- 2015年11月27日，全球領先的200mm純晶圓代工廠──華虹半導體有限公司之全資子公司上海華虹宏力半導體制造有限公司(“華虹宏力”)2015年度技術論壇，繼9月23日首場在深圳獲得熱烈反響后，于今日在北京麗亭華苑酒店再度拉開帷幕。來自北京、長三角、西部地區(qū)的150多位IC設計精英、知名合作伙伴、行業(yè)分析師和媒體朋友齊聚一堂，就產業(yè)趨勢和市場熱點進行了深入交流，并分享了華虹宏力新的技術成果?！ 」緢?zhí)行副總裁范恒先生和執(zhí)行副總裁孔蔚然博士等公司高層親臨論壇現場，與參會嘉賓互動交流。同時公司派出了陣容
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華虹 RF-CMOS
- 長久以來，我國用于高端光學成像的核心元器件一直受制于人。然而，在本月16日在深圳召開的第十七屆中國國際高新技術成果交易會(高交會)上，由我國研發(fā)的世界上像素分辨率最高、靶面最大的CMOS傳感器GMAX3005正式亮相。其以1.5億像素的超高分辨率，打破了我國一直以來都不具備高分辨率和高靈敏度CMOS圖像傳感器研發(fā)能力的窘境。
圖像傳感器可以將光信號轉化為電信號，是所有成像設備中的核心關鍵器件。其光電參數直接決定了成像設備的成像質量。今天亮相的GMAX3005擁有著1.5億像素的超高分辨率，成像速
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CMOS 圖像傳感器
- 本文講述運放的參數和選擇方面的知識，希望對有需要的讀者有幫助。
偏置電壓和輸入偏置電流
在精密電路設計中，偏置電壓是一個關鍵因素。對于那些經常被忽視的參數，諸如隨溫度而變化的偏置電壓漂移和電壓噪聲等，也必須測定。精確的放大器要求偏置電壓的漂移小于200μV和輸入電壓噪聲低于6nV/√Hz。隨溫度變化的偏置電壓漂移要求小于1μV/℃ 。
低偏置電壓的指標在高增益電路設計中很重要，因為偏置電壓經過放大可能引起大電壓輸出，并會占據輸出擺幅的一大部分。溫度感應和張力測
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運放 CMOS
- 東芝于2015年10月28日正式發(fā)布了半導體業(yè)務結構改革相關事宜。改革方針有以下幾點。
第一，退出CMOS圖像傳感器業(yè)務。將把生產該產品的大分工廠的300mm晶圓生產線及相關資產轉讓給索尼。完成轉讓后，該工廠將成為索尼全資子公司——索尼半導體(SCK)的生產基地之一，主要用于生產CMOS圖像傳感器。
另外，利用300mm晶圓生產線生產的CMOS圖像傳感器以外的半導體產品將委托SCK生產。隨著300mm晶圓生產線轉讓，與之相關的東芝及其相關公司的員工(大約1100人)
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東芝 CMOS
- 本文介紹了上下拉電阻的作用、使用方法等問題。
重要信號線的上下拉問題
一般說來，不光是重要的信號線，只要信號在一段時間內可能出于無驅動狀態(tài)，就需要處理。
比如說，一個CMOS門的輸入端阻抗很高，沒有處理，在懸空狀況下很容易撿拾到干擾，如果能量足夠甚至會導致擊穿或者閂鎖，導致器件失效。祈禱輸入的保護二極管安全工作吧。如果電平一直處于中間態(tài)，那輸出就可能是不確定的情況，也可能是上下MOS都導通，對器件壽命造成影響。
總線上當所有的器件都處于高阻態(tài)時也容易有干擾出現。因為這時讀寫控制
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CMOS TTL
- 半導體產業(yè)已經因為創(chuàng)投社群對硬件開發(fā)領域興趣缺缺而沮喪了好長一段時間，“超越摩爾定律”有足夠的吸引力嗎?
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摩爾定律 CMOS
- Sony于8月推出全球首款內建4K錄影功能的數位相機α7R II后，將續(xù)推高階α7R系列產品。該系列產品不采用化學低通濾鏡(bandpass filter)，故圖像更為銳利。像素自3，640萬提高至4，240萬，同時加強自動對焦(AF)與防手震功能。
日本經濟新聞(Nikkei)報導，該相機并有399個相位對焦點、5軸圖像穩(wěn)定系統與4K錄影等特色，感光值(ISO)最高可達ISO 102，400，結合了高解析、高感光及高速對焦的機種，實際售價約45.1萬日圓(約3，800美
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Sony CMOS
- 在DC-DC電源管理芯片中，電壓的穩(wěn)定尤為重要，因此需要在芯片內部集成欠壓鎖定電路來提高電源的可靠性和安全性。對于其它的集成電路，為提高電路的可靠性和穩(wěn)定性，欠壓鎖定電路同樣十分重要。
傳統的欠壓鎖定電路要求簡單、實用，但忽略了欠壓鎖定電路的功耗，使系統在正常工作時，仍然有較大的靜態(tài)功耗，這樣就降低了電源的效率，并且無效的功耗增加了芯片散熱系統的負擔，影響系統的穩(wěn)定性。
基于傳統的欠壓鎖定電路，本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路，并通過HSPICE仿真。此電路可以在1.
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DC-DC CMOS
- 全球領先的高性能模擬IC和傳感器供應商艾邁斯半導體公司晶圓代工事業(yè)部今日宣布進一步擴展其行業(yè)領先的0.35µm高壓CMOS專業(yè)制程平臺?；谠摳邏褐瞥唐脚_的先進“H35”制程工藝，使艾邁斯半導體能涵蓋一整套可有效節(jié)省空間并提升設備性能的電壓可拓展的晶體管。
新的電壓可拓展的高壓NMOS和PMOS晶體管器件針對20V至100V范圍內的各種漏源電壓進行了優(yōu)化，顯著降低了導通電阻，因此可節(jié)省器件空間。在電源管理應用中，用優(yōu)化的30V NMOS晶體管代替固定的50V晶
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艾邁斯 CMOS
- 集成電路按晶體管的性質分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時，除了認真閱讀產品說明或有關資料，了解其引腳分布及極限參數外，還應注意以下幾個問題：
1、電源問題
(1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當應用電路中有門電路的模擬應用(如脈沖振蕩、線性放大)時，最低電壓則不應低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路
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CMOS 集成電路
- 現在常用的電平標準有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，還有一些速度比較高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡單介紹一下各自的供電電源、電平標準以及使用注意事項。
TTL：Transistor-Transistor Logic 三極管結構。
Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。
因為2.4V與5V之間還有很大空閑
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TTL，CMOS
- 簡介：大部分的ESD電流來自電路外部，因此ESD保護電路一般設計在PAD旁，I/O電路內部。典型的I/O電路由輸出驅動和輸入接收器兩部分組成。ESD 通過PAD導入芯片內部，因此I/O里所有與PAD直接相連的器件都需要建立與之平行的ESD低阻旁路，將ESD電流引入電壓線，再由電壓線分布到芯片各個管腳，降低ESD的影響。
引言
靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧 厚度越來越薄，芯片的面
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CMOS ESD
- 簡介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結!希望大家堅持下去!
1、CS單管放大電路
共源級單管放大電路主要用于實現輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點，而根據MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍，主要表現為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設其在飽和區(qū)可以完全表現線性特性，并且實現信號的最大限度放大【理想條件下】
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CMOS MOSFET
- 簡介：CMOS和TTL集成門電路在實際使用時經常遇到這樣一個問題，即輸入端有多余的，如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩(wěn)定的工作?本文給出了解決這個問題的方法，供大家參考。
CMOS門電路
CMOS門電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應采用以下
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CMOS TTL
- 簡介：本文介紹了TTL電平和CMOS電平之間的區(qū)別以及使用注意事項等內容。
TTL：雙極型器件，一般電源電壓 5V，速度快(數ns)，功耗大(mA級)，負載力大，不用端多數不用處理。
CMOS：單級器件，一般電源電壓 15V，速度慢(幾百ns)，功耗低，省電(uA級)，負載力小，不用端必須處理。
CMOS 和 TTL 電平的主要區(qū)別在于輸入轉換電平。
CMOS：它的轉換電平是電源電壓的 1/2，因為 CMOS 的輸入時互補的，保證了轉換電平是電源電壓的 1/2。
TTL：
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TTL CMOS
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