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si mosfet 文章進入si mosfet技術(shù)社區(qū)

Vishay的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導通電阻

2013 年 9 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，擴充其采用超小PowerPAK? SC-70封裝的TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET 導通電阻

一款功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計與制作

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：功率穩(wěn)壓逆變電源 MOSFET TL494 工頻變壓器

LTC4366高壓浪涌抑制器應用深入講解（獨家收錄）

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： LTC4366 浪涌抑制器 MOSFET Linear

LTC4366浪涌抑制器工作原理詳解

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關(guān)鍵字： LTC4366 浪涌抑制器 MOSFET Linear

LTC4366浪涌抑制器入門簡介

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關(guān)鍵字： LTC4366 浪涌抑制器 MOSFET Linear

內(nèi)置MOSFET降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器NJW1933

日本無線株式會社（總部：東京都中央?yún)^(qū)　代表取締役社長：小倉　良）開發(fā)出了一款600mA， 500kHz的小型封裝降壓型開關(guān) ...
關(guān)鍵字：內(nèi)置 MOSFET 降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器 NJW1933

飛兆汽車級高速、低邊驅(qū)動器系列可提高效率、簡化設(shè)計

使用功率MOSFET的汽車應用要求柵極驅(qū)動器具備高峰值驅(qū)動電流和低輸出阻抗。來自飛兆半導體的 FAN31xx_F085 和FAN32xx_F085* 系列高速、低端汽車合格柵極驅(qū)動器(紐約證券交易所代碼： FCS)為電源和其他高效MOSFET開關(guān)應用帶來了靈活性，可提供大量功能和性能組合選擇以創(chuàng)建緊湊、高效和可靠的設(shè)計。
關(guān)鍵字：飛兆驅(qū)動器 MOSFET

東芝針對移動設(shè)備的高電流充電電路將推出超緊湊型MOSFET

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布，該公司已經(jīng)為智能手機和平板電腦等移動設(shè)備的高電流充電電路的開關(guān)推出了超緊湊型MOSFET，包括兩種電池。
關(guān)鍵字：東芝 MOSFET 智能手機移動設(shè)備

東芝推出高壓MOSFET “πMOS VIII”系列

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新系列高壓MOSFET “πMOS VIII”系列，并推出了該系列的首款產(chǎn)品“TK9J90E”，并計劃于2013年8月投入量產(chǎn)。
關(guān)鍵字：東芝 MOSFET TK9J90E

東芝擴充低壓N通道MOSFET陣容

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布通過“MOSFET”擴充移動設(shè)備鋰離子電池和電源管理開關(guān)專用保護電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造，實現(xiàn)了低導通電阻，可減少設(shè)備的傳導損失。
關(guān)鍵字：東芝 MOSFET 鋰離子電池

騙子成堆的LED燈具廠商……

請不要認為是標題黨，慢慢往下看……
關(guān)鍵字： LED LED驅(qū)動驅(qū)動電源無源元件 MOSFET

利用理想二極管和熱插拔控制器隔離電源故障

用肖特基二極管實現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如，μTCA網(wǎng)絡(luò)及存儲服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系...
關(guān)鍵字： MOSFET LTC4225 LTC4227

東芝擴大用于基站和服務(wù)器的功率MOSFET陣容

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布為其用于基站和服務(wù)器的通用直流-直流轉(zhuǎn)換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產(chǎn)品。這些產(chǎn)品使用最新的第八代低電壓溝槽結(jié)構(gòu)，并實現(xiàn)了頂尖[1]低導通電阻和高速開關(guān)性能。即日開始批量生產(chǎn)。
關(guān)鍵字：東芝 MOSFET

東芝為基站和服務(wù)器推出30V電壓功率MOSFET

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布為專用于基站和服務(wù)器的通用DC-DC轉(zhuǎn)換器推出30V電壓功率MOSFET系列。這些產(chǎn)品采用了最新的第八代低壓溝槽結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了最高級別的低導通電阻和高速轉(zhuǎn)換。該系列產(chǎn)品計劃于6月底投入量產(chǎn)。
關(guān)鍵字：東芝 MOSFET 電阻

對使用銅絲鍵合的功率MOSFET進行失效分析

摘要：由于銅絲鍵合可以替代金鍵合，價格又便宜，正在被越來越多地應用到微電子元器件當中。目前的情況表明銅是可行的替代品，但是證明其可靠性還需要采用針對銅絲鍵合工藝的新型失效分析(FA)技術(shù)。
關(guān)鍵字：銅絲鍵合 MOSFET 金鍵合失效分析金屬層 201308

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