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	super junction mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          super junction mosfet 文章
                  進入super junction mosfet技術社區(qū)  
                  
          
                
          
                                
          
                  

                                
          
                    
          借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　近日在中國深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設計師。“您碰巧在設計中用過60V的負載開關嗎?”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，您有遇到過空間受限的問題嗎?”我問。他確實碰到過，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術信息，RDS(ON)不到60m&Omeg
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          • 關鍵字：
                        SOT-23  MOSFET                          
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          高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作原理
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  高頻特性  放大器電路  工作原理                            
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          電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器電路及工作原理
          
                                                            
            
                    	
          •  電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數(shù)基本相等的脈沖響應以及
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  VP-P  電壓                            
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          微芯有刷直流電機控制方案
          
                                                            
            
                    	
          •  有刷直流電機通過電刷進行換向。以下是關于有刷直流電機的一些關鍵點：典型的轉子(也就是電樞)上有繞組，并且在其末端連有換向器電刷與換向部分連接和斷開，從而將能量傳遞到電樞永磁直流電機的定子(或外部機筒)將有
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          • 關鍵字：
                        MOSFET   光學編碼器   PWM   有刷直流電機驅動器                          
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          被忽略的細節(jié)：理解MOSFET額定電壓BVDSS
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　看到這個主題，可能有些工程師會問：多少伏的功率MOSFET，耐壓BVDSS不就是多少伏嗎?這里面還有什么被忽略的內(nèi)容?細節(jié)決定技術，今天研究功率MOSFET數(shù)據(jù)表中BVDSS所隱藏的一些有意思的細節(jié)，來理解這個參數(shù)所設定的含義。
　　數(shù)據(jù)表中漏源擊穿電壓BVDSS通常定義為漏電流為250uA時漏極到源極的電壓，漏極到源極的漏電流表示為IDSS。數(shù)據(jù)表中標稱BVDSS電壓是在柵極和源極S短路、25℃的工作溫度、漏極和源極不發(fā)生雪崩擊穿時，所能施加的最大的額定電壓，測試的電路如圖1所示。關于雪崩擊穿問題
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  BVDSS                          
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          Fairchild發(fā)布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列 
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Fairchild，現(xiàn)在是安森美半導體的一部分，今天推出了其SuperFET® III系列，用于650V N溝道MOSFET，這是該公司新一代的MOSFET，可滿足最新的通信、服務器、電動車(EV)充電器和太陽能產(chǎn)品的更高功率密度、系統(tǒng)效率和優(yōu)越的可靠性要求。
　　SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和優(yōu)異熱性能，是高性能應用的理想之選。一流性能之外，該系列還提供了廣泛的封裝選擇，賦予了產(chǎn)品設計者更大的靈活性，特別是對于尺寸受限的設計。
　　Fair
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          • 關鍵字：
                        Fairchild  MOSFET                          
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          英飛凌800 V CoolMOS P7系列設立效率和散熱性能的新基準
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　英飛凌科技股份公司推出800 V CoolMOS™ P7系列。該800 V MOSFET基于超級結技術，兼具出類拔萃的性能和優(yōu)異的易用性。這個新的產(chǎn)品家族非常適于低功率SMPS應用，可完全滿足性能、易于設計和性價比等市場需求。它主要側重于反激式拓撲，這種拓撲常見于適配器、LED照明、音頻、工業(yè)和輔助電源等應用。
　　

 
　　800 V CoolMOS P7系列可將效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式應用中測試的其他競爭對手產(chǎn)品，這相當于將
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  MOSFET                          
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          步進電機的MOSFET管驅動設計
          
                                                            
            
                    	
          • H橋功率驅動電路可應用于步進電機、交流電機及直流電機等的驅動。永磁步
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          • 關鍵字：
                        步進電機  MOSFET  驅動設計                          
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          意法半導體推出新款超結MOSFET和全球首款1500V TO-220FP 寬爬電間距封裝功率晶體管
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)寬爬電間距封裝的功率晶體管，其中包括采用防電弧封裝的全球首款1500V超結MOSFET。
　　電視和PC等設備常用的開放式電源表面很容易聚集塵土和粉塵，導致功率晶體管引腳之間產(chǎn)生高壓電弧放電現(xiàn)象，TO-220FP寬爬電間距封裝是這類應用功率晶體管的理想選擇。在使用2.54mm引腳間隔的常規(guī)封裝時，需要鑄封、引線成形、套管或密封等特殊工
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          • 關鍵字：
                        意法半導體  MOSFET                          
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          IGBT是啥？看完這篇文章我不信你還不明白
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命，由它產(chǎn)生的動能每天都在源源不斷的釋放，人對電的需求不亞于人類世界的氧氣，如果沒有電，人類的文明還會在黑暗中探索。
　　然而在電力電子里面，最重要的一個元件就是IGBT。沒有IGBT就不會有高鐵的便捷生活。
　　

 
　　一說起IGBT，半導體**的人都以為不就是一個分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成電路**一樣，是國家“02專項”的重點扶持項目，這玩意是現(xiàn)在目前功率電子器件里 
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          • 關鍵字：
                        IGBT  MOSFET                          
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          住在市區(qū)還是郊區(qū)？考慮采用轉換器或控制器調(diào)節(jié)大電流電壓
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　一般來講，尋求更大生活空間的居民會放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便，并能享受城市服務，但他們更愿意搬到郊區(qū)，因為那里房子更大，院子更寬敞。同樣，當工程師需要大電流用于負載點(POL)設計時，他們一般會放棄高密度轉換器(帶集成MOSFET)的便利，取而代之使用一個更復雜的涉及控制器(帶外部MOSFET)解決方案?？刂破?，與郊區(qū)環(huán)境相類似，具有相對的靈活性和經(jīng)濟性，但會占據(jù)更多不動產(chǎn)，更多的電路板空間。
　　

 
　　直到最近，電流超過10-15A的應用一般會依賴帶外部MOSF
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  封裝                          
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          關于MOS管的基礎知識大合集
          
                                                            
            
                    	
          • 　　下面對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，包括MOS管的介紹，特性，驅動以及應用電路。
　　1，MOS管種類和結構
　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
　　至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。
　　對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開
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          • 關鍵字：
                        MOS管  MOSFET                          
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          意法半導體(ST)的先進碳化硅功率器件加快汽車電動化進程
          
                                                            
            
                    	
          • 　　橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)在混動汽車和電動汽車(EV，Electric Vehicles)市場發(fā)布了先進的高能效功率半導體器件，同時還公布了新產(chǎn)品AEC-Q101汽車質(zhì)量認證時間表。
　　電動汽車和混動汽車通過提高電能利用率來延長續(xù)航里程。意法半導體最新的碳化硅(SiC)技術讓車企能夠研制續(xù)航里程更長、充電速度更快的電動和混動汽車，使其更好地融入車主的生活。作為碳化硅技術的領導者，針對汽車所有主要電氣模塊，意法半導體率先推
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          • 關鍵字：
                        意法半導體  MOSFET                          
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          英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝，進一步擴大緊湊型門級驅動產(chǎn)品陣容
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門級驅動IC產(chǎn)品家族帶來了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能?！　∪翴C的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅動高壓功率MOSFET和IGBT而設計。目標應用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動汽車充電站、焊接設備及商用和農(nóng)用車等。優(yōu)化的
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  SiC-MOSFET                          
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          理解超級結技術
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　基于超級結技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結MOSFET出現(xiàn)之前，高壓器件的主要設計平臺是基于平面技術。但高壓下的快速開關會產(chǎn)生AC/DC電源和逆變器方面的挑戰(zhàn)。從平面向超級結MOSFET過渡的設計工程師常常為了照顧電磁干擾(EMI)、尖峰電壓及噪聲考慮而犧牲開關速度。本應用指南將比較兩種平臺的特征，以便充分理解和使用超級結技術的優(yōu)點。
　　為了理解兩種技術的差異，我
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  超級結結構                          
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          super junction mosfet介紹
          
      			
          
		      	
          
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