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如何避免LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的MOSFET出現(xiàn)故障
- 為了降低能源成本，設備設計人員正在不斷尋找優(yōu)化功率密度的新方法。通常情況下，電源設計人員通過增大開關頻率來降低功耗和縮小系統(tǒng)尺寸。由于具有諸多優(yōu)勢如寬輸出調(diào)節(jié)范圍、窄開關頻率范圍以及甚至在空載情況下都能保證零電壓開關，LLC 諧振轉(zhuǎn)換器應用越來越普遍。但是，功率 MOSFET 出現(xiàn)故障一直是LLC 諧振轉(zhuǎn)換器中存在的一個問題。在本文中，我們將闡述如何避免這些情況下出現(xiàn)MOSFET 故障。 初級 MOSFET 的不良體二極管性能可能導致一些意想不到的系統(tǒng)或器件故障，如在各種異常條件下發(fā)生嚴重的直通
- 關鍵字： 諧振轉(zhuǎn)換器 MOSFET
完全自保護MOSFET功率器件分析
- 為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統(tǒng)造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現(xiàn)，但是在更多情況下，設計人員使用完全自保護的MOSFET功率器件來完成?！ D1顯示了完全自保護MOSFET的一般拓撲結構。這些器件常見的其他特性包括狀態(tài)指示、數(shù)字輸入、差分輸入和過壓及欠壓切斷。高端配置包括片上電荷泵功能。但是，大多數(shù)器件都具備三個電路模塊，即電流限制、溫度限制和漏-源過壓箝制，為器件提供大部分的保護?！ ?nbsp;&n
- 關鍵字： MOSFET 功率器件
功率MOSFET在正激式驅(qū)動電路中的應用簡析
- 功率MOSFET在目前一些大功率電源的產(chǎn)品設計中得到了廣泛的應用，此前本文曾經(jīng)就幾種常見的MOSFET電路設計類型進行了簡單總結和介紹。在今天的文章中，本文將會就這一功率器件的另一種應用方式，即有隔離變壓器存在的互補驅(qū)動電路，進行簡要分析?！ ∮懈綦x變壓器的互補驅(qū)動電路作為一種比較常見的驅(qū)動電路形式，在目前的家電產(chǎn)品設計中應用較多，其典型電路結構如圖1(a)所示。在圖1(a)所給出的電路結構中，V1、V2為互補工作，電容C起隔離直流的作用，T1為高頻、高磁率的磁環(huán)或磁罐?！ ?nbsp;
- 關鍵字： MOSFET 驅(qū)動電路
入門必看的MOSFET小功率驅(qū)動電路知識分享
- 功率器件MOSFET是目前應用頻率最高的電子元件之一，也是很多電子工程師在入門學習時的重點方向。如果設計得當，MOSFET驅(qū)動電路可以幫助工程師快速、高效、節(jié)能的完成電路系統(tǒng)的驅(qū)動設計，本文在這里將會分享一種比較常見的MOSFET驅(qū)動電路設計方案，該方案尤其適用于小功率電路系統(tǒng)的采用?！ ∠聢D中，圖1(a)所展示的是一種目前業(yè)內(nèi)比較常用的小功率MOSFET驅(qū)動電路，這一電路系統(tǒng)的特點是簡單可靠，且設計成本比較低，尤其適用于不要求隔離的小功率開關設備。圖1(b)所示驅(qū)動電路開關速度很快，驅(qū)動能力強，為防
- 關鍵字： MOSFET 驅(qū)動電路
同步降壓 MOSFET 電阻比的正確選擇
- 進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設計過程的一個組成部分，你會有一套包括了輸入電壓范圍和期望輸出電壓的規(guī)范，并且需要選擇一些 FET。另外，如果你是一名 IC 設計人員，你還會有一定的預算，其規(guī)定了 FET 成本或者封裝尺寸。這兩種輸入會幫助您選擇總 MOSFET 芯片面積。之后，這些輸入可用于對各個 FET 面積進行效率方面的優(yōu)化。 圖 1 傳導損耗與 FET 電阻比和占空比相關 首先，F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關系。
- 關鍵字： MOSFET
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第5部分—開關參數(shù)
- 最后，我們來到了這個試圖破解功率MOSFET數(shù)據(jù)表的“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的收尾部分。在這個博客中，我們將花時間看一看MOSFET數(shù)據(jù)表中出現(xiàn)的某些其它混合開關參數(shù)，并且檢查它們對于總體器件性能的相關性(或者與器件性能沒什么關系)。 另一方面，諸如FET固有體二極管的輸出電荷 (QOSS) 和反向恢復電荷(Qrr) 等開關參數(shù)是造成很多高頻電源應用中大部分FET開關損耗的關鍵因素。不好意思，我說的這些聽起來有點兒前言不搭后語，不過設計人員在根據(jù)這些參數(shù)比較不同
- 關鍵字： MOSFET 二極管
估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分
- 在本文中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法?！ 岵灏坞娐酚糜趯㈦娙葺斎朐O備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設備運行中斷。通過使用一個串聯(lián)組件逐漸延長新連接電容負載的充電時間，熱插拔器件可以完成這項工作。結果，該串聯(lián)組件具有巨大的損耗，并在充電事件發(fā)生期間產(chǎn)生溫升。大多數(shù)熱插拔設備的制造廠商都建議您查閱安全工作區(qū)域 (SOA) 曲線，以便設備免受過應力損害。圖 1 所示
- 關鍵字： MOSFET
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