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TrendForce：估今年車用SiC功率組件市場(chǎng)破10億

為進(jìn)一步提升電動(dòng)車動(dòng)力性能，全球各大車企已將目光鎖定在新一代SiC（碳化硅）功率組件，并陸續(xù)推出了多款搭載相應(yīng)產(chǎn)品的高性能車型。依TrendForce研究，隨著越來越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù)，預(yù)估2022年車用SiC功率組件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到10.7億美元，2026年將攀升至39.4 億美元。隨著越來越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù)，預(yù)估2022年車用SiC功率組件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到10.7億美元。TrendForce指出，目前車用SiC功率組件市場(chǎng)主要由歐美IDM大廠掌控，關(guān)鍵供貨
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ROHM SiC技術(shù)助力SEMIKRON功率模塊打造次世代電動(dòng)車

SEMIKRON和半導(dǎo)體制造商ROHM在開發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運(yùn)用于SEMIKRON車規(guī)級(jí)功率模塊「eMPack」，開啟了雙方合作的全新里程碑。合作儀式留影，SEMIKRON CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生（左），ROHM德國公司社長 Wolfram Harnack（中），SEMIKRON CSO Peter Sontheimer先生（右）此外，SEMIKRON宣布已與德國一家大型汽車制造商簽
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賽米控與羅姆就碳化硅功率元器件展開新的合作

賽米控（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)開展了十多年的合作。合作儀式剪影：賽米控CEO兼CTO? Karl-Heinz Gaubatz先生（左）羅姆德國公司社長?Wolfram Harnack（中）賽米控CSO Peter Sontheimer先生（右）此次，羅姆的第4代SiC MOSFET正式被用于賽米控的車規(guī)級(jí)功率模塊“eMPack?”，開啟了雙方合作的新征程。此外，賽米控宣布已與德國一家大型汽車制造商簽署
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Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經(jīng)提供采用該封裝的ESD保護(hù)器件，如今更進(jìn)一步，Nexperia成功地將該封裝技術(shù)運(yùn)用到MOSFET產(chǎn)品組合中，成為行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的領(lǐng)跑者。該系列小型MOSFET包括： ?新一代可穿戴設(shè)備和可聽戴設(shè)備正在融入新的人工智能(AI)和機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)技術(shù)，這為產(chǎn)品設(shè)計(jì)帶來了若干挑戰(zhàn)。首先，隨著功能的增加，可供使用的電路板空間變得十分寶貴，另外，隨著
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SiC FET的起源及其向著完美開關(guān)發(fā)展的歷程

使用寬帶隙半導(dǎo)體作為高頻開關(guān)為實(shí)現(xiàn)更高的功率轉(zhuǎn)換效率提供了有力支持。一個(gè)示例是，碳化硅開關(guān)可以實(shí)施為SiC MOSFET或以共源共柵結(jié)構(gòu)實(shí)施為SiC FET。本白皮書追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。白皮書當(dāng)然，接近完美的電子開關(guān)已經(jīng)存在很長一段時(shí)間了，但是我們這里要談的不是機(jī)械開關(guān)?，F(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換依賴的是半導(dǎo)體開關(guān)，它們最好在打開時(shí)沒有電阻，在關(guān)閉時(shí)電阻和耐受電壓無限大，并能在簡單驅(qū)動(dòng)下以任意快的速度在開關(guān)狀態(tài)間切換且沒有瞬時(shí)功率損耗。在這個(gè)重視能源與成本
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破解SiC、GaN柵極動(dòng)態(tài)測(cè)試難題的魔法棒 — 光隔離探頭

SiC、GaN 作為最新一代功率半導(dǎo)體器件具有遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng) Si 器件的特性，能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。但同時(shí)，SiC、GaN極快的開關(guān)速度也給工程師帶來了使用和測(cè)量的挑戰(zhàn)，稍有不慎就無法獲得正確的波形，從而嚴(yán)重影響到器件評(píng)估的準(zhǔn)確、電路設(shè)計(jì)的性能和安全、項(xiàng)目完成的速度。SiC、GaN動(dòng)態(tài)特性測(cè)量中，最難的部分就是對(duì)半橋電路中上橋臂器件驅(qū)動(dòng)電壓VGS的測(cè)量，包括兩個(gè)部分：開關(guān)過程和Crosstalk。此時(shí)是無法使用無源探頭進(jìn)行測(cè)量的，這會(huì)導(dǎo)致設(shè)備和人員危險(xiǎn)，同時(shí)還會(huì)由
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仿真看世界之SiC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問題

這篇微信文章，其實(shí)構(gòu)思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎(chǔ)篇。2022，讓我們?cè)俅瘟牧脑赟iC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問題。這篇微信文章，其實(shí)構(gòu)思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎(chǔ)篇：● 2020《仿真看世界之SiC單管的寄生導(dǎo)通現(xiàn)象》● 2021《仿真看世界之SiC MOSFET單管并聯(lián)均流特性》2022，讓我們?cè)俅瘟牧脑赟iC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問題。特別提醒：仿真只是工具，仿真無法替代實(shí)驗(yàn)，仿真只供參考。在展開
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豪威集團(tuán)發(fā)布業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET

電源管理系統(tǒng)要實(shí)現(xiàn)高能源轉(zhuǎn)換效率、完善可靠的故障保護(hù)，離不開高性能的開關(guān)器件。近日，豪威集團(tuán)全新推出兩款MOSFET：業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道MOSFET WNM6008。 WNMD2196A 超低Rss(ON)，專為手機(jī)鋰電池保護(hù)設(shè)計(jì)近幾年，手機(jī)快充技術(shù)飛速發(fā)展，峰值充電功率屢創(chuàng)新高。在極大地緩解消費(fèi)者電量焦慮的同時(shí)，高功率充電下的安全問題不容小覷。MOSFET在電池包裝中起到安全保護(hù)開關(guān)的作用，其本身對(duì)功率的損耗也必須足夠低才能
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安森美的VE-Trac SiC系列為電動(dòng)車主驅(qū)逆變提供高能效、高功率密度和成本優(yōu)勢(shì)

雙碳目標(biāo)正加速推進(jìn)汽車向電動(dòng)化發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過渡到電動(dòng)車，新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)因獨(dú)特優(yōu)勢(shì)將改變電動(dòng)車的未來，如在關(guān)鍵的主驅(qū)逆變器中采用SiC可滿足更高功率和更低的能效、更遠(yuǎn)續(xù)航、更小損耗和更低的重量，以及向800 V遷移的趨勢(shì)中更能發(fā)揮它的優(yōu)勢(shì)，但面臨成本、封裝及技術(shù)成熟度等多方面挑戰(zhàn)。安森美(onsemi)提供領(lǐng)先的智能電源方案，在SiC領(lǐng)域有著深厚的歷史積淀，是世界上少數(shù)能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應(yīng)商之一，其創(chuàng)新的VE TracTM Direct SiC
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分立式CoolSiC MOSFET的寄生導(dǎo)通行為研究

米勒電容引起的寄生導(dǎo)通常被認(rèn)為是碳化硅MOSFET的弱點(diǎn)。為了避免這種效應(yīng)，硬開關(guān)逆變器通常采用負(fù)柵極電壓關(guān)斷。但是，這對(duì)于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎？引言選擇適當(dāng)?shù)臇艠O電壓是設(shè)計(jì)所有柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術(shù)，設(shè)計(jì)人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開通電壓，從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面，柵極關(guān)斷電壓僅需確保器件保持安全關(guān)斷即可。英飛凌鼓勵(lì)設(shè)計(jì)人員在0V下關(guān)斷分立式MOSFET，從而簡化柵極驅(qū)動(dòng)電路。為此，本文介紹了
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CISSOID、NAC和Advanced Conversion三強(qiáng)聯(lián)手開發(fā)高功率密度碳化硅（SiC）逆變器

高溫半導(dǎo)體和功率模塊領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID宣布，公司已與NAC Group和Advanced Conversion（為要求嚴(yán)苛的應(yīng)用提供高性能電容器的領(lǐng)導(dǎo)者）開展合作，以提供緊湊且優(yōu)化集成的三相碳化硅（SiC）功率堆棧。該功率堆棧結(jié)合了CISSOID的1200V SiC智能功率模塊和Advanced Conversion的6組低ESR/ESL直流支撐（DC-Link）電容器，可進(jìn)一步與控制器板和液體冷卻器集成，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的高功率密度和高效率SiC逆變器（見下圖）的設(shè)計(jì)提供完整的硬件和軟件平臺(tái)。CIS
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安森美豐富的SiC方案解決新一代UPS的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

隨著云計(jì)算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應(yīng)用和大型設(shè)備的不斷發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)不間斷電源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展，設(shè)計(jì)人員面臨如何在性能、能效、尺寸、成本、控制難度之間權(quán)衡取舍的挑戰(zhàn)，安森美(onsemi)基于新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)的方案，有助于變革性地優(yōu)化UPS設(shè)計(jì)。安森美是領(lǐng)先的智能電源方案供應(yīng)商之一，也是全球少數(shù)能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應(yīng)商，提供先進(jìn)的SiC、SiC/Si 混合和 IGBT 模塊技術(shù)，以及廣泛的分立器件、門極驅(qū)動(dòng)器等周邊器件，滿足低
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具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC MOSFET M1H

過去幾年，實(shí)際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動(dòng)態(tài)工作引起的長期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。引言過去幾年，實(shí)際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動(dòng)態(tài)工作引起的長期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。經(jīng)過不斷研究和持續(xù)優(yōu)化，現(xiàn)在，全新推出的CoolSiC? MO
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SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討

隨著制備技術(shù)的進(jìn)步，在需求的不斷拉動(dòng)下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲(chǔ)能等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展，更是不容小覷。富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計(jì)參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。作為系列文章的第一部分，本文將先就SiC
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貿(mào)澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET，為各類電源應(yīng)用提供更好的支持

提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC（現(xiàn)已被Qorvo?收購）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導(dǎo)通電阻特性，適用于主流800V總線架構(gòu)中的電源解決方案，如電動(dòng)汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應(yīng)用。?貿(mào)澤電子分銷的UF4C/SC SiC FET為設(shè)計(jì)人員提供了
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