spi nor flash 文章進(jìn)入spi nor flash技術(shù)社區(qū)

東芝傳年內(nèi)量產(chǎn)3D Flash 技術(shù)更勝三星

　　三星電子(Samsung Electronics)領(lǐng)先全球同業(yè)、于去年10月?lián)屜攘慨a(chǎn)3D架構(gòu)的NAND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)產(chǎn)品，但三星的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)恐維持不了多久，因?yàn)槿荖AND Flash最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產(chǎn)3D NAND Flash、且其制造技術(shù)更勝三星一籌! 　　日本媒體產(chǎn)經(jīng)新聞25日?qǐng)?bào)導(dǎo)，三星于去年量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品為垂直堆疊32層，但東芝已研發(fā)出超越三星的制造技術(shù)、可堆疊48層，且東芝計(jì)劃于今年下半年透過(guò)旗下四日市工廠(chǎng)
關(guān)鍵字：東芝 3D Flash

大陸手機(jī)市場(chǎng)驚人Mobile DRAM消費(fèi)量陡升

　　中國(guó)大陸智能型手機(jī)的高成長(zhǎng)，使得內(nèi)存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內(nèi)存供應(yīng)商不管是從零組件競(jìng)爭(zhēng)還是手機(jī)整機(jī)的競(jìng)爭(zhēng)上都倍感壓力。
關(guān)鍵字： DRAM NAND Flash

半導(dǎo)體市場(chǎng)今年迎向高規(guī)格之爭(zhēng)

　　2015年由行動(dòng)裝置帶動(dòng)的高規(guī)格半導(dǎo)體之爭(zhēng)蓄勢(shì)待發(fā);行動(dòng)應(yīng)用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲(chǔ)存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導(dǎo)體需求增加，被視為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)新動(dòng)能。　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟(jì)的報(bào)導(dǎo)，智慧型手機(jī)的功能高度發(fā)展，讓核心零組件如應(yīng)用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導(dǎo)體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進(jìn)化到64位元，可望讓多工與資料處理
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND Flash LPDDR4

淡季影響銷(xiāo)售，NAND Flash 供應(yīng)商 Q1 將供過(guò)于求

　　根據(jù) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報(bào)告顯示，第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準(zhǔn)，但在三星電子、東芝與晟碟各自面臨價(jià)格與產(chǎn)銷(xiāo)端的壓力影響營(yíng)收、及第三季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下，品牌供應(yīng)商營(yíng)收僅較第三季成長(zhǎng) 2% 至 87.5 億美元。DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，因需求端面臨淡季效應(yīng)，2015 年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過(guò)于求，在價(jià)格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下，業(yè)者將藉由加速先進(jìn)制程的轉(zhuǎn)進(jìn)，改善成本架構(gòu)，以減低價(jià)格跌幅的沖擊。　
關(guān)鍵字： NAND Flash 三星東芝

國(guó)際大廠(chǎng)找Mobile RAM貨源　敲開(kāi)與臺(tái)廠(chǎng)合作大門(mén)

　　存儲(chǔ)器廠(chǎng)持續(xù)在eMCP(eMMC結(jié)合MCP封裝)領(lǐng)域擴(kuò)大進(jìn)擊，繼東芝(Toshiba)與南亞科洽談策略聯(lián)盟，新帝(SanDisk)亦傳出首度來(lái)臺(tái)尋找移動(dòng)式存儲(chǔ)器Mobile RAM合作伙伴，考慮與南亞科簽定長(zhǎng)約或包下產(chǎn)能，顯示國(guó)際存儲(chǔ)器大廠(chǎng)亟欲尋找Mobile RAM貨源，并敲開(kāi)與臺(tái)廠(chǎng)合作大門(mén)。　　半導(dǎo)體業(yè)者透露，在三星電子和SK海力士主導(dǎo)下，智能型手機(jī)內(nèi)建存儲(chǔ)器規(guī)格從eMMC轉(zhuǎn)為eMCP，原本NAND Flash芯片外加關(guān)鍵零組件Mobile RAM芯片，2015年?yáng)|芝??新帝陣營(yíng)將展開(kāi)大反撲。
關(guān)鍵字： NAND Flash Mobile RAM

NAND Flash價(jià)格續(xù)滑　難擺脫供給過(guò)剩困境

　　由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供應(yīng)量持續(xù)增加，造成價(jià)格連續(xù)兩個(gè)月下滑，業(yè)界預(yù)期若三星電子(Samsung Electronics)等業(yè)者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生產(chǎn)比重，后續(xù)MLC產(chǎn)品價(jià)格下滑情況恐將更明顯。　　根據(jù)韓媒DigitalTimes報(bào)導(dǎo)，由于USB、硬碟與記憶卡市場(chǎng)進(jìn)入淡季，加上庫(kù)存堆積，導(dǎo)致NAND Flash價(jià)格走滑，市場(chǎng)供給過(guò)剩情況恐持續(xù)到農(nóng)歷春節(jié)。業(yè)界認(rèn)為目前NAND Flash下滑走勢(shì)雖大部分是受
關(guān)鍵字： NAND Flash 三星

玻璃和金屬的精致結(jié)合大神X7拆機(jī)評(píng)測(cè)

　　大神X7作為大神最新的旗艦手機(jī)，不僅擁有出色的硬件配置，同時(shí)采用雙面玻璃加上一體成型鋁合金中框，做工非常精細(xì)，今天我們來(lái)將大神X7拆開(kāi)，看一下大神X7的做工用料，究竟大神X7做工有多精致。　　　　大神X7采用雙面玻璃工藝，而且手機(jī)沒(méi)有任何螺絲，所以拆解只能從后蓋開(kāi)始，因?yàn)楹笊w是采用雙面膠固定的。　　　　要將大神X7后蓋拆除必須將后蓋進(jìn)行加熱，讓雙面膠可以和后蓋分離，從而移除后蓋的后蓋。　　　　大神X7整個(gè)后蓋的背面都覆
關(guān)鍵字：大神 X7 flash

群聯(lián)砸3.8億入股宇瞻

　　儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片大廠(chǎng)群聯(lián)(8299)昨(19)日宣布，參與記憶體模組廠(chǎng)宇瞻私募，將以每股25.38元、總金額3億8,070萬(wàn)元，取得宇瞻9.9%股權(quán)，成為宇瞻最大法人股東，雙方將攜手沖刺工控應(yīng)用固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)。　　群聯(lián)昨股價(jià)上漲2.5元，收在214.5元;宇瞻下跌0.25元，以31.4元作收。　　群聯(lián)斥資約3.8億元，取得宇瞻9.9%股權(quán)，成為最大法人股東。圖為群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成。本報(bào)系資料庫(kù) 　　分享　　上述私募價(jià)格是采依過(guò)去30個(gè)交易日均價(jià)31
關(guān)鍵字：群聯(lián) 宇瞻 NAND Flash

半導(dǎo)體事業(yè)關(guān)鍵時(shí)刻救了三星的面子與里子

　　三星電子(Samsung Electronics)日前發(fā)布2014年第4季暫定財(cái)報(bào)，營(yíng)收止跌回升為52兆韓元(約478.8億美元)，其中半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部貢獻(xiàn)達(dá)一半以上，可說(shuō)是最大功臣。　　據(jù)韓媒ChosunBiz報(bào)導(dǎo)，三星電子在1月8日發(fā)布2014年第4季暫定財(cái)報(bào)，業(yè)績(jī)終于跌回升，營(yíng)收為52兆韓元，營(yíng)業(yè)利益達(dá)5.2兆韓元。　　韓國(guó)KDB大宇證券推估，三星電子DS部門(mén)第4季貢獻(xiàn)營(yíng)業(yè)利益約2.9兆韓元，比IT暨移動(dòng)通訊(IM)事業(yè)部高出1兆韓元左右。第3季DS部門(mén)營(yíng)業(yè)利益(2
關(guān)鍵字：蘋(píng)果 DRAM NAND Flash

創(chuàng)客作品：自制足球游戲解說(shuō)員

　　有時(shí)，在小型開(kāi)發(fā)板上分模塊地測(cè)試代碼，要比自己在大腦里想出整個(gè)完整的多模塊應(yīng)用更切實(shí)際。你要做的只是現(xiàn)在就著手，一行一行地編寫(xiě)代碼。　　周末我們打算在電子棋盤(pán)游戲系統(tǒng)上開(kāi)發(fā)幾款游戲。我們要做的是將思路轉(zhuǎn)化成實(shí)際的一款游戲，而非只是模糊的設(shè)計(jì)理念或想法。　　最終我們打算做一款虛擬足球游戲。假設(shè)您是玩家，請(qǐng)問(wèn)您是否更希望比賽時(shí)有同步的現(xiàn)場(chǎng)解說(shuō)呢?當(dāng)您控制球場(chǎng)上的角色，嘗試攔截、搶球但球卻不小心漏掉時(shí)，此時(shí)若恰好出現(xiàn)評(píng)論員或解說(shuō)員的聲音，您是否會(huì)更有身臨其境之感? 　　我們堅(jiān)信這款游戲定會(huì)很受歡迎
關(guān)鍵字：電子解說(shuō)員 AS3 Flash mp3 Audacity

Flash的下一站藍(lán)海在哪里？

　　物物相聯(lián)，萬(wàn)物智能的時(shí)代漸行漸近，越來(lái)越多的設(shè)備都將擁有“智慧”，除了處理器、傳感器之外，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器也是不可或缺的核心部件之一。　　物聯(lián)網(wǎng)或帶動(dòng)Flash新需求　　物聯(lián)網(wǎng)的場(chǎng)景很美好，但其中涉及太多的跨品牌、跨平臺(tái)、跨設(shè)備之間的無(wú)線(xiàn)通訊。只有不斷的在通信技術(shù)領(lǐng)域全面而迅速的發(fā)展，才能打造出智慧城市，從而實(shí)現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)中的互聯(lián)互通。　　NOR Flash應(yīng)用的另一大重要場(chǎng)景就是網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備。　　大量的網(wǎng)絡(luò)通信產(chǎn)品需要升級(jí)換代，以作為搶占客廳入口的路由器為例，因智
關(guān)鍵字：物聯(lián)網(wǎng) Flash 處理器

基于Flash和JTAG接口的FPGA多配置系統(tǒng)

　　引言　　針對(duì)需要切換多個(gè)FPGA配置碼流的場(chǎng)合， Xilinx公司提出了一種名為System ACE的解決方案，它利用CF(Compact Flash)存儲(chǔ)卡來(lái)替代配置用PROM，用專(zhuān)門(mén)的ACE控制芯片完成CF卡的讀寫(xiě)，上位機(jī)軟件生成專(zhuān)用的ACE文件并下載到CF存儲(chǔ)卡中，上電后通過(guò)ACE控制芯片實(shí)現(xiàn)不同配置碼流間的切換[1]。　　System ACE的解決方案需要購(gòu)買(mǎi)CF存儲(chǔ)卡和專(zhuān)用的ACE控制芯片，增加了系統(tǒng)搭建成本和耗費(fèi)了更多空間，而且該方案只能實(shí)現(xiàn)最多8個(gè)配置文件的切換，在面對(duì)更多個(gè)配置
關(guān)鍵字： Flash JTAG FPGA

海力士前高層加入慧榮　SSD大戰(zhàn)鳴槍

　　固態(tài)硬碟(SSD)戰(zhàn)火正熱，持續(xù)成為2015年產(chǎn)業(yè)焦點(diǎn)，NAND Flash控制芯片業(yè)者為了布局上游半導(dǎo)體大廠(chǎng)，使出渾身解數(shù)綁樁，傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔(dān)任公司高層。　　慧榮一向和SK海力士合作緊密，雙方合作內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器eMMC業(yè)務(wù)外，有機(jī)會(huì)延伸至SSD產(chǎn)品線(xiàn)上，2015年更是關(guān)鍵年，慧榮內(nèi)部極度重視SSD產(chǎn)品線(xiàn)，立下通吃NAND Flash大廠(chǎng)和存儲(chǔ)器模組兩大族群的目標(biāo)，看好公司營(yíng)運(yùn)
關(guān)鍵字： SSD NAND Flash SK海力士

DRAM樂(lè)觀(guān) NAND有隱憂(yōu)

　　記憶體市況今年將不同調(diào);動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場(chǎng)可望維持穩(wěn)定獲利，儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)市場(chǎng)則有隱憂(yōu)。　　DRAM市場(chǎng)步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強(qiáng)鼎立的寡占局面，各DRAM廠(chǎng)去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。　　臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠(chǎng)南亞科去年可望首度賺進(jìn)超過(guò)1個(gè)股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺(tái)幣400億元，將創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。　　NAND Flash市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)、變化相對(duì)激烈，且難以預(yù)料;去年下半
關(guān)鍵字： DRAM 三星海力士 NAND Flash

美光聯(lián)手華邦電：推NOR Flash搶攻物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用商機(jī)

　　美國(guó)存儲(chǔ)器大廠(chǎng)美光(Micron)宣布，與存儲(chǔ)器廠(chǎng)商華邦電擬進(jìn)一步合作開(kāi)發(fā)新一代超高速序列式編碼型快閃存儲(chǔ)器(Serial NOR Flash)，搶攻汽車(chē)電子、穿戴裝置，以及智慧家庭等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用商機(jī)，預(yù)計(jì)2015年1月就會(huì)開(kāi)始送樣認(rèn)證1GB芯片。　　 ? 　　據(jù)了解，美光日前宣布與華邦電結(jié)盟，雙方將開(kāi)發(fā)新一代Twin-Quad的超高速序列式NOR Flash產(chǎn)品線(xiàn);雙方所合作的Twin-Quad序列式NOR Flash，比NAND Flash速度更快，且比現(xiàn)有序列式NOR Fla
關(guān)鍵字：美光 NOR Flash 物聯(lián)網(wǎng)