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          羅姆SiC評估板測評:基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術(shù)研究

          • 感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評估板,有幸參與評估板的測試。拿到評估板的第一感覺就是扎實,評估板四層PCB的板子厚度達到了30mm;高壓區(qū)域也有明顯的標識。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

          SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)解析

          • 本文將對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進行介紹。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  

          碳化硅MOSFET晶體管的特征

          • 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化,一直在進行各種改良。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  

          SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

          • 本文對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進行說明。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  SBD  

          SiC-SBD與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較

          • 反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù),所以不僅要比較trr的數(shù)值,還要理解其波形和溫度特性,這樣有助于有效使用二極管。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  SBD  

          SiC肖特基勢壘二極管的特征,及與Si二極管的比較

          • 繼SiC功率元器件的概述之后,將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  SiC  SBD  肖基特二極管  

          SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

          • SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  

          什么是碳化硅?SiC的特性和特征

          • 碳化硅(SiC)是比較新的半導(dǎo)體材料。本文來了解一下它的物理特性和特征。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  

          ST先進SiC牽引電機逆變器解決方案

          • 意法半導(dǎo)體(ST)作為全球領(lǐng)先的汽車半導(dǎo)體供應(yīng)商之一,多年前就開始布局新能源汽車領(lǐng)域,在2019年正式成立新能源車技術(shù)創(chuàng)新中心,推出了SiC牽引電機逆變器的整體解決方案。該方案按照功能安全IS026262標準流程開發(fā),滿足ASIL D等級?;贏utoSAR的軟件架構(gòu)和模型化的軟件算法,為客戶前期方案評估和后續(xù)開發(fā)提供了便利,大大縮短了整個研發(fā)周期。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  牽引逆變器  

          ST第三代碳化硅技術(shù)問世 瞄準汽車與工業(yè)市場應(yīng)用

          • 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI說明,從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長,我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實現(xiàn)這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標。?圖二圖三顯示的是一些關(guān)于如何利用電力科技實現(xiàn)各種節(jié)能目標的具體數(shù)據(jù),圖中是對全球電力消耗狀況的統(tǒng)計。僅就工業(yè)領(lǐng)域來說,如果能將電力利用效率提升1%,
          • 關(guān)鍵字: ST  碳化硅  汽車  工業(yè)  SiC  

          ST:發(fā)展碳化硅技術(shù) 關(guān)鍵在掌控整套產(chǎn)業(yè)鏈

          • 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI指出,由于全球能源需求正在不斷成長,我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實現(xiàn)這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標。 意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領(lǐng)域來說,如果能將電力利用效率提升1%,就能節(jié)省95.
          • 關(guān)鍵字: ST  GaN  SiC  

          非互補有源鉗位可實現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計

          • 離線反激式電源在變壓器初級側(cè)需要有鉗位電路(有時稱為緩沖器),以在正常工作期間功率MOSFET開關(guān)關(guān)斷時限制其兩端的漏源極電壓應(yīng)力。設(shè)計鉗位電路時可以采用不同的方法。低成本的無源網(wǎng)絡(luò)可以有效地實現(xiàn)電壓鉗位,但在每個開關(guān)周期必須耗散鉗位能量,這會降低效率。一種改進的方法就是對鉗位和功率開關(guān)采用互補驅(qū)動的有源鉗位技術(shù),使得能效得以提高,但它們會對電源的工作模式帶來限制(例如,無法工作于CCM工作模式)。為了克服互補有源鉗位電路所帶來的設(shè)計限制,可以采用另外一種更先進的控制技術(shù),即非互補有源鉗位。該技術(shù)可確保以
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          擴展新應(yīng)用領(lǐng)域,PI推出首款汽車級開關(guān)電源IC

          •   2022年2月15日,Power Integrations召開新品發(fā)布會,推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關(guān)IC——InnoSwitch3-AQ 1700V。新產(chǎn)品是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級開關(guān)MOSFET的汽車級開關(guān)電源IC,可提供高達70W的輸出功率,主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車,以及電動巴士、卡車和各種工業(yè)電源應(yīng)用。在ACDC消費類應(yīng)用中積累了深厚經(jīng)驗的Power Integrations,此次將目光聚焦到電動汽車領(lǐng)域的ACDC應(yīng)用上
          • 關(guān)鍵字: PI  MOSFET  電動汽車  ACDC  開關(guān)電源  

          英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET

          • 高功率密度、出色的性能和易用性是當前電源系統(tǒng)設(shè)計的關(guān)鍵要求。為此,英飛凌科技股份公司近日推出了新一代OptiMOS? 源極底置(Source-Down,簡稱SD)功率MOSFET,為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。該功率MOSFET采用PQFN 封裝,尺寸為3.3 x 3.3 mm2,支持從25 V到100 V的寬電壓范圍。此種封裝可實現(xiàn)更高的效率、更高的功率密度以及業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標,并降低BOM成本,在功率MOSFET的性能方面樹立了新的行業(yè)標桿。該器件的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛,涵蓋電機驅(qū)
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          Power Integrations推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關(guān)IC

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