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Si2和SEMI宣布聯(lián)手改良 集成電路可制造性設(shè)計
- 2005年4月15日,德州奧斯汀,加州圣何塞——Silicon Integration Initiative(Si2)和SEMI于今日宣布一項合作協(xié)議,旨在應(yīng)對日益復(fù)雜的集成電路可制造性設(shè)計以及不斷增長的成本問題。 半導(dǎo)體的設(shè)計制造日趨復(fù)雜,因此亟須設(shè)計商、制造商和技術(shù)供應(yīng)商通力合作,以共同應(yīng)對這一難題。SEMI成員已充分意識到這一需要,并對可制造性設(shè)計(DFM)這一領(lǐng)域頗感興趣。而Si2成員同樣在尋求更加深入地了解制造流程,以期開發(fā)出全新的工具和技術(shù)用于創(chuàng)造更為穩(wěn)健的設(shè)計方案,
- 關(guān)鍵字: SEMI
Si2和SEMI宣布聯(lián)手改良集成電路可制造性設(shè)計
- Silicon Integration Initiative(Si2)和SEMI于今日宣布一項合作協(xié)議,旨在應(yīng)對日益復(fù)雜的集成電路可制造性設(shè)計以及不斷增長的成本問題。 半導(dǎo)體的設(shè)計制造日趨復(fù)雜,因此亟須設(shè)計商、制造商和技術(shù)供應(yīng)商通力合作,以共同應(yīng)對這一難題。SEMI成員已充分意識到這一需要,并對可制造性設(shè)計(DFM)這一領(lǐng)域頗感興趣。而Si2成員同樣在尋求更加深入地了解制造流程,以期開發(fā)出全新的工具和技術(shù)用于創(chuàng)造更為穩(wěn)健的設(shè)計方案,并在制造流程早期實現(xiàn)更高收益。SEMI總裁兼首席執(zhí)行官麥雅斯說
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IEEE和SEMI簽署了一項關(guān)于共同制定納米技術(shù)和微電子機械系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的協(xié)議
- SEMI和IEEE簽署了一項關(guān)于合作項目的諒解備忘錄,該項目旨在創(chuàng)建納米技術(shù)和微電子機械系統(tǒng)(MEMS)標(biāo)準(zhǔn)。此協(xié)議的簽訂標(biāo)志著協(xié)議雙方的首度標(biāo)準(zhǔn)協(xié)調(diào)合作。根據(jù)該理解備忘錄,SEMI和IEEE將確定有關(guān)聯(lián)絡(luò)事宜,說明定期的信息交流計劃并安排定期召開聯(lián)合會議。備忘錄中還提供各自委員會會議的最新資料并發(fā)布關(guān)于納米技術(shù)和微電子機械系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)信息。 IEEE標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會正在積極推進其納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),并預(yù)計在2005年出臺碳納米管的測量標(biāo)準(zhǔn)。同樣,SEMI的MEMS動議也顯示了對這一標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)注?!霸搨渫泴{米技術(shù)、ME
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semi-conductor介紹
semi-conductor
半導(dǎo)體
SC
semi-conductor
半導(dǎo)體指最外電子層有4個電子的晶體材料,并且通過摻入某些雜質(zhì)可以控制他的導(dǎo)電性.
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