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基于Si1000多路無(wú)線遙控開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)

摘要：針對(duì)現(xiàn)有遙控電器開(kāi)關(guān)的節(jié)電性不好、使用壽命短等缺點(diǎn)，文中采用低功耗芯片Si1000，設(shè)計(jì)了一種新的可編程無(wú)線遙控多路開(kāi)關(guān)，以實(shí)現(xiàn)對(duì)多路照明燈的遙控控制。詳細(xì)闡述了整個(gè)電路的軟硬件設(shè)計(jì)，并對(duì)其進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)
關(guān)鍵字： Si 多路無(wú)線遙控開(kāi)關(guān)

大面積單結(jié)集成型a－Si:H太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)與制備的實(shí)現(xiàn)

1引言眾所周知，利用太陽(yáng)能有許多優(yōu)點(diǎn)，光伏發(fā)電將為人類(lèi)提供主要的能源，但目前來(lái)講，要使太陽(yáng)能發(fā)電具有較大的市場(chǎng)，被廣大的消費(fèi)者接受，提高太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率，降低生產(chǎn)成本應(yīng)該是我們追求的最大目標(biāo)，從目
關(guān)鍵字：結(jié)構(gòu) 制備實(shí)現(xiàn) 電池太陽(yáng) 結(jié)集成型 Si:H 大面積

低溫p-Si薄膜的制備研究

引言近年來(lái)，有源液晶顯示技術(shù)在液晶顯示產(chǎn)業(yè)和研究領(lǐng)域都獨(dú)占鰲頭。在有源液晶顯示技術(shù)中，多晶硅薄膜因高遷移率展現(xiàn)出獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，它的器件尺寸小，可以獲得更高的開(kāi)口率和分辨率；由于遷移率的提高可以將周邊驅(qū)動(dòng)
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基于PMM8731和SI-7300的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路

PMM8731是日本三洋電機(jī)公司生產(chǎn)的步進(jìn)電機(jī)脈沖分配器。而SI-7300則是日本三青公司生產(chǎn)的高性能步進(jìn)電機(jī)集成功率放大器。它們和單片機(jī)一起可構(gòu)成一種高效電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)電路。文中介紹了PMM8713與SI-7300的功能，給出了
關(guān)鍵字：驅(qū)動(dòng) 電路電機(jī) 步進(jìn) PMM8731 SI-7300 基于

力科發(fā)布了SI Studio軟件包以增強(qiáng)其分析和仿真能力

??????? 力科公司，作為示波器、協(xié)議分析儀、串行數(shù)據(jù)測(cè)試解決方案和網(wǎng)絡(luò)分析儀領(lǐng)導(dǎo)廠商，今天宣布推出其信號(hào)完整性產(chǎn)品線的創(chuàng)新產(chǎn)品：信號(hào)完整性工作室(SI Studio)。SI Studio是力科SPARQ應(yīng)用軟件包的附加產(chǎn)品，它不但可以和SPARQ串行網(wǎng)絡(luò)分析儀協(xié)同工作，還可以作為一個(gè)獨(dú)立的軟件使用。　　可完成信號(hào)完整性分析、建模和仿真的功能　　SI Studio針對(duì)信號(hào)完整性工程師而開(kāi)發(fā)，可讓工程師使用一個(gè)軟件包就能完成對(duì)
關(guān)鍵字：力科軟件包 SI-Studio

基于SI濾波器的一種小波變換的實(shí)現(xiàn)

摘要：文中在應(yīng)用對(duì)數(shù)域電路的基礎(chǔ)上，提出了一種新型的連續(xù)小波變換方法，它通過(guò)對(duì)母小波的一種數(shù)值逼近得到小波函數(shù)的有理公式，并以Marr小波為例來(lái)模擬這個(gè)逼近過(guò)程，并用Matlab對(duì)逼近過(guò)程進(jìn)行仿真。仿真結(jié)果顯示
關(guān)鍵字：變換實(shí)現(xiàn) 小波濾波器 SI 基于

大面積單結(jié)集成型a－Si:H太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制備分析

摘要：大面積單結(jié)集成型a－Si:H太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù)，并分析了制備工藝對(duì)其性能的影響。關(guān)鍵詞：太陽(yáng)電池設(shè)計(jì)分析Structural Device and Preparation Analysis of Large AreaSingle Junction Integrated a－ Si:H
關(guān)鍵字：結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 制備分析電池太陽(yáng) 結(jié)集成型 Si:H 大面積

光致發(fā)光技術(shù)在檢測(cè)晶體Si太陽(yáng)電池缺陷的應(yīng)用

引言　　近年來(lái)，光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，提高效率和降低成本成為整個(gè)行業(yè)的目標(biāo)。在晶體Si太陽(yáng)電池的薄片化發(fā)展過(guò)程中，出現(xiàn)了許多嚴(yán)重的問(wèn)題，如碎片、電池片隱裂、表面污染、電極不良等，正是這些缺陷限制了電池的光電
關(guān)鍵字：電池缺陷應(yīng)用太陽(yáng) Si 技術(shù) 檢測(cè) 晶體發(fā)光

Quamtum-SI DDR3仿真解析

Automated DDR3 Analysis

Quantum-SI 2008.04 automates signal integrity and timing analysis of DDR3 interfaces. Enhancements include new DDR3-specific waveform quality checks and modeling of dynam
關(guān)鍵字： Quamtum-SI DDR3 仿真

SI-PROG編程器的工作原理及其程序設(shè)計(jì)

摘要：介紹SI-PROG編程器的工作原理，利用PC機(jī)串口UART芯片實(shí)現(xiàn)單片機(jī)的ISP下載。PC機(jī)串口8250芯片中SOUT，DTR，RTS，CTS四個(gè)引腳的電平可通過(guò)其內(nèi)部的幾個(gè)寄存器分別進(jìn)行控制或讀取，利用引腳可實(shí)現(xiàn)單片機(jī)的ISP下栽
關(guān)鍵字：及其程序設(shè)計(jì) 原理工作編程器 SI-PROG

用LXI構(gòu)建合成儀器(05-100)

　　合成儀器(SI)由模塊化組件構(gòu)建并啟用高速處理器和近代總線技術(shù),有望給測(cè)試用戶帶來(lái)更多的功能與靈活性,較低廉的總成本、更高速操作、更小的物理占用面積以及較長(zhǎng)的使用壽命。然而,生產(chǎn)廠家和用戶共同面臨的一個(gè)問(wèn)題是缺乏統(tǒng)一的,能滿足體系結(jié)構(gòu)和商品化要求的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。PXI和VXI模塊儀器是這類(lèi)應(yīng)用的最佳候選,但對(duì)SI設(shè)計(jì)人員亦有諸多限制,最終形成具有專(zhuān)用接口與控制模塊包裝的混合系統(tǒng)。
關(guān)鍵字：測(cè)試測(cè)量 SI LXI

解決串行接口中的信號(hào)完整性問(wèn)題(05-100)

　　一直以來(lái),信號(hào)完整性都是模擬工程師考慮的問(wèn)題,但是隨著串行數(shù)據(jù)鏈接的傳輸速率向GHz級(jí)發(fā)展,數(shù)字硬件設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在也必須關(guān)注這個(gè)重要的問(wèn)題。
關(guān)鍵字： Tundra SI 串行

合成儀器技術(shù)(04-100)

　　合成儀器(SI)利用部件開(kāi)放結(jié)構(gòu)環(huán)境中所用的核心硬件和軟件構(gòu)建單元組合，合成傳統(tǒng)儀器中的激勵(lì)和/或測(cè)量功能。合成儀器概念在70年代末和80年代初，主要是集中在軍事項(xiàng)目研究中。此時(shí)，其技術(shù)不能為商業(yè)提供可用性。所能實(shí)現(xiàn)的主要是集中在RF/微波應(yīng)用中的低頻模擬、數(shù)字和基帶中。　　現(xiàn)代合成儀器發(fā)現(xiàn)它們的根是在過(guò)去10年通信革命和呈現(xiàn)出的軟件無(wú)線電(SDR)概念中。根據(jù)SDR的定義，SDR是由DSP、發(fā)送器、接收器把數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)變?yōu)闊o(wú)線通信用的調(diào)制無(wú)線電波和把調(diào)制無(wú)線電波變換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。DSP提供無(wú)線電功能，
關(guān)鍵字：合成儀器 SI SDR

基于虛擬線的交通信息視頻檢測(cè)技術(shù)及應(yīng)用

摘要：提出一種基于虛擬線的交通參數(shù)（車(chē)速、車(chē)輛計(jì)數(shù)等）視頻檢測(cè)方法。實(shí)際應(yīng)用中，根據(jù)圖3所示的視頻角度（FOV），攝像...
關(guān)鍵字：檢測(cè)線交通參數(shù) 視頻檢測(cè)技術(shù) 視頻序列灰度值交通信息管理定義變量 sI dmix 視頻輸入

Si整流器與SiC二極管：誰(shuí)與爭(zhēng)鋒

　　在當(dāng)今的電氣設(shè)備中,功率半導(dǎo)體和電抗式元件(電容和電感)隨處可見(jiàn)。它們?cè)谡９ぷ鬟^(guò)程中會(huì)在為其供電的交流電線上產(chǎn)生兩種不希望出現(xiàn)的副作用。　　首先，這些器件會(huì)引起較小的功率因數(shù)。其次，它們會(huì)使線電流失真，引起電噪聲或者產(chǎn)生與線電壓之間的相位偏移。　　功率因數(shù)是指實(shí)際使用的功率與交流線上產(chǎn)生的視在功率二者的比值。電氣設(shè)備中如果存在大電容或者電感就會(huì)導(dǎo)致視在功率大于實(shí)際使用的功率，出現(xiàn)較小的功率因數(shù)。　　功率因數(shù)越小，在為設(shè)備供電的交流導(dǎo)線上損耗的電能就越多。如果設(shè)備中的功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)操作非常
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) Si 整流器二極管元器件用材料