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          2004年6月7日，瑞薩推出HAT1125H P-通道功率MOSFET
          
                                                            
            
                    	
          • 　　2004年6月7日，瑞薩發(fā)布HAT1125H–30V擊穿電壓P溝道功率MOSFET。與瑞薩先前的產(chǎn)品相比，HAT1125H的導(dǎo)通電阻大約減小了25%，是業(yè)界導(dǎo)通電阻最低的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOP-8尺寸小型表面安裝封裝產(chǎn)品。由于其損耗很低，將有助于設(shè)計(jì)小型、節(jié)省空間的系統(tǒng)。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        瑞薩  MOSFET  Renesas                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                                

                
          
	                
          
		                	
          
	
          
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