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sic mosfet 文章 進(jìn)入sic mosfet技術(shù)社區(qū)
Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能達(dá)到業(yè)內(nèi)最佳水平
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導(dǎo)通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %,為通信、工業(yè)和企業(yè)級(jí)電源應(yīng)用提供高效解決方案,同時(shí),柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積在同類(lèi)器件中達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平,該參數(shù)是600 V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的關(guān)鍵指標(biāo) (FOM)?! ishay
- 關(guān)鍵字: Vishay MOSFET
穩(wěn)健的汽車(chē)40V 功率MOSFET提高汽車(chē)安全性
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- Filippo, Scrimizzi, 意法半導(dǎo)體, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com Giuseppe, Longo, 意法半導(dǎo)體, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com Giusy, Gambino, 意法半導(dǎo)體s, 意大利, giusy.gambino@st.com 摘要 意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿(mǎn)足EPS (電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車(chē)制動(dòng)系統(tǒng)) 等汽車(chē)安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 MOSFET
Vishay業(yè)界領(lǐng)先車(chē)規(guī)產(chǎn)品將在2019 Automotive World日本展上悉數(shù)亮相
- 2019年1月11日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,將在1月16日-18日于東京有明國(guó)際展覽中心舉行的2019 Automotive World日本國(guó)際汽車(chē)展上,展示其全面豐富的車(chē)規(guī)產(chǎn)品。Vishay展位設(shè)在東5號(hào)館E47-40,以“Think Automotive, Think Vishay”為主題展示各種車(chē)規(guī)產(chǎn)品,包括符合并優(yōu)于AECQ認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的電容器、電阻器、電感器、二極管、MOSFET和光電產(chǎn)品?! ishay亞
- 關(guān)鍵字: Vishay 轉(zhuǎn)換器 MOSFET
第三代半導(dǎo)體又有新成員?氧化鎵有什么優(yōu)點(diǎn)?
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- 目前,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來(lái)越高,它們?cè)谖磥?lái)的大功率、高溫、高壓應(yīng)用場(chǎng)合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的作用。特別是在未來(lái)三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車(chē)、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車(chē)方面,會(huì)有非常廣闊的發(fā)展前景?! ∪欢?,SiC和GaN并不是終點(diǎn),最近,氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野,憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶,該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。因此,近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來(lái)。 實(shí)際上,氧化鎵并不是很新的技術(shù),多年前就
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 SiC GaN
北汽新能源聯(lián)手羅姆半導(dǎo)體,推動(dòng)SiC產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)
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- 11月30日,北汽新能源(北汽藍(lán)谷 600733)與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)合作成立SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。北汽新能源執(zhí)行副總經(jīng)理陳上華與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)董事末永良明現(xiàn)場(chǎng)簽署了合作協(xié)議書(shū),并共同為SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合試驗(yàn)室揭牌?! ≡撀?lián)合實(shí)驗(yàn)室的成立,是北汽新能源在新能源汽車(chē)領(lǐng)域不斷加強(qiáng)自主技術(shù)實(shí)力的重要舉措,聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室成立后,北汽新能源將可以與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)共同深入到碳化硅等新技術(shù)的預(yù)研中,并圍繞碳化硅的新產(chǎn)品進(jìn)行全面合作開(kāi)發(fā)?! 〗陙?lái),以SiC為代表的第三代功率半導(dǎo)體材料,已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在新能源
- 關(guān)鍵字: 北汽新能源 羅姆半導(dǎo)體 SiC
意法半導(dǎo)體高效超結(jié)MOSFET瞄準(zhǔn)節(jié)能型功率轉(zhuǎn)換拓?fù)?/a>
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- 意法半導(dǎo)體推出MDmesh?系列600V超結(jié)晶體管,該產(chǎn)品針對(duì)提高中等功率諧振軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器拓?fù)淠苄ФO(shè)計(jì)?! ♂槍?duì)軟開(kāi)關(guān)技術(shù)優(yōu)化的閾值電壓使新型晶體管非常適用于節(jié)能應(yīng)用中的LLC諧振轉(zhuǎn)換器和升壓PFC轉(zhuǎn)換器。電容電壓曲線(xiàn)有助于提高輕載能效,最低16 nC的柵極電荷量(Qg)可實(shí)現(xiàn)高開(kāi)關(guān)頻率,這兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)讓MDmesh M6器件在硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中也有良好的能效表現(xiàn)?! 〈送?,意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的M6超結(jié)技術(shù)將RDS(ON)電阻降至0.036?,有助于電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 MOSFET
使用SiC技術(shù)攻克汽車(chē)挑戰(zhàn)
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- 摘要 – 在未來(lái)幾年投入使用SiC技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)汽車(chē)電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項(xiàng)目所要達(dá)到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項(xiàng)目提供資金支持,實(shí)現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會(huì)影響的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的研發(fā)活動(dòng)。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牽頭,20個(gè)項(xiàng)目合作方將在技術(shù)研究、制造工藝、封裝測(cè)試和應(yīng)用方面展開(kāi)為期36個(gè)月的開(kāi)發(fā)合作。本文將討論本項(xiàng)目中與汽車(chē)相關(guān)的內(nèi)容,重點(diǎn)介紹有關(guān)SiC技術(shù)和封
- 關(guān)鍵字: SiC WInSiC4AP
ROHM推出1700V 250A全SiC功率模塊
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- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向以戶(hù)外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測(cè)試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器,開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù)) 近年來(lái),由于SiC產(chǎn)品的節(jié)能效果優(yōu)異,以1200V耐壓為主的SiC產(chǎn)品在汽車(chē)和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。隨著各種應(yīng)用的多功能化和高性能化發(fā)展,系統(tǒng)呈高電壓化發(fā)展趨勢(shì),1700V耐壓產(chǎn)品的需求日益旺盛。然而,受
- 關(guān)鍵字: ROHM SiC
“2018 ROHM科技展”:走進(jìn)智能“芯”生活!
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- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆將于2018年11月29日(周四)在深圳圣淘沙酒店翡翠店舉辦為期一天的“2018 ROHM科技展”。屆時(shí),將以“羅姆對(duì)智能生活的貢獻(xiàn)”為主題,展示羅姆在汽車(chē)電子和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品與解決方案,以及模擬技術(shù)和功率元器件等技術(shù)亮點(diǎn)。同時(shí),將圍繞汽車(chē)電子、SiC(碳化硅)功率元器件、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC/DC轉(zhuǎn)換器技術(shù)、傳感器技術(shù)以及旗下藍(lán)碧石半導(dǎo)體的先進(jìn)技術(shù)等主題,由羅姆的工程師帶來(lái)六場(chǎng)技術(shù)專(zhuān)題講座。期待您蒞臨“2018 ROHM科技展”現(xiàn)場(chǎng),與羅姆的技術(shù)專(zhuān)家進(jìn)行面對(duì)面的交流和切磋
- 關(guān)鍵字: ROHM SiC
基本半導(dǎo)體成功主辦第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇
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- 10月24日,由青銅劍科技、基本半導(dǎo)體、中歐創(chuàng)新中心聯(lián)合主辦的第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在深圳會(huì)展中心成功舉行?! ”緦酶叻逭搲偷谌雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟達(dá)成戰(zhàn)略合作,與第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇同期舉行,來(lái)自中國(guó)、歐洲及其他國(guó)家的專(zhuān)家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖同臺(tái)論劍,給現(xiàn)場(chǎng)觀(guān)眾帶來(lái)了一場(chǎng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的盛宴?! ×⒆銍?guó)際產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢(shì),從全球視角全面探討第三代半導(dǎo)體發(fā)展的現(xiàn)狀與趨勢(shì)、面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn),以及面向未來(lái)的戰(zhàn)略與思考是中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇舉辦的宗旨。目
- 關(guān)鍵字: 基本半導(dǎo)體 3D SiC JBS二極管 4H 碳化硅PIN二極管 第三代半導(dǎo)體 中歐論壇
SiC和GaN系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師不再迷茫
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- SiC和GaN MOSFET技術(shù)的出現(xiàn),正推動(dòng)著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。這些新材料把整個(gè)電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提高了多個(gè)百分點(diǎn),而這在幾年前是不可想象的?! ≡诂F(xiàn)實(shí)世界中,沒(méi)有理想的開(kāi)關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開(kāi)關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn),既能實(shí)現(xiàn)低開(kāi)關(guān)損耗,又能處理超高速率dv/dt轉(zhuǎn)換,并支持超快速開(kāi)關(guān)頻率,使得這些新技術(shù)既成就了DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)工程師的美夢(mèng),但同時(shí)也變成了他們的惡夢(mèng)?! ”热缫幻O(shè)計(jì)工程師正在開(kāi)發(fā)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如逆變器或馬達(dá)驅(qū)動(dòng)控制器,或者正在設(shè)
- 關(guān)鍵字: SiC GaN
高功率單片式 Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器 滿(mǎn)足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并適合狹小的安放空間
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- 隨著汽車(chē)中電子系統(tǒng)數(shù)量的成倍增加,車(chē)內(nèi)產(chǎn)生電磁干擾的風(fēng)險(xiǎn)也大幅升高了。因此,新式車(chē)輛中的電子產(chǎn)品常常必須符合 CISPR 25 Class 5 EMI 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),該標(biāo)準(zhǔn)對(duì)傳導(dǎo)型和輻射型 EMI 發(fā)射做了嚴(yán)格的限制。由于其本身的性質(zhì),開(kāi)關(guān)電源充斥著 EMI,并在整個(gè)汽車(chē)中“彌漫擴(kuò)散”。如今,低 EMI 與小的解決方案尺寸、高效率、散熱能力、堅(jiān)固性和易用性一起,成為了對(duì)汽車(chē)電源的一項(xiàng)關(guān)鍵要求。Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器系列可滿(mǎn)足汽車(chē)制造商嚴(yán)格的 EMI 要求,同時(shí)擁有緊湊的尺寸以及集成化
- 關(guān)鍵字: MOSFET,LT8650S
Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開(kāi)關(guān)電源IC
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- 深耕于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線(xiàn)式開(kāi)關(guān)電源IC。新IC的功率更大,適合設(shè)計(jì)8W以?xún)?nèi)的高效率隔離及非隔離反激式電源應(yīng)用,適用于高達(dá)480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專(zhuān)供電網(wǎng)不穩(wěn)定地區(qū)、時(shí)常遭受雷擊的熱帶地區(qū)或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區(qū)的高質(zhì)量消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源設(shè)計(jì)?! ?00V版LinkSwitch-XT2 IC產(chǎn)品系列可提供高效率,使電源設(shè)計(jì)輕松滿(mǎn)足能源相關(guān)產(chǎn)品(ErP
- 關(guān)鍵字: Power Integrations MOSFET
Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開(kāi)關(guān)電源IC
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- 深耕于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線(xiàn)式開(kāi)關(guān)電源IC。新IC的功率更大,適合設(shè)計(jì)8W以?xún)?nèi)的高效率隔離及非隔離反激式電源應(yīng)用,適用于高達(dá)480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專(zhuān)供電網(wǎng)不穩(wěn)定地區(qū)、時(shí)常遭受雷擊的熱帶地區(qū)或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區(qū)的高質(zhì)量消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源設(shè)計(jì)?! ?00V版LinkSwitch-XT2 IC產(chǎn)品系列可提供高效率,使電源設(shè)計(jì)輕松滿(mǎn)足能源相關(guān)產(chǎn)品(ErP
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