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環(huán)旭電子預(yù)計(jì)2022量產(chǎn)電動(dòng)車用逆變器用IGBT與SiC電源模塊

搭配電動(dòng)車市場(chǎng)的快速成長，近年環(huán)旭電子（上海證券交易所股票代碼: 601231）開始布局切入功率半導(dǎo)體國際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測(cè)試，近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞，預(yù)計(jì)在2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Canalys的報(bào)告指出，2021年上半年全球電動(dòng)車銷量為260萬輛，與去年同期相比大幅成長160%，成長率遠(yuǎn)高于全球整體汽車市場(chǎng)的26%。電動(dòng)汽車市場(chǎng)成長帶動(dòng)關(guān)鍵功率半導(dǎo)體組件和模塊需求，其中第三代半導(dǎo)體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
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Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列

基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的專家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進(jìn)軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場(chǎng)。這對(duì)于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應(yīng)商N(yùn)experia而言是一項(xiàng)戰(zhàn)略性舉措，旨在擴(kuò)展高壓寬禁帶半導(dǎo)體器件產(chǎn)品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級(jí)器件，重復(fù)反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續(xù)正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用實(shí)現(xiàn)超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列
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Qorvo?收購領(lǐng)先的碳化硅功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?,Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今天宣布，已收購位于新澤西州普林斯頓領(lǐng)先碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司。對(duì)UnitedSiC的收購擴(kuò)大了Qorvo在快速增長的電動(dòng)汽車（EV）、工業(yè)電源、電路保護(hù)、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源市場(chǎng)的影響力。UnitedSiC公司將成為Qorvo基礎(chǔ)設(shè)施和國防產(chǎn)品（IDP）業(yè)務(wù)之一，將由Chris Dries博士領(lǐng)導(dǎo)，他曾是UnitedSiC公司的總裁兼首席執(zhí)行官，現(xiàn)任Qorv
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恩智浦利用信號(hào)質(zhì)量提升技術(shù)解決CAN FD帶寬限制難題

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布其CAN信號(hào)質(zhì)量提升（SIC）技術(shù)已用于TJA146x收發(fā)器系列中，并已經(jīng)成功應(yīng)用到長安汽車最新的平臺(tái)中。恩智浦的CAN SIC技術(shù)有效提升了CAN信號(hào)質(zhì)量，使CAN FD網(wǎng)絡(luò)能夠在更大型復(fù)雜網(wǎng)絡(luò)中運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速率。這項(xiàng)經(jīng)濟(jì)高效的技術(shù)能夠擴(kuò)展CAN FD的潛力和靈活性，從而應(yīng)對(duì)下一代汽車的網(wǎng)絡(luò)挑戰(zhàn)。中國汽車制造商長安汽車是第一家在生產(chǎn)中采用恩智浦的CAN SIC技術(shù)的汽車客戶?！? ?長安汽車成為第一家采
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碳化硅在新能源汽車中的應(yīng)用現(xiàn)狀與導(dǎo)入路徑

碳化硅具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn)，可以很好地滿足新能源汽車電動(dòng)化發(fā)展趨勢(shì)，引領(lǐng)和加速了汽車電動(dòng)化進(jìn)程，對(duì)新能源汽車發(fā)展具有重要意義。我國新能源汽車正處于市場(chǎng)導(dǎo)入期到產(chǎn)業(yè)成長期過渡的關(guān)鍵階段，汽車產(chǎn)銷量、保有量連續(xù)6年居世界首位，在全球產(chǎn)業(yè)體系當(dāng)中占了舉足輕重的地位。新能源汽車產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，極大地推動(dòng)了碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術(shù)創(chuàng)新，為碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)驗(yàn)證和更新迭代提供了大量數(shù)據(jù)樣本。
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碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰是寬禁帶(WBG)材料的未來？

以GaN和SiC為代表第三代半導(dǎo)體正處于高速發(fā)展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導(dǎo)體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規(guī)模應(yīng)用。但不可否認(rèn)，第三代半導(dǎo)體確實(shí)具有更多的性能優(yōu)勢(shì)。
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意法半導(dǎo)體收購Norstel AB 強(qiáng)化碳化硅產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈

近年隨著電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)崛起，碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求激增，吸引產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注，國際間碳化硅(SiC)晶圓的開發(fā)驅(qū)使SiC爭(zhēng)奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。與硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap，Eg)的半導(dǎo)體；再者，碳化硅具有更高的擊穿電場(chǎng) (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率組件應(yīng)用之電子電路的材料，因?yàn)橛锰蓟柚瞥傻男酒词购穸认鄬?duì)小也能夠經(jīng)受得起相對(duì)高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(chǎng)(Ec)和電
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鄭有炓院士：第三代半導(dǎo)體迎來新發(fā)展機(jī)遇

半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)的核心基礎(chǔ)材料，一代材料、一代技術(shù)、一代產(chǎn)業(yè)，半個(gè)多世紀(jì)來從基礎(chǔ)技術(shù)層面支撐了信息技術(shù)翻天覆地的變化，推動(dòng)了電子信息科技產(chǎn)業(yè)可持續(xù)蓬勃發(fā)展。同樣地，信息技術(shù)和電子信息科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求又驅(qū)動(dòng)了半導(dǎo)體材料與技術(shù)的發(fā)展。第三代半導(dǎo)體材料及其應(yīng)用第三代半導(dǎo)體是指以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，它是繼20世紀(jì)50年代以Ge、Si為代表的第一代半導(dǎo)體和70年代以GaAs、InP為代表的第二代半導(dǎo)體之后于90年代發(fā)展起來的新型寬禁帶半導(dǎo)體材料，即禁帶寬度明顯大于Si（1.12 eV）和Ga
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汽車電氣化的部分關(guān)鍵技術(shù)及ST的解決方案

1? ?汽車電氣化的趨勢(shì)和挑戰(zhàn)汽車市場(chǎng)中與電氣化相關(guān)的應(yīng)用是減少交通碳排放影響的關(guān)鍵因素。中國領(lǐng)導(dǎo)人在2020年9 月提出中國要在2030年碳達(dá)峰，2060 年實(shí)現(xiàn)碳中和的目標(biāo)。為了實(shí)現(xiàn)碳中和，減少能源使用中的碳排放是其中的重要一環(huán)。電能是清潔、高效的能源品種，用電能作為主要的能源消耗可以大幅減少碳排放。同時(shí)也要發(fā)展低排放的清潔能源作為主要發(fā)電的能源。中國交通運(yùn)輸行業(yè)碳排放占比達(dá)10%，而公路運(yùn)輸占其中的74%，主要來自燃油車的排放。因此，發(fā)展電動(dòng)汽車并逐漸從燃油車過渡到電動(dòng)汽車對(duì)減少
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清潔安全的汽車將由功能電子化和自動(dòng)駕駛賦能

未來的汽車將是清潔和安全的汽車，由先進(jìn)的汽車功能電子化和自動(dòng)駕駛技術(shù)賦能。安森美半導(dǎo)體汽車戰(zhàn)略及業(yè)務(wù)拓展副總裁 Joseph Notaro1? ?功率器件賦能電動(dòng)汽車電動(dòng)車可幫助實(shí)現(xiàn)零排放，其市場(chǎng)發(fā)展是令人興奮和充滿生機(jī)的，隨著電動(dòng)車銷售不斷增長，必須推出滿足駕駛員需求的基礎(chǔ)設(shè)施，以提供一個(gè)快速充電站網(wǎng)絡(luò)，使他們能夠快速完成行程，而沒有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展，需要超過350 kW 的功率水平和95% 的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點(diǎn)，緊湊
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安森美半導(dǎo)體：為關(guān)鍵應(yīng)用推出系列綠色解決方案

1? ?關(guān)注關(guān)鍵應(yīng)用的節(jié)能減排安森美半導(dǎo)體提供所有應(yīng)用的電力電子解決方案，也專注于一些關(guān)鍵應(yīng)用，包括能源基礎(chǔ)設(shè)施（太陽能轉(zhuǎn)換、儲(chǔ)能、電動(dòng)車充電站/ 樁）、工業(yè)、云計(jì)算和5G 基礎(chǔ)設(shè)施。這些市場(chǎng)都有其獨(dú)特的技術(shù)挑戰(zhàn)。這些挑戰(zhàn)由相同因素的不同組合驅(qū)動(dòng)：提高能效、減小尺寸和質(zhì)量以及優(yōu)化系統(tǒng)成本或擁有成本。例如太陽能轉(zhuǎn)換，從集中式逆變器到組串式逆變器的轉(zhuǎn)變消除了逆變器的單點(diǎn)故障風(fēng)險(xiǎn)。如果一個(gè)組串式逆變器停止工作，仍可用其他組串來發(fā)電。它還有個(gè)額外的好處，就是能對(duì)較少量的面板進(jìn)行最大功率點(diǎn)追蹤。
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采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級(jí)的能效

圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉(zhuǎn)換器的效率，但是主流半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數(shù)千瓦電壓下實(shí)現(xiàn)99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設(shè)計(jì)師必須竭力滿足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進(jìn)行權(quán)衡取舍，一個(gè)好例子是既要求達(dá)到服務(wù)器電源的“鈦”標(biāo)準(zhǔn)等能效目標(biāo)，又要用功率因素校正（PFC）將線路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網(wǎng)可靠高效地運(yùn)行。在大部分情況下，會(huì)通過升壓轉(zhuǎn)換器部分實(shí)施PFC，升壓轉(zhuǎn)換器會(huì)將整流后
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SiC大戰(zhàn)拉開帷幕，中國勝算幾何

近些年，隨著電動(dòng)汽車以及其他系統(tǒng)的增長，碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正在經(jīng)歷需求的突然激增，因此也吸引了產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注。在產(chǎn)業(yè)應(yīng)用進(jìn)一步成熟的趨勢(shì)下，SiC的爭(zhēng)奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。碳化硅材料之殤SiC器件成本高的一大原因就是SiC襯底貴，目前，襯底成本大約是加工晶片的50%，外延片是25%，器件晶圓生產(chǎn)環(huán)節(jié)20%，封裝測(cè)試環(huán)節(jié)5%。SiC襯底不止貴，生產(chǎn)工藝還復(fù)雜，與硅相比，碳化硅很難處理、研磨和鋸切，挑戰(zhàn)非常大。所以大多數(shù)企業(yè)都是從Cree、Rohm等供應(yīng)商購買襯底。SiC器件廣泛用于光伏逆變器、工
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晶體管分類有哪些？收藏這一張圖就夠了！

本文來自公眾號(hào)：8號(hào)線攻城獅，主要介紹了晶體管分類，并以NPN BJT為例，分析了晶體管的參數(shù)和特性。
關(guān)鍵字：晶體管 NPN PNP MOSFET JFET

功率半導(dǎo)體－馬達(dá)變頻器內(nèi)的關(guān)鍵組件

全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的馬達(dá)，而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預(yù)期到 2040 年將成長一倍。隨著對(duì)能源成本和資源有限的意識(shí)不斷提高，未來提升驅(qū)動(dòng)馬達(dá)用電效率的需求將會(huì)越來越顯著。
關(guān)鍵字： IGBT7 SiC MOSFET 馬達(dá)變頻器功率半導(dǎo)體英飛凌