si mosfet 文章 進(jìn)入si mosfet技術(shù)社區(qū)
IR推出150V和200V MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開關(guān)模式電源 (SMPS) 、不斷電系統(tǒng) (UPS)、反相器和DC馬達(dá)驅(qū)動器等工業(yè)應(yīng)用提供極低的閘電荷 (Qg)。 與其它競爭器件相比，IR 150V MOSFET提供的總閘電荷降低了高達(dá)59%。至于新款200V MOSFET的閘電荷，則比競爭器件的降低了多達(dá)33%。 IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“隨著DC-DC功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用技術(shù)的日
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET SMPS UPS 反相器 DC馬達(dá)驅(qū)動器
Diodes 推出適合LCD背光應(yīng)用的新型MOSFET 器件
- Diodes 公司進(jìn)一步擴(kuò)展其多元化的MOSFET 產(chǎn)品系列，推出15款針對 LCD 電視和顯示器背光應(yīng)用的新型器件。新器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的TO252和SO8 封裝，具有高功率處理和快速開關(guān)功能，可滿足高效CCFL驅(qū)動器架構(gòu)的要求。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)表示：“30V 額定雙N溝道DMN3024LSD 采用SO8 封裝，適用于推挽式逆變器，可比分立式元件節(jié)省更多的空間。對于需要一對互補(bǔ)器件的全橋和半橋拓?fù)洌珼MC3028LSD 可提供集成的高性能N 和 P 溝道 MO
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET LCD背光 CCFL驅(qū)動器
IR 推出IRF6718 DirectFET MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業(yè)界最低的通態(tài)電阻 (RDS(on))，并且使動態(tài)ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開關(guān)應(yīng)用達(dá)到最佳效果。 IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術(shù)，提供極低的通態(tài)電阻(在10V Vgs時典型為0.5mΩ)，同時比D2PAK的占位面積縮小60%，高度縮小85%。新器件大幅減少了有關(guān)旁路元件的傳導(dǎo)
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飛兆半導(dǎo)體推出一款單一P溝道MOSFET器件
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機(jī)、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計人員帶來一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時提供64mOhm之RDS(ON) 值，較同類解決方案低15%，且占位面積僅為1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同時減少了電路板空間需求。該器件采用WL-CSP封裝，比占位面積相似的傳統(tǒng)塑料封裝MOSFET具有更佳功耗和傳導(dǎo)損耗特性。FDZ197P
- 關(guān)鍵字： Farichild MOSFET FDZ197PZ ESD
ST公布今年第二季度及上半年財報
- 意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼：STM)公布截至2009年6月27日的第二季度及上半年的財務(wù)報告。 意法半導(dǎo)體2009年第2季度收入總計19.93億美元，包含被ST-Ericsson合并的前愛立信移動平臺的全部業(yè)務(wù)，和1800萬美元的技術(shù)授權(quán)費(fèi)。凈收入環(huán)比增幅20%，反映了意法半導(dǎo)體所在的所有市場以及全部地區(qū)的需求回暖，特別是中國和亞太地區(qū)的需求增長強(qiáng)勁。因?yàn)樯虡I(yè)大環(huán)境的原因，在所有市場以及各地區(qū)第2季度的凈收入低于去年同期水平，但電信市場和亞太地區(qū)的表現(xiàn)則例外。 總裁兼首席執(zhí)行官 Car
- 關(guān)鍵字： ST MOSFET MEMS GPS 無線寬帶
半導(dǎo)體C-V測量基礎(chǔ)
- 通用測試 電容-電壓(C-V)測試廣泛用于測量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外，利用C-V測量還可以對其他類型的半導(dǎo)體器件和工藝進(jìn)行特征分析，包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏電池、MEMS器件、有機(jī)TFT顯示器、光電二極管、碳納米管(CNT)和多種其他半導(dǎo)體器件。 這類測量的基本特征非常適用于各種應(yīng)用和培訓(xùn)。大學(xué)的研究實(shí)驗(yàn)室和半導(dǎo)體廠商利用這類測量評測新材料、新工藝、新器件和新電路。C-V測量對于產(chǎn)品和良率增強(qiáng)工程師也是極其重要的，
- 關(guān)鍵字： 吉時利 C-V測試 半導(dǎo)體 MOSFET MOSCAP
Linear 推出同步降壓型 DC/DC 控制器
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出低靜態(tài)電流、兩相雙路輸出同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3858/-1。該器件在一個輸出有效時僅消耗 170uA 電流，而兩個輸出都有效時消耗 300uA。兩個輸出都關(guān)斷時，LTC3858/-1 僅消耗 8uA，非常適用于汽車和筆記本電腦應(yīng)用。LTC3858/-1 的 4V 至 38V 寬輸入電源范圍能夠針對負(fù)載突降和冷車發(fā)動情況所常見的汽車寬輸入電壓瞬變提供保護(hù)作用，并涵蓋多種電池化學(xué)組成。輸出電流高達(dá) 20A
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NXP推出N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品
- 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨(dú)立半導(dǎo)體公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導(dǎo)通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無損耗封裝：LFPAK)中擁有最低導(dǎo)通電阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦現(xiàn)有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術(shù)于一體，可在各種嚴(yán)苛應(yīng)用條件下
- 關(guān)鍵字： NXP MOSFET PSMN1R2-25YL Power-SO8
Fairchild推出雙MOSFET解決方案FDMC8200
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計人員帶來業(yè)界領(lǐng)先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 DC-DC 設(shè)計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側(cè)) 和同步 (低側(cè)) 30V N溝道MOSFET，二者均使用的專用先進(jìn)高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術(shù)，提供出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD)，這些性能最大限度地
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET PowerTrench FDMC8200
Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件
- Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封裝，包含一對互補(bǔ)100V增強(qiáng)式MOSFET，性能可媲美體積更大的獨(dú)立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路，應(yīng)用范圍包括直流風(fēng)扇和逆變器電路、D類放大器輸出級以及其他多種48V應(yīng)用。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)指出：“這個N通道和P通道組合的MOSFET能夠代替采用SOT223及DPak (TO252) 封裝的同等器件，有助減省電路板空間及元件數(shù)目，同時簡化柵極驅(qū)動電路設(shè)計。比方說，SO8充分發(fā)揮了
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET ZXMC10A816
Diodes推出新型MOSFET 半橋器件
- Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝，為空間受限的應(yīng)用減少了元件數(shù)量和PCB尺寸，極大地簡化了直流風(fēng)扇和 CCFL 逆變器電路設(shè)計。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)指出：“ZXMHC 元件為SO8封裝，包含兩對互補(bǔ)N型和P型MOSFET，可取代四個分立式SOT23封裝的MOSFET或兩個SO8 互補(bǔ)MOSFET 封裝。對于現(xiàn)有不同類型的電機(jī)或其它感性負(fù)載驅(qū)動裝置來說，這意味著可節(jié)省至少一半的PCB占板面積，同時大幅降低整體存貨成本?！? ZXM
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET 半橋器件 ZXMHC SO8
Maxim推出低電壓、降壓調(diào)節(jié)器
- Maxim推出內(nèi)置升壓開關(guān)的低電壓、降壓調(diào)節(jié)器MAX17083。該器件專為空間緊張的應(yīng)用而設(shè)計，在微小的16mm² TQFN封裝中集成了雙路n溝道MOSFET功率開關(guān)。內(nèi)部25mΩ、低邊功率MOSFET能夠提供高達(dá)5A的持續(xù)負(fù)載電流，在保證高效率的同時減少了元件數(shù)量。MAX17083無需外部肖特基二極管以及外部升壓二極管，進(jìn)一步節(jié)省了空間和成本。這款小型降壓調(diào)節(jié)器理想用于超便攜移動PC (UMPC)、上網(wǎng)本、便攜式游戲機(jī)及其它緊湊的低功耗應(yīng)用。 MAX17083采用電流模式
- 關(guān)鍵字： Maxim 降壓調(diào)節(jié)器 MAX17083 MOSFET
英飛凌推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列
- 今日在深圳舉辦的中國國際電源展覽會上，英飛凌科技宣布推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和品質(zhì)因素(FOM, Qg * RDS(on))特性，可在任何負(fù)載條件下，降低開關(guān)模式電源(SMPS)、電機(jī)控制和快速開關(guān)D類功放等電源產(chǎn)品的功率損耗并改善其整體能效。 OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列，是交流/直流開關(guān)模式電源(譬如面向全球市場的臺式機(jī)和計算機(jī)服務(wù)器裝備的電源)的同步整流的
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET OptiMOS SMPS
IR推出AUIRS2003S 200V IC
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIRS2003S 200V IC，適用于低、中、高壓汽車應(yīng)用，包括汽車預(yù)電充開關(guān)、步進(jìn)驅(qū)動器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。 AUIRS2003S符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)，是一款堅固耐用、靈活的高速功率MOSFET驅(qū)動器，并備有高、低側(cè)參考輸出通道，適用于惡劣的汽車環(huán)境及引擎罩下的應(yīng)用。這款輸出驅(qū)動器具有高脈沖電流緩沖級，可將驅(qū)動器跨導(dǎo)降至最低，而浮動通道可在最高200V的高側(cè)配置中驅(qū)動一個 N 溝道功率MOSFET。
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET 驅(qū)動器IC
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