super junction mosfet 文章 進入super junction mosfet技術(shù)社區(qū)
NEC電子推出8款汽車用功率MOSFET產(chǎn)品
- NEC電子近日完成了8款用于汽車的P溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)小型封裝產(chǎn)品的開發(fā)，并將于即日起開始發(fā)售樣品。 此次推出的新產(chǎn)品主要用于繼電器、電機等通過電流為數(shù)十安培的控制單元，其中NP50P04等4款產(chǎn)品為40V耐壓、導通阻抗為業(yè)界最低的產(chǎn)品；另外4款產(chǎn)品與現(xiàn)有的60V耐壓品相比，導通阻抗最大可減至一半。 對于汽車廠商及器件廠商等用戶而言，使用低導通阻抗產(chǎn)品可以減少電流流經(jīng)時產(chǎn)生的熱量，從而減輕電路設計時的負擔。 新產(chǎn)品的樣品價格因耐壓及導通阻抗的不同而有
- 關(guān)鍵字： NEC電子 MOSFET 汽車電子
高功率便攜式DC-DC中MOSFET功耗的計算
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
- 關(guān)鍵字： MaximIntegratedProducts MOSFET DC/DC
如何計算高功率電源中MOSFET的功耗
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
- 關(guān)鍵字： MOSFET
飛兆推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業(yè)界領先的散熱能力，有助于提高系統(tǒng)可靠性、減小線路板空間及降低系統(tǒng)總體成本。FDD8424H專為半橋和全橋逆變器設計而優(yōu)化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機驅(qū)動和電燈驅(qū)動的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，F(xiàn)DD8424H在
- 關(guān)鍵字： MOSFET 單片機 飛兆半導體 嵌入式系統(tǒng)
Fairchild推出互補型40V MOSFET改進LCD設計
- 飛兆半導體推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業(yè)界領先的散熱能力，有助于提高系統(tǒng)可靠性、減小線路板空間及降低系統(tǒng)總體成本。FDD8424H專為半橋和全橋逆變器設計而優(yōu)化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機驅(qū)動和電燈驅(qū)動的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，F(xiàn)DD8424H在單一封裝中集
- 關(guān)鍵字： Fairchild LCD設計 MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 液晶顯示 LCD
Vishayn通道MOSFET驅(qū)動IC可提供2A峰值匯
- Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值匯和源柵極驅(qū)動電流的高頻75V半橋式n通道MOSFET驅(qū)動IC。這款新型SiP41111適用于通常需要40V或60V電壓的汽車應用。該75VMOSFET驅(qū)動器可用于汽車中的高強度放電管，以及各種終端產(chǎn)品中的高壓降壓轉(zhuǎn)換器、推拉式轉(zhuǎn)換器、全橋與半橋式轉(zhuǎn)換器、有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器、電源、電機控制及D類音頻系統(tǒng)。 該款SiP41111具有75V的最大自舉電源電壓，可適應9V～13.2V的寬泛電源電壓范圍，能夠以10ns的典型升降時間驅(qū)動1,000pF的負載。
- 關(guān)鍵字： IC MOSFET Vishayn 電源技術(shù) 模擬技術(shù)
ROHM株式會社小型大功率封裝MOSFET MPT6
- 4月20日訊,半導體制造商ROHM株式會社（總社設在京都市）最近開發(fā)出適合汽車駕駛導向系統(tǒng)、便攜式DVD機、筆記本電腦、游戲機等小型、薄型機器的電源開關(guān)和電動機驅(qū)動器使用的MPT6 雙元件系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨創(chuàng)的小型大功率封裝，是低導通電阻的元器件。這種產(chǎn)品從2007年4月開始逐步供應樣品；預定從2007年8月開始以月產(chǎn)300萬個的規(guī)模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過程的芯片工序在ROHM筑波株式會社（茨城縣）進行；包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) CO., LTD. （
- 關(guān)鍵字： MOSFET MPT6 ROHM 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 封裝
ROHM開發(fā)小型大功率封裝MOSFET產(chǎn)品系列
- ROHM株式會社最近開發(fā)出適合汽車駕駛導向系統(tǒng)、便攜式DVD機、筆記本電腦、游戲機等小型、薄型機器的電源開關(guān)和電動機驅(qū)動器使用的「MPT6 Dual（2元件）」型系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨創(chuàng)的小型大功率封裝，低導通電阻的元器件。 這種產(chǎn)品從2007年4月開始逐步供應樣品；預定從2007年8月開始以月產(chǎn)300萬個的規(guī)模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過程的芯片工序在ROHM筑波株式會社（茨城縣）進行；包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND)
- 關(guān)鍵字： MOSFET ROHM 消費電子 封裝 消費電子
帶有集成MOSFET的6A雙同步降壓穩(wěn)壓器
- Intersil公司的ISL65426是一款高效率雙輸出單向同步降壓穩(wěn)壓器，輸入電壓范圍為2.375V至5.5V。該單芯片電源解決方案提供2個輸出電壓，可以在1V至電壓電源的80%的范圍內(nèi)進行選擇或者進行外部調(diào)節(jié)，并且總輸出電流高達6A。2個PWM是180o異相同步的，降低了EMI和有效值輸入電流與紋波電壓。 ISL65426的獨特電源模塊架構(gòu)允許對6個電流高達1A的模塊進行分配，以便支持4個輸出配置選項之一。一個主電源模塊與各個同步轉(zhuǎn)換器通道相關(guān)聯(lián)。4個浮動從電源模塊允許用戶將其分配給任一條通
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 雙同步降壓穩(wěn)壓器
ZETEX推出帶診斷功能的自保護MOSFET ZXMS6002/3
- ZXMS6002/3是采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET，它可通過獨立狀態(tài)引腳提供診斷反饋，有效地提高汽車和工業(yè)性高壓系統(tǒng)的可靠性。 最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員，均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件，特別適用于高浪涌電流的開關(guān)負載，如電燈、電機及電磁鐵。 ZXMS6002G具有針對過熱、過流和過壓故障的保護功能，可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模式的模擬指示，無需外部元件。這種診斷功能有助于實現(xiàn)智能的
- 關(guān)鍵字： MOSFET ZXMS6002/3 工業(yè)控制 工業(yè)控制
Zetex推出首款采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET
- Zetex Semiconductors (捷特科) 公司推出首款采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET，它可通過獨立狀態(tài)引腳提供診斷反饋，有效地提高汽車和工業(yè)性高壓系統(tǒng)的可靠性。 最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員，均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件，特別適用于高浪涌電流的開關(guān)負載，如電燈、電機及電磁鐵。 ZXMS6002G具有針對過熱、過流和過壓故障的保護功能，可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模
- 關(guān)鍵字： MOSFET Zetex 單片機 嵌入式系統(tǒng) 封裝
飛兆推出 200V/250V的PowerTrench工藝MOSFET
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N溝道MOSFET，這兩款產(chǎn)品經(jīng)專門設計，可為等離子體顯示板 (PDP) 應用提供業(yè)界領先的系統(tǒng)效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導體專利的PowerTrench® 工藝技術(shù)，這些MOSFET比較市場上同類型器件提供最低的導通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值為22.9毫歐；FDB2710的典型值為36.3 毫歐)。超低的RDS(on) 加上極低
- 關(guān)鍵字： MOSFET 單片機 飛兆 嵌入式系統(tǒng)
super junction mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條super junction mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對super junction mosfet的理解，并與今后在此搜索super junction mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對super junction mosfet的理解，并與今后在此搜索super junction mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
super junction mosfet電路
super junction mosfet相關(guān)帖子
super junction mosfet資料下載
super junction mosfet專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473