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          格羅方德推出性能增強(qiáng)型130nm 硅鍺射頻技術(shù),以促進(jìn)下一代無線網(wǎng)絡(luò)通信發(fā)展

          •   格羅方德半導(dǎo)體(GlobalFoundries)于今日宣布針對(duì)硅鍺(SiGe)高性能技術(shù)組合,推出新一代射頻芯片解決方案。該項(xiàng)技術(shù)專為需要更優(yōu)性能解決方案的客戶而打造,適用于汽車?yán)走_(dá)、衛(wèi)星通信、5G毫米波基站等其他無線或有線通信網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用。   格羅方德半導(dǎo)體的硅鍺 8XP技術(shù)是該公司130nm高性能硅鍺系列產(chǎn)品的最新成員,它可協(xié)助客戶制定射頻解決方案,以在更遠(yuǎn)距離實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)吞吐量,同時(shí)耗能更少。這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)大幅提升了異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)的性能、降低噪聲指數(shù)、改善信號(hào)完整性并將硅鍺 8XP
          • 關(guān)鍵字: 格羅方德  SiGe  

          IBM針對(duì)RF芯片代工升級(jí)制程技術(shù)

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: IBM  RF芯片  代工升級(jí)  制程技術(shù)  SiGe  SOI  

          飛思卡爾新產(chǎn)品引領(lǐng)高性能射頻技術(shù)發(fā)展

          •   無線技術(shù)的便利性已經(jīng)得到所有人的認(rèn)可,無線技術(shù)的優(yōu)勢(shì)也通過技術(shù)的不斷演進(jìn)變得越來越明顯,從而帶動(dòng)整個(gè)無線市場(chǎng)的快速普及。射頻不是一個(gè)簡(jiǎn)單的元器件,而是一個(gè)涉及多個(gè)半導(dǎo)體器件的解決方案。   作為這個(gè)市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者之一,飛思卡爾半導(dǎo)體提供廣泛的射頻低功率產(chǎn)品組合,滿足目前復(fù)雜且具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用及市場(chǎng)需求。從通用放大器、增益模塊、信號(hào)控制產(chǎn)品到功能豐富的低噪聲放大器和高性能RFIC,飛思卡爾利用各種基于III-V的技術(shù)和先進(jìn)的SiGe芯片工藝為客戶提供解決方案,滿足無線基礎(chǔ)設(shè)施、無線通信、蜂窩通信、工業(yè)、
          • 關(guān)鍵字: 飛思卡爾  SiGe  MMZ25333B  

          泰克下一代70GHz示波器將采用IBM的9HP硅鍺芯片制造技術(shù)

          • 泰克公司日前宣布,其下一代高性能實(shí)時(shí)示波器將采用IBM的最新9HP硅鍺 (SiGe) 芯片制造工藝。IBM的第五代半導(dǎo)體技術(shù)與早前宣布的正在申請(qǐng)專利的異步時(shí)間插值 (Asynchronous Time Interleaving) 技術(shù)將使新示波器帶寬達(dá)到70 GHz并實(shí)現(xiàn)信號(hào)保真度改善。
          • 關(guān)鍵字: 泰克  示波器  SiGe  

          高線性度SiGe下變頻混頻器

          • 2.3GHz至4GHz、SiGe下變頻混頻器具有業(yè)內(nèi)最佳的性能Maxim在2010年IIC上海站重點(diǎn)向觀眾展示了以下應(yīng)用...
          • 關(guān)鍵字: 高線性度  SiGe  變頻混頻器  

          華虹NEC 0.13 / 0.18微米SiGe工藝技術(shù)成功進(jìn)入量產(chǎn)

          • 世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一,上海華虹NEC電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱“華虹NEC”)宣布其最新研發(fā)成功、處于業(yè)界領(lǐng)先地位的0.13/0.18微米SiGe工藝技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)。由此成為國(guó)內(nèi)首家、全球少數(shù)幾家可以提供0.13/0.18微米SiGe量產(chǎn)工藝的代工廠之一。
          • 關(guān)鍵字: 華虹NEC  工藝  SiGe  

          SiGe MEMS技術(shù)

          • MEMS技術(shù)自20世紀(jì)70年代末80年代初掀起第一輪商業(yè)化浪潮,其后經(jīng)歷了四次較大的變革。如今,除傳統(tǒng)的應(yīng)用外,推動(dòng)第四輪商業(yè)化的其它應(yīng)用包括一些面向射頻無源元件、在硅片上制作的音頻、生物和神經(jīng)元探針,以及生化
          • 關(guān)鍵字: 技術(shù)  MEMS  SiGe  

          鍺化硅(SiGe)技術(shù)在測(cè)試技術(shù)中的應(yīng)用

          • 鍺化硅技術(shù)(Silicon germanium)從20世紀(jì)80年代問世以來,是一種高于普通硅器件的高頻半導(dǎo)體材料,應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,尤其在新一代移動(dòng)設(shè)備中,是良好的高功率放大器,例如:下變頻器、低噪聲放大器(LNA)、前置放大
          • 關(guān)鍵字: SiGe  鍺化硅  測(cè)試技術(shù)  中的應(yīng)用    

          瑞薩電子推出新型SiGe:C異質(zhì)接面晶體管

          • 2011年9月13日 日本東京訊—高級(jí)半導(dǎo)體廠商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE:6723,以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”)宣布推出新款SiGe:C異質(zhì)接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04,可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、衛(wèi)星無線電及類似應(yīng)用。本裝置的制程采用全新開發(fā)的硅鍺:碳(SiGe:C)材料 (注2) 并達(dá)到領(lǐng)先業(yè)界的低噪聲效能。
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩  晶體管  SiGe:C HBT  

          基于SiGe HBT的射頻有源電感設(shè)計(jì)

          • 電感在射頻單片集成電路中具有重要作用,主要具備阻抗轉(zhuǎn)換、諧振、反饋、濾波等功能。隨著無線通信技術(shù)的迅速...
          • 關(guān)鍵字: SiGe  HBT  射頻有源電感  晶體  反饋  

          基于SiGe HBT的射頻有源電感的設(shè)計(jì)

          • 本文設(shè)計(jì)了四種結(jié)構(gòu)的射頻有源電感, 其中包括兩種正電感和兩種負(fù)電感。研究結(jié)果表明由晶體管構(gòu)成的有源電感的性能受晶體管的組態(tài)及偏置影響較大。四種電路結(jié)構(gòu)中,由共射放大器與共集放大器級(jí)聯(lián)反饋構(gòu)成的有源電感性能較好。采用回轉(zhuǎn)器原理實(shí)現(xiàn)的有源電感,電感值不隨面積減小而減小。改變晶體管的偏置電壓,有源電感具有可調(diào)諧性。
          • 關(guān)鍵字: 電感  設(shè)計(jì)  有源  射頻  SiGe  HBT  基于  

          探討固定及移動(dòng)WiMAX系統(tǒng)對(duì)無線射頻子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)要求

          • 隨著服務(wù)供應(yīng)商和基礎(chǔ)架構(gòu)設(shè)備制造商近來公布多項(xiàng)先進(jìn)無線服務(wù)及設(shè)備合同簽訂的消息,WiMAX正大受市場(chǎng)注目。...
          • 關(guān)鍵字: WiMAX  射頻  RF  OFDM  801.11  802.16  QAM  BPSK  QPSK  IQ  PA  TDD  HFDD  SAW  SiGe  IF  MIMO  WiFi  

          Maxim推出GPS/GNSS低噪聲放大器

          •   Maxim推出GPS/GNSS低噪聲放大器(LNA)產(chǎn)品線的最新成員MAX2667/MAX2669。這兩款完全集成的LNA采用Maxim先進(jìn)的SiGe工藝設(shè)計(jì),具有0.65dB的超低噪聲系數(shù),與分立方案或高集成度CMOS方案相比可有效提高接收機(jī)的靈敏度和讀取范圍。MAX2667/MAX2669具有業(yè)內(nèi)最佳的性能、最小的尺寸和最低的電流損耗,是智能手機(jī)、個(gè)人導(dǎo)航設(shè)備(PND)及其它電池供電手持設(shè)備的理想選擇。   MAX2667/MAX2669提供不同的線性指標(biāo)選項(xiàng),以滿足不同的系統(tǒng)要求。對(duì)于要求在存
          • 關(guān)鍵字: Maxim  LNA  SiGe  MAX2667  MAX2669   

          SiGe半導(dǎo)體獲“最受尊敬的私營(yíng)半導(dǎo)體企業(yè)獎(jiǎng)”提名

          •   全球領(lǐng)先的硅基射頻 (RF) 前端模塊 (FEM) 和功率放大器 (PA) 供應(yīng)商SiGe半導(dǎo)體公司 (SiGe Semiconductor) 已獲全球半導(dǎo)體聯(lián)盟 (Global Semiconductor Alliance, GSA) 提名為2010年度“最受尊敬的私營(yíng)半導(dǎo)體企業(yè)獎(jiǎng)”之候選者,優(yōu)勝者將于12月9日在硅谷圣克拉拉會(huì)議中心舉辦的頒獎(jiǎng)晚宴上宣布。   
          • 關(guān)鍵字: SiGe  半導(dǎo)體  
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          sige介紹

          百科名片 1、英語單詞:sign。n.標(biāo)記, 符號(hào), 記號(hào), 征兆, 跡象, 征候。v.簽名(于), 署名(于)~, 簽署。2、數(shù)學(xué)函數(shù)之一。3、日本動(dòng)畫片《火影忍者之疾風(fēng)傳》主題曲,brown eyed girls 的一首歌曲也叫這個(gè)名字。4、同名韓劇 編輯本段英文單詞 名詞sign:   1. a perceptible indication of something not im [ 查看詳細(xì) ]

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