sic fets 文章 進(jìn)入sic fets技術(shù)社區(qū)
SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324
- 前面的文章,和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況,同時(shí)也分享了安森美在器件開發(fā)的一些特點(diǎn)和進(jìn)展。到這里大家對(duì)于SiC的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有一定的了解了。也就是從襯底到芯片,對(duì)于一個(gè)SiC功率器件來說只是完成了一半的工作,還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發(fā)揮出來,這次我們會(huì)從AQG324這個(gè)測試標(biāo)準(zhǔn)的角度來看芯片和封裝的開發(fā)與驗(yàn)證。圖一是SSDC模塊的剖面示意圖,圖二是整個(gè)SSDC模塊的結(jié)構(gòu)圖,從圖一和圖二我們可以發(fā)現(xiàn)這個(gè)用在主驅(qū)的功率模塊還是比較復(fù)雜的,里面包含了許
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器使用指南
- SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及,因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決,并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多,必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異,以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響,作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分,還將提供 NCP51705(用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器)的使用指南。本文為第三部分,將重點(diǎn)介紹NCP517
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國內(nèi)8英寸SiC傳來新進(jìn)展
- 近年來,汽車、太陽能和電動(dòng)汽車充電應(yīng)用及儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)μ蓟璋雽?dǎo)體產(chǎn)品需求不斷增長,并推動(dòng)新興半導(dǎo)體材料的發(fā)展。在碳化硅襯底上,國內(nèi)廠商正加速研發(fā)步伐,如晶盛機(jī)電已完成了6英寸到8英寸的擴(kuò)徑和質(zhì)量迭代,實(shí)現(xiàn)8英寸拋光片的開發(fā),晶片性能參數(shù)與6英寸晶片相當(dāng),今年二季度將實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn);天科合達(dá)計(jì)劃在2023年實(shí)現(xiàn)8英寸襯底產(chǎn)品的小規(guī)模量產(chǎn),同時(shí)該公司在5月與半導(dǎo)體大廠英飛凌簽訂碳化硅長期供應(yīng)協(xié)議。近期,科友半導(dǎo)體傳來了新消息。6月22日,科友半導(dǎo)體官微宣布其突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù),在晶體尺寸、厚度
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使用SiC的關(guān)鍵在于了解事實(shí)
- 最近,碳化硅 (SiC) 及其在電力電子領(lǐng)域的潛在應(yīng)用受到了廣泛關(guān)注,但同時(shí)也引發(fā)了一些誤解。本文旨在澄清這些誤解,讓工程師們?cè)谖磥矸判牡厥褂?SiC器件。應(yīng)用圍繞SiC 產(chǎn)生的一些疑慮與其應(yīng)用范圍相關(guān)。例如,一些設(shè)計(jì)人員認(rèn)為SiC MOSFET 應(yīng)該用來替代IGBT,而硅MOSFET 的替代品應(yīng)該是氮化鎵 (GaN) 器件。然而,額定電壓為650 V 的SiC MOSFET 具有出色的性能,其RDS(ON)*Qg 品質(zhì)因數(shù)很有競爭力,反向恢復(fù)電荷也非常小。因此,在圖騰柱功率因數(shù)校正 (TPPFC) 或同
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羅姆與緯湃科技簽署SiC功率元器件長期供貨合作協(xié)議
- SiC(碳化硅)功率元器件領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè)ROHM Co., Ltd. (以下簡稱“羅姆”)于2023年6月19日與全球先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)和電動(dòng)化解決方案大型制造商緯湃科技(以下簡稱“Vitesco”)簽署了SiC功率元器件的長期供貨合作協(xié)議。根據(jù)該合作協(xié)議,雙方在2024年至2030年間的交易額將超過1300億日元。?之所以能達(dá)成此次合作,是因?yàn)殡p方已于2020年建立了“電動(dòng)汽車電力電子技術(shù)開發(fā)合作伙伴關(guān)系”,并基于合作伙伴關(guān)系進(jìn)行了密切的技術(shù)合作,開展了適用于電動(dòng)汽車的SiC功率元器件和采用SiC芯
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為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣
- 在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)的許多方面都優(yōu)于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是,與硅快速恢復(fù)二極管相比,純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia(安世半導(dǎo)體)如何將先進(jìn)的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起,以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)的許多方面都優(yōu)于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是,與硅快速恢復(fù)二極管相比,純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia(安世半導(dǎo)體
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SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案
- 如今,碳化硅用于要求苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用,如火車、渦輪機(jī)、電動(dòng)汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性,基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應(yīng)用。盡管 SiC 功率器件推動(dòng)了電動(dòng)汽車、5G 和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等要求苛刻領(lǐng)域的進(jìn)步,但高質(zhì)量 SiC 基板的生產(chǎn)給晶圓制造商帶來了多重挑戰(zhàn)。如今,碳化硅用于要求苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用,如火車、渦輪機(jī)、電動(dòng)汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性,基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應(yīng)用。盡管 SiC 功率器件推動(dòng)了電動(dòng)汽車、5G 和物
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中國小型 SiC 廠商,難過 2023
- 2018 年,特斯拉在 Model 3 中首次將 IGBT 模塊換成了 SiC 模塊,成為第一家在量產(chǎn)汽車中使用 SiC 芯片的電動(dòng)汽車公司。特斯拉的使用結(jié)果表明,在相同功率等級(jí)下,SiC 模塊的封裝尺寸明顯小于硅模塊,并且開關(guān)損耗降低了 75%。換算下來,采用 SiC 模塊替代 IGBT 模塊,其系統(tǒng)效率可以提高 5%左右。一場特斯拉的大風(fēng),引燃了 SiC。然而,就在剛剛過去的 3 月份,特斯拉卻突然宣布,下一代的電動(dòng)車傳動(dòng)系統(tǒng) SiC 用量大減 75%,因借創(chuàng)新技術(shù)找到下一代電動(dòng)車動(dòng)力系統(tǒng)減少使用 S
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第三代半導(dǎo)體高歌猛進(jìn),誰將受益?
- “現(xiàn)在的新車,只要能用碳化硅的地方,便不會(huì)再用傳統(tǒng)功率器件”。功率半導(dǎo)體大廠意法半導(dǎo)體(ST)曾以此言表達(dá)碳化硅于新能源汽車市場的重要性。當(dāng)下,在全球半導(dǎo)體行業(yè)的逆流中,第三代半導(dǎo)體正閃爍著獨(dú)特的光芒,作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上,各方紛紛加大馬力,堅(jiān)定下注,一部關(guān)于第三代半導(dǎo)體的爭奪劇集已經(jīng)開始上演。一、三代半方興未艾產(chǎn)業(yè)進(jìn)入高速成長期近日,科學(xué)技術(shù)部黨組成員、副部長相里斌在2023中關(guān)村論壇上表示,2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入下行周
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如何通過實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度更大限度地提高 SiC 牽引逆變器的效率
- 牽引逆變器是電動(dòng)汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件,功率級(jí)別可達(dá) 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動(dòng)汽車單次充電后的行駛里程。因此,為了構(gòu)建下一代牽引逆變器系統(tǒng),業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 來實(shí)現(xiàn)更高的可靠性、效率和功率密度。圖 1 所示的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路 (IC) 提供從低電壓到高電壓(輸入到輸出)的電隔離,驅(qū)動(dòng)逆變器每相的高邊和低邊功率模塊,并監(jiān)測和保護(hù)逆變器免受各種故障的影響。根據(jù)汽車安全完整性等級(jí) (ASIL) 功能安全要求,柵極驅(qū)
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泰克推出基于示波器的雙脈沖測試解決方案, 加快SiC和GaN技術(shù)驗(yàn)證速度
- 中國北京,2023年5月31日—— 全球領(lǐng)先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布,推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開關(guān)器件正推動(dòng)電動(dòng)汽車、太陽能、工控等領(lǐng)域快速發(fā)展,泰克WBG-DPT解決方案能夠?qū)捊麕骷ㄈ鏢iC和GaN MOSFETs)提供自動(dòng)可重復(fù)的、高精度測量功能。下一代功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師現(xiàn)在能夠利用WBG-DPT解決方案,滿懷信心地迅速優(yōu)化自己的設(shè)計(jì)。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運(yùn)行,并能夠無縫集成到示波器測量系統(tǒng)
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投身車電領(lǐng)域的入門課:IGBT和SiC功率模塊
- 2020 年初,疫情期間的封鎖政策并未對(duì)電動(dòng)汽車行業(yè)造成太大影響。2021 年,由于疫情期間人們對(duì)電動(dòng)汽車的需求上升,再加上全球各國政府紛紛采取激勵(lì)措施,電動(dòng)汽車充電站的需求量開始增加。在過去的三年里,電動(dòng)車領(lǐng)導(dǎo)品牌的銷量紛紛呈現(xiàn)巨幅成長的趨勢。 低成本、低排放汽車的不斷發(fā)展,將推動(dòng)整個(gè)亞太地區(qū)的電動(dòng)汽車市場實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步擴(kuò)張。同時(shí),不斷加碼的政府激勵(lì)措施和持續(xù)擴(kuò)張的高性能車市場也推動(dòng)著北美和歐洲地區(qū)電動(dòng)汽車市場的快速增長。因此,根據(jù)MarketsandMarkets 市調(diào)數(shù)據(jù)估計(jì),全球電動(dòng)汽車市場規(guī)模將從 2
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采用增強(qiáng)互連封裝技術(shù)的1200 V SiC MOSFET單管設(shè)計(jì)高能效焊機(jī)
- “引言”近年來,為了更好地實(shí)現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用,需要更多節(jié)能產(chǎn)品,因此,關(guān)于焊機(jī)能效的強(qiáng)制性規(guī)定應(yīng)運(yùn)而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴(kuò)散焊技術(shù)的TO-247封裝,其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計(jì)方法通過改良設(shè)計(jì)提高了能效和功率密度。?逆變焊機(jī)通常是通過功率模塊解決方案設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)更高輸出功率,從而幫助降低節(jié)能焊機(jī)的成本、重量和尺寸[1]。?在焊機(jī)行業(yè),諸如提高效率、降低成本和增強(qiáng)便攜性(即,縮小尺寸并減輕重量)等趨勢一直是促進(jìn)持續(xù)發(fā)展的推動(dòng)力。譬如,多
- 關(guān)鍵字: 增強(qiáng)互連封裝技術(shù) SiC MOSFET單管 焊機(jī)
目標(biāo) 2027 年占領(lǐng) 40% 的汽車 SiC 芯片市場,安森美半導(dǎo)體投資 20 億美元擴(kuò)建工廠
- IT之家 5 月 18 日消息,安森美半導(dǎo)體表示將投資 20 億美元,用于擴(kuò)展現(xiàn)有工廠,目標(biāo)在全球汽車碳化硅(SiC)芯片市場中,占據(jù) 40% 的份額。安森美半導(dǎo)體目前在安森美半導(dǎo)體美國、捷克共和國和韓國都設(shè)有工廠,其中韓國工廠已經(jīng)在生產(chǎn) SiC 芯片了。報(bào)道中并未提及安森美半導(dǎo)體具體會(huì)擴(kuò)建哪家工廠,安森美半導(dǎo)體計(jì)劃構(gòu)建完整產(chǎn)業(yè)鏈,實(shí)現(xiàn)從 SiC 粉末到成品的全流程自主控制。安森美半導(dǎo)體預(yù)估到 2027 年占領(lǐng)全球碳化硅汽車芯片市場 40% 的份額。專家還表示到 2027 年,安森美半導(dǎo)體的銷售
- 關(guān)鍵字: 汽車電子 安森美 SiC
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