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          中國半導(dǎo)體存儲器市場前景

          • 本文介紹了存儲器芯片分類,國際存儲芯片廠商的發(fā)展情況,及我國存儲芯片供需情況。
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  市場  DRAM  Flash  201607  

          AT&T推進LTE蜂窩物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用

          •   AT&T正在推進所有LTE網(wǎng)絡(luò)向蜂窩物聯(lián)網(wǎng)(IOT)應(yīng)用,雖然根據(jù)此前的說法,該運營商大可考慮其它更低功耗、更廣域的制式。   專注于LTE   早在今年2月,AT&T物聯(lián)網(wǎng)方面高級副總裁克里斯·彭羅斯(Chris Penrose)在世界移動大會上表示,“我們更喜歡有授權(quán)的頻段,雖然還有很多種其它方式可選。”   AT&T移動和商業(yè)解決方案部物聯(lián)網(wǎng)解決方案方面副總裁助理莫比(Mobeen Khan)表示,“我們之所以做出這
          • 關(guān)鍵字: AT&T  LT  

          NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯 價格走揚

          •   第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚。   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價顯示,第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚,而近一個月漲幅開始增加。   DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,NAND Flash原廠持續(xù)降低對于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  

          火災(zāi)后瘋7供應(yīng)商三星Flash廠部分復(fù)工

          • 三星西安工廠受到變電站爆炸停電影響,對供應(yīng)緊張的NAND Flash雪上加霜,不過事故后回復(fù)速度很快,給當?shù)毓╇娋趾腿菓?yīng)急處理點個贊。
          • 關(guān)鍵字: 三星  Flash  

          AT&T將在10多個市場展開1Gbps光纖寬帶業(yè)務(wù)

          •   據(jù)悉,AT&T并未終止其1Gbps光纖寬帶業(yè)務(wù),并在日前宣布將在10多個市場展開該有線業(yè)務(wù)。        其中一些新市場位于中西部、南部和西部,包括芝加哥、達拉斯、邁阿密和洛杉磯。   在第一部分施工中,AT&T將為更多家庭、公寓和小型企業(yè)提供1Gbps服務(wù)。   根據(jù)具體的市場,AT&T為普通用戶提供的1Gbps服務(wù)價格為70美元或90美元每月。比如,一些市場如加州的弗雷斯諾的1Gbps服務(wù)價格為每月90美元,而圣地亞哥的用戶每月則僅需支付70美元。
          • 關(guān)鍵字: AT&T  光纖  

          AT&T打響與Verizon的5G軍備賽 2016年底試用5G

          •   AT&T和Verizon圍繞5G的軍備競賽已然開始,雙方都在爭奪第一個5G運營商的頭銜。AT&T 高管于本周二(美國時間)表示,將于今年年底對“友好”用戶試用5G。  AT&T 實驗室于今年年底將對“友好的用戶”測試“多千兆、固定的”網(wǎng)絡(luò),AT&T無線技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)構(gòu)架助理副總裁戴夫·沃爾特表示。此前,AT&T曾表示直到2017年才會測試5G標準,但現(xiàn)在改變主意了,將28GHz的毫米波測試挪到了今年年底。  據(jù)了解,Verizon 通訊將于2017年的某個時候啟動5
          • 關(guān)鍵字: AT&T  5G  

          下半年NAND Flash一定缺貨,且會非常缺

          •   全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應(yīng)商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示,固態(tài)硬碟(SSD)價格已到甜蜜點,今年出貨將大爆發(fā),成為成長最強勁的記憶體產(chǎn)品;法人預(yù)估臺廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等,可望掀比價效應(yīng)。   慧榮是以臺灣為研發(fā)重心,立足全球的國際公司,上周五(20日)股價以每股42.19美元創(chuàng)2005年6月在美國那斯達克掛牌以來新高,市值達1.48億美元(約新臺幣48.5億元),同創(chuàng)歷史新高。   茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會后,針對今年NAND Fl
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  

          發(fā)展Flash晶圓制造的四大投資方向

          •   中國大陸業(yè)者在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展,成為中國大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。   某研究所最新研究報告顯示,隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠,及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能,預(yù)估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達59萬片,相較于2015年增長近7倍。        預(yù)估2012~2016年NANDFlash生產(chǎn)端年平均位元增長率達47%,其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%,顯示NANDFlash仍為高速發(fā)展產(chǎn)業(yè)。   拓墣
          • 關(guān)鍵字: Flash  晶圓  

          TrendForce:2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬片

          •   中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展,成為中國大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示,隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠,及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能,預(yù)估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達59萬片,相較于2015年增長近7倍。   TrendForce預(yù)估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長率達47%,其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%,顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
          • 關(guān)鍵字: Flash  NAND   

          Verizon、AT&T等將參加美國下一輪頻譜拍賣

          •   美國聯(lián)邦通信委員會(FCC)日前表示,Verizon、AT&T、Dish Network、T-Mobile US、Comcast、Liberty Global等104家企業(yè)將參加美國在今年即將舉行的頻譜拍賣。   美國下一輪頻譜拍賣將于3月29日舉行。   美國聯(lián)邦通信委員會官員將此次拍賣稱作“千載難逢”的機遇。   軟銀集團下屬機構(gòu)Sprint將不會參與此次頻譜拍賣。   電信運營商們都希望通過此次頻譜拍賣重新打造各自在美國的移動網(wǎng)絡(luò)形象。   在2015年
          • 關(guān)鍵字: Verizon  AT&T  

          Flash芯片你都認識嗎?

          •   Flash存儲器,簡稱Flash,它結(jié)合了ROM和RAM的長處,不僅具備電子可擦除可編程的性能,還不會因斷電而丟失數(shù)據(jù),具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點;在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場上,F(xiàn)lash總類可謂繁多,功能各異,而你對它了解有多少呢?  為了讓大家更深入了解Flash,今天將主要根據(jù)芯片的通信協(xié)議并且結(jié)合Flash的特點,給大家一個全新認識。  一、IIC?EEPROM  IIC?EEPROM,采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點:簡單的兩條總線線路,一條串行數(shù)據(jù)線(SDA)
          • 關(guān)鍵字: Flash  EEPROM  

          Flash與SAS硬碟價格2015年恐現(xiàn)死亡交叉

          •   資料儲存解決方案大廠NetApp表示,經(jīng)由云端與Flash兩股推力驅(qū)動,讓近年IT基礎(chǔ)架構(gòu)進入新一波的轉(zhuǎn)型期,其中2016年經(jīng)由融合式基礎(chǔ)架構(gòu)(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系統(tǒng)工具應(yīng)用性竄升,將讓2016年成為IT的精簡之年。   此外值得注意的是,TLC架構(gòu)的Flash存儲器借由需求性提升及單位成本快速下降,預(yù)期今年每GB的FLash價格也將較SAS硬碟更低,并讓All Flash資料中心的將進入主流儲存領(lǐng)
          • 關(guān)鍵字: Flash  SAS  

          手機標稱16G內(nèi)存,為何實際卻少于16G

          •   摘要:現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì),就是各類移動終端及手機的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區(qū)別,存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關(guān)系呢?   我們總是在說手機內(nèi)存,那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機興起后,為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的,是NAND Flash的升級版,他的結(jié)構(gòu)如下:        我們接觸到的16G、32G等手機,為何實際存儲容量卻總是小于這些值呢?難道
          • 關(guān)鍵字: NAND FLASH  eMMC  

          中國下個購并標的:NAND Flash控制芯片

          •   中國政府近來積極透過中資集團陸續(xù)收購或入資海外半導(dǎo)體公司,期建立自有半導(dǎo)體供應(yīng)鏈?,F(xiàn)階段,邏輯晶片從設(shè)計、制造到封裝測試皆已具雛型,反觀記憶體領(lǐng)域則為主要發(fā)展缺口。資策會MIC認為,中資集團下一波購并目標將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者,并設(shè)法取得大規(guī)模制造產(chǎn)能,以補強記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。   資策會MIC產(chǎn)業(yè)顧問兼主任洪春暉表示,中國近期積極透過購并,來改善半導(dǎo)體自制比例過低的情形,現(xiàn)今中國在本土邏輯IC設(shè)計、晶圓代工、邏輯IC封測等產(chǎn)業(yè)鏈上,已有一定程度的發(fā)展,上述領(lǐng)域皆具有本土廠商或已與外商
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  芯片  

          TrendForce:經(jīng)濟前景未明,2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長有限

          •   全球經(jīng)濟依舊前景不明,各項NAND Flash終端需求廠商態(tài)度相對保守,TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,由于終端設(shè)備平均搭載量與固態(tài)硬盤(SSD)需求增長,2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長44%,然而生產(chǎn)端為了快速降低成本以刺激更多的需求,NAND Flash廠商將會加速3D-NAND Flash的開發(fā),整體NAND Flash年度位元產(chǎn)出增長率將大幅增長50%。   DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,2016年NAND Fl
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  TLC  
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