量,使鍋爐補水箱在儲存冷凝水過程中不至于斷流和溢出。
          • 關(guān)鍵字: PROFIBUS&mdash  DP總線  冷凝水回收  SI&mdash  Pl  變頻器  
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