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第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入
- 離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂?。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。SiC的雜質(zhì)原子擴散系數(shù)非常小，因此無法利用熱擴散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結(jié)構(gòu)（形成pn結(jié)）。因此，SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術(shù)：在SiC中進行離子注入時，對于n型區(qū)域通常使用氮（N）或磷（P），這是容易低電阻化的施主元素，而對于p型區(qū)域則通常使用鋁（Al）作為受主元素。另外，用于Al離子注入的原料通常是固體，要穩(wěn)定地進行高濃度的Al離子注入，需
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Vishay新款150V MOSFET具備業(yè)界領(lǐng)先的功率損耗性能
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK? SO-8S（QFN 6x5）封裝的全新150 V TrenchFET? Gen V N溝道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工業(yè)和計算應(yīng)用領(lǐng)域的效率和功率密度。與上一代采用PowerPAK SO-8封裝的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的總導(dǎo)通電阻降低了68.3 %，導(dǎo)通電阻和柵極電荷乘積（功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)（FOM）降低了1
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意法半導(dǎo)體先進的電隔離柵極驅(qū)動器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能
- 意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。STGAP3S 在柵極驅(qū)動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達(dá)到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術(shù)，STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動化、家電等工業(yè)電機驅(qū)動裝置的可靠性。新驅(qū)動器還適合電源和能源應(yīng)用，包括充電站、儲能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正 (PFC)、
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東芝推出具有低導(dǎo)通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性。X5M007E120現(xiàn)已開始提供測試樣品，供客戶評估。當(dāng)?shù)湫蚐iC MOSFET的體二極管在反向傳導(dǎo)操作[3]期間雙極通電時，其可靠性會因?qū)娮柙黾佣档?。東芝SiC MOSFET通過在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結(jié)構(gòu)來緩解上述問題，但如若將SBD布置在芯片上
- 關(guān)鍵字： 東芝 低導(dǎo)通電阻 牽引逆變器 SiC MOSFET
業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態(tài)抑制二極管系列
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態(tài)抑制二極管，這是市場上首款非對稱瞬態(tài)抑制解決方案，專為保護碳化硅（SiC）MOSFET柵極免受過壓事件影響而設(shè)計。與傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的開關(guān)速度更快、效率更高，因此越來越受到歡迎，對穩(wěn)健柵極保護的需求也越來越大。SMFA非對稱系列提供了一種創(chuàng)新的單元件解決方案，在簡化設(shè)計的同時顯著提高了電路的可靠性。SMFA非對稱系列是市場
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全球有多少個8英寸碳化硅晶圓廠？
- 全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圓廠布局。
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利用SiC模塊進行電動壓縮機設(shè)計要點
- 壓縮機是汽車空調(diào)的一部分，它通過將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體，再流經(jīng)冷凝器，節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱，實現(xiàn)車內(nèi)外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車以發(fā)動機為動力，通過皮帶帶動壓縮機轉(zhuǎn)動。而新能源汽車脫離了發(fā)動機，以電池為動力，通過逆變電路驅(qū)動無刷直流電機，從而帶動壓縮機轉(zhuǎn)動，實現(xiàn)空調(diào)的冷熱交換功能。電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件，除了可以提高車廂內(nèi)的環(huán)境舒適度（制冷，制熱）以外，對電驅(qū)動系統(tǒng)的溫度控制發(fā)揮著重要作用，對電池的使用壽命、充電速度和續(xù)航里程都至關(guān)重要。圖1.電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件電動壓縮機需
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意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問世！為下一代電動汽車電驅(qū)逆變器量身定制
- 意法半導(dǎo)體（簡稱ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標(biāo)桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，意法半導(dǎo)體還針對電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計劃在2027年前推出更多先進的SiC技術(shù)創(chuàng)新成果，履行創(chuàng)新承諾。意法半導(dǎo)體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導(dǎo)體承諾為市場提供尖端的碳化硅技術(shù)，推動電動汽車和高能效工業(yè)的未來發(fā)展。我們將繼續(xù)在器
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東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員，其將助力工業(yè)電源設(shè)備實現(xiàn)高效率
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品，為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關(guān)電源等工業(yè)設(shè)備降低功耗。東芝現(xiàn)已開始提供該系列的十款新產(chǎn)品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品，其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進型結(jié)勢壘肖特基（JBS）結(jié)構(gòu)[1]。在結(jié)勢壘中使用新型金屬，有
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【測試案例分享】 如何評估熱載流子引導(dǎo)的MOSFET衰退
- 隨著MOSFET柵極長度的減小，熱載流子誘發(fā)的退化已成為重要的可靠性問題之一。在熱載流子效應(yīng)中，載流子被通道電場加速并被困在氧化物中。這些被捕獲的電荷會引起測量器件參數(shù)的時間相關(guān)位移，例如閾值電壓?(VTH)、跨導(dǎo) (GM)以及線性 (IDLIN) 和飽和 (IDSAT) 漏極電流。隨著時間的推移，可能會發(fā)生實質(zhì)性的器件參數(shù)退化，從而導(dǎo)致器件失效。用于測量HCI的儀器必須提供以下三個關(guān)鍵功能：自動提取設(shè)備參數(shù)創(chuàng)建具有各種應(yīng)力時間的應(yīng)力測量序列輕松導(dǎo)出測量數(shù)據(jù)進行高級分析本文說明描述了如何在Kei
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Littelfuse推出高頻應(yīng)用的IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動器
- 芝加哥，2024年9月19日--Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司榮幸地宣布推出IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動器。這些柵極驅(qū)動器專為驅(qū)動MOSFET而設(shè)計，通過增加其余兩個邏輯輸入版本完善了現(xiàn)有的IX434x驅(qū)動器系列。IX434x系列現(xiàn)在包括雙路同相、雙路反相以及同相和反相輸入版本，為客戶提供了全面的選擇。IX4341和IX4342驅(qū)動器具有16納秒的短傳播延遲時間和7納秒的短暫
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第4講：SiC的物理特性
- 與Si材料相比，SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯，比如擊穿電場強度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細(xì)了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強度，可實現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢。此外，由
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