soi jx-f355p 文章 進入soi jx-f355p技術(shù)社區(qū)
使用TOPSwitch-JX器件設(shè)計的待機電源參考設(shè)計
- 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路的PowerIntegrations公司（納斯達克股票代號：POWI），今日宣布推出使用其新近發(fā)...
- 關(guān)鍵字： TOPSwitch-JX 待機電源 參考設(shè)計
PI新推出的TOPSwitch-JX系列電源轉(zhuǎn)換IC
- PI公司今日宣布推出TOPSwitch-JX系列器件，新產(chǎn)品系列共由16款高度集成的功率轉(zhuǎn)換IC組成，其內(nèi)部均集成有一個725 V功率MOSFET，適用于設(shè)計反激式電源。新型TOPSwitch-JX器件采用多模式控制算法，可提高整個負載范圍內(nèi)的功率效率。由于在滿功率下工作效率較高，因此可減少正常工作期間的功率消耗量，同時降低系統(tǒng)散熱管理的復(fù)雜性及費用支出。在低輸入功率水平下，高效率還可使適配器的空載功耗降至最低，增大待機模式下對系統(tǒng)的供電量，這一點特別適用于受到能效標準和規(guī)范約束的產(chǎn)品應(yīng)用。
- 關(guān)鍵字： PI 功率轉(zhuǎn)換IC TOPSwitch-JX MOSFET
ARM發(fā)布45納米SOI測試結(jié)果，最高節(jié)能40%
- ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會上發(fā)布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator，SOI)45納米測試芯片的測試結(jié)果。結(jié)果表明，相較于采用傳統(tǒng)的體效應(yīng)工藝(bulk process)進行芯片制造，該測試芯片顯示出最高可達40%的功耗節(jié)省的可能性。這一測試芯片是基于ARM1176™ 處理器，能夠在SOI和體效應(yīng)微處理器實施之間進行直接的比較。此次發(fā)布的結(jié)果證實了在為高性能消費設(shè)備和移動應(yīng)用設(shè)計低功耗處理器時，SOI是一項取代傳統(tǒng)體效應(yīng)工藝的可行技術(shù)。
- 關(guān)鍵字： ARM 45納米 SOI
GlobalFoundries 32nm SOI制程良率突破兩位數(shù)
- 在最近召開的GSA會議(GSA Expo conference)上，GlobalFoundries公司宣稱其使用32nm SOI制程工藝制作的24Mbit SRAM芯片的良率已經(jīng)達到兩位數(shù)水平，預(yù)計年底良率有望達到50%左右。GlobalFoundries同時會在這個會議上展示其最新的制造設(shè)備。 據(jù)稱目前Intel 32nm Bulk制程技術(shù)的良率應(yīng)已達到70-80%左右的水平，而且已經(jīng)進入正式量產(chǎn)階段，在32nm制程方面他們顯然又領(lǐng)先了一大步。不過按AMD原來的計劃，32nm SOI制程將在2
- 關(guān)鍵字： GlobalFoundries 32nm SOI
Global Foundries挖角為新廠Fab2鋪路
- Global Foundries再度展開挖角，繼建置布局營銷業(yè)務(wù)、設(shè)計服務(wù)團隊之后，這次延攬建廠、廠務(wù)人才并將目標鎖定半導(dǎo)體設(shè)備商，Global Foundries預(yù)計2009年7月破土的Fab 2正在緊鑼密鼓策畫中，這次延攬的Norm Armour原屬設(shè)備龍頭應(yīng)用材料(Applied Materials)服務(wù)事業(yè)群高層，而Eric Choh則是原超微(AMD)晶圓廠營運干部，兩人都熟稔晶圓廠設(shè)備系統(tǒng)與IBM技術(shù)平臺。 Global Foundries宣布新一波人事布局，主要是為了積極籌備位于紐
- 關(guān)鍵字： GlobalFoundries 晶圓 半導(dǎo)體設(shè)備 SOI
Global Foundries志在英特爾 臺廠不是主要對手
- Global Foundries制造系統(tǒng)與技術(shù)副總裁Tom Sonderman表示，Global Foundries位于紐約Fab 2將于7月破土，專攻28納米制程已以下制程技術(shù)，未來將持續(xù)延攬來自各界半導(dǎo)體好手加入壯大軍容，同時他也指出，目前45/40納米良率水平成熟并獲利可期，2009年底前Fab 1將全數(shù)轉(zhuǎn)進40/45納米制程。Global Foundries表示，在晶圓代工領(lǐng)域臺積電雖是對手之一，但真正的目標(Bench Mark)其實對準英特爾(Intel)。 競爭對手臺積電45/40
- 關(guān)鍵字： GlobalFoundries 40納米 晶圓代工 SOI
英飛凌與LS合組新公司，聚焦白家電電源模塊
- 新聞事件： 韓國LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd 事件影響： 將使英飛凌和LSI得以加速進入高效能家電、低功率消費與標準工業(yè)應(yīng)用等前景好的市場 LS預(yù)計于2010年1月在天安市的生產(chǎn)基地開始量產(chǎn)CIPOS模塊 韓國LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd，將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發(fā)、生產(chǎn)與行銷。 合
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT CIPOS 射極控制二極管技術(shù) SOI
新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)
- 提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu)，該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結(jié)擴散，形成體接觸的側(cè)面引出，適當加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應(yīng)。而且，該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價的前提下，通過適當?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。
- 關(guān)鍵字： SOI 器件
用IC激發(fā)汽車電子的創(chuàng)新
- 訪NXP 高級副總裁兼首席技術(shù)官 Rene Penning de Vires 當人們在逐步習(xí)慣使用車用遙控門鎖（Remote Keyless Entry）打開車門的時候，也在慢慢淡忘曾經(jīng)的手動金屬鑰匙。將來，被稱作“駛向未來的鑰匙”的智能鑰匙又會怎樣簡化汽車的駕乘？ 智能鑰匙其實是采用了NFC(近距離無線通信)、GPS無線技術(shù)和顯示技術(shù)的智能卡?？梢酝ㄟ^顯示屏直觀地顯示汽車停泊的位置、安全狀態(tài)等等信息，并且可以打造成一個非接觸式支付的多功能錢包。智能鑰匙通過無線網(wǎng)絡(luò)將駕
- 關(guān)鍵字： RKE NXP NFC 磁阻傳感器 車載網(wǎng)絡(luò) SOI
soi jx-f355p介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條soi jx-f355p!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對soi jx-f355p的理解，并與今后在此搜索soi jx-f355p的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對soi jx-f355p的理解，并與今后在此搜索soi jx-f355p的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
soi jx-f355p電路
soi jx-f355p專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473