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飛兆與英飛凌就創(chuàng)新型汽車(chē)無(wú)鉛封裝技術(shù)達(dá)成協(xié)議

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飛凌的H-PSOF (帶散熱片的小外形扁平引腳塑料封裝) 先進(jìn)汽車(chē)MOSFET封裝技術(shù)達(dá)成許可協(xié)議。H-PSOF是符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO無(wú)鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299)。
關(guān)鍵字：飛兆英飛凌 MOSFET

英飛凌科技(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)推出全新650V CoolMOS CFDA，壯大其車(chē)用功率半導(dǎo)體產(chǎn)品陣容。這是業(yè)界首個(gè)配備集成式快速體二極管的超結(jié)MOSFET解決方案，可滿(mǎn)足最高汽車(chē)質(zhì)量認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101。650V CoolMOS CFDA尤其適用于混合動(dòng)力汽車(chē)和純電動(dòng)汽車(chē)的電池充電、直流/直流轉(zhuǎn)換器和HID(高強(qiáng)度放電)照明等諧振拓?fù)洹?/li>
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET

DC/DC開(kāi)關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以?xún)?nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種
關(guān)鍵字： MOSFET 選擇控制器開(kāi)關(guān) 系統(tǒng) 電源

引言對(duì)于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng)，更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點(diǎn)，因?yàn)樾⌒透咝У碾娫聪到y(tǒng)意味著...
關(guān)鍵字： Power Trench MOSFET

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與飛兆半導(dǎo)體公司(NYSE: FCS)近日宣布簽署英飛凌先進(jìn)汽車(chē)級(jí)MOSFET封裝工藝H-PSOF(帶散熱盤(pán)的塑料小外形扁平引腳封裝)——符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO-Leadless封裝(MO-299)——的許可協(xié)議。
關(guān)鍵字：英飛凌飛兆 MOSFET

電路熱插拔控制的目的是為了在一塊正在工作的電路板上添加或“插入”一塊未通電的電路板，不會(huì)中斷原電路板正在進(jìn)行的工作狀態(tài)，并且同時(shí)啟動(dòng)添加到系統(tǒng)中的那塊電路板的有序上電。主要目的是為了當(dāng)電流轉(zhuǎn)入一塊插入到“正在工作”或帶電的背板或其他電路的電路板時(shí)，保護(hù)MOSFET器件。
關(guān)鍵字：熱插拔 MOSFET

采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號(hào)采集,人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們?cè)O(shè)想開(kāi)發(fā)無(wú)線(xiàn)腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來(lái)診斷癲癇病人，可穿戴的無(wú)線(xiàn)EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過(guò)因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無(wú)線(xiàn)EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體積
關(guān)鍵字： IMEC SiC 生物電信號(hào)采集

在同步降壓電源應(yīng)用中,降低MOSFET導(dǎo)通電阻對(duì)同步整流器而言十分關(guān)鍵,因?yàn)槎鄶?shù)情況下,快速恢復(fù)式整流電...
關(guān)鍵字： MOSFET 門(mén)極驅(qū)動(dòng) 電壓優(yōu)化

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開(kāi)始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)構(gòu)成。
關(guān)鍵字：羅姆半導(dǎo)體 SiC

MOSFET的開(kāi)關(guān)軌跡線(xiàn)是判斷MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程“軟硬”程度的重要評(píng)估指標(biāo)，MOSFET的軟硬程度對(duì)于開(kāi)關(guān)電源的性能、...
關(guān)鍵字： TDS3000 示波器 MOSFET

　　據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IMS Research的最新報(bào)告顯示，2016年，LED照明應(yīng)用領(lǐng)域的全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將超過(guò)30億美元。　　報(bào)告認(rèn)為，隨著更高效照明需求的增長(zhǎng)以及淘汰白熾燈的法令的頒布，LED照明市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，這將催生一個(gè)巨大的大功率LED潛在市場(chǎng)，到2016年，大功率LED出貨量將達(dá)190億個(gè)，總值超過(guò)30億美元。　　LED照明是大功率LED市場(chǎng)發(fā)展的最大機(jī)遇，到2016年將可帶動(dòng)20億美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)。市面上具有各種不同的電子設(shè)計(jì)、要求和規(guī)格的LED燈的產(chǎn)品范圍越來(lái)越廣，這也給大
關(guān)鍵字： LED照明 MOSFET

摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能，文中一一有分解說(shuō)明。
關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個(gè)PIN腳功能(上接第1
關(guān)鍵字：控制器 -LM5046 全橋移驅(qū)動(dòng)器 MOSFET 集成

1引言開(kāi)關(guān)電源中大功率器件驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)一向是電源領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)之一。普通大功率三極管和絕緣柵功...
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng) 光電耦合器脈沖變壓器

由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)，SiC功率器件被廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力車(chē)中的逆變器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路等領(lǐng)域、傳統(tǒng)工業(yè)(尤其是軍工)中的功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域以及太陽(yáng)能、風(fēng)能等新能源中的整流、逆變等領(lǐng)域，很多半導(dǎo)體廠(chǎng)商都看好SiC技術(shù)的未來(lái)，并積極投身其中，在08年收購(gòu)生產(chǎn)SiC晶圓的德國(guó)SiCrystal公司之后，羅姆半導(dǎo)體(ROHM)已經(jīng)在SiC領(lǐng)域形成了從晶圓制造、前期工序、后期工序再到功率模塊的一條龍生產(chǎn)體系，并率先市場(chǎng)SiC器件的量產(chǎn)，羅姆要將SiC器件應(yīng)用于哪些新興領(lǐng)域?如何發(fā)揮其
關(guān)鍵字：羅姆太陽(yáng)能 SiC