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下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm
- 在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。 根據(jù)SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場會議上展示的投影片與評論指出，14nm FD-SOI技術(shù)問世的時間點約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當，而兩者的性能表現(xiàn)差不多，F(xiàn)
- 關(guān)鍵字： ST FD-SOI 10nm
ST宣布les晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI
- 12月13日，意法半導體宣布其在28納米 FD-SOI 技術(shù)平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術(shù)，這證明了意法半導體以28納米技術(shù)節(jié)點提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實現(xiàn)極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗，意法半導體28納米技術(shù)的投產(chǎn)可解決這一挑戰(zhàn)，滿足多媒體和便攜應用市場的需求。 FD-SOI技術(shù)平臺包括全功能且經(jīng)過硅驗證的設(shè)計平臺和設(shè)
- 關(guān)鍵字： ST 晶圓 FD-SOI
意法半導體面臨兩難之選：拆分or策略調(diào)整
- 很難想象業(yè)界芯片巨擘意法半導體(STMicroelectronics)正迫切地需要一項全新的成長策略吧?而這家歐洲半導體巨擘目前所面對的兩難甚至還牽涉到在公司內(nèi)外都有影響舉足輕重的的一些人。 一般來說，公司高層主管和業(yè)界分析人士認為，這家總部位于瑞士的半導體公司必須為其未來長遠發(fā)展導向全新方向。但究竟應該拋棄沉重的負擔與非核心產(chǎn)品?還是維持現(xiàn)狀而只需微幅調(diào)整策略，逐漸在占主導的產(chǎn)品領(lǐng)域建立強大的市場地位?在決定ST是否應該大幅重組業(yè)務與產(chǎn)品組合時，高層管理團隊之間卻出現(xiàn)了意見分歧。 該公司
- 關(guān)鍵字： ST 芯片 IC
意法半導體(ST)與商埃曲網(wǎng)絡(3H)合作
- 中國，2012年11月28日 —— 橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商及數(shù)字電視機頂盒芯片供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼STM)與商埃曲網(wǎng)絡(3H)聯(lián)合宣布，雙方將共同打造全媒體數(shù)字電視解決方案，包括面向中國廣電運營商的下一代高清互動全媒體業(yè)務在三網(wǎng)融合上的實現(xiàn)方案。 隨著中國三網(wǎng)融合的加速推進，IPTV、OTT、PushVOD等高清全媒體技術(shù)成為各電視運營商下一步贏利的關(guān)鍵。全國范圍內(nèi)三網(wǎng)融合服
- 關(guān)鍵字： ST 半導體
ST推出先進調(diào)諧芯片提升4G網(wǎng)速和電池續(xù)航能力
- 中國，2012年11月8日 —— 橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商及市場領(lǐng)先的手機用半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出新系列高度微型化自適應器件。新產(chǎn)品可動態(tài)優(yōu)化手機天線性能，有助于避免電話掉線，并延長電池續(xù)航時間。 意法半導體的新產(chǎn)品 ParaScan 集成調(diào)諧電容(STPTIC)通過調(diào)整電容值，使手機功率放大器與天線之間在各種工作條件下高效傳輸電能。STPTIC有助于最大限度
- 關(guān)鍵字： ST 4G 芯片
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