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t-flash 文章進入t-flash技術社區(qū)

用于SD卡的NAND flash控制芯片的設計

　　O 引言　　Flash是一種非易失存儲器，它在掉電條件下仍然能夠長期保持數(shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設備中得到了廣泛的應用。本文給出了
關鍵字：芯片設計控制 flash SD NAND 用于

思亞諾發(fā)布支持ISDB-T高清數(shù)字電視標準的接收芯片

　　ISDB-T數(shù)字電視市場競爭開始變得激烈起來，前幾天以色列移動數(shù)字電視芯片供應商思亞諾(www.siano-ms.com)也發(fā)布了一款支持ISDB-T高清數(shù)字電視標準的接收芯片，主要針對的是拉美和日本的數(shù)字電視市場。SMS2270支持ISDB-T高清數(shù)字電視標準，也就是我們常說的ISDB-T“full-segment”。　　
關鍵字：思亞諾接收芯片 ISDB－T

NAND Flash的壞塊管理設計

NAND Flash的壞塊管理設計,摘要：主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設計和實現(xiàn)方案，詳細闡述了壞塊映射表的建立、維護及其相關算法，同時分析了此壞塊算法在Linux內(nèi)核及Bootloader中的具體應用。測試結果表明該算法能夠處理NAND
關鍵字：設計管理 Flash NAND

NAND Flash管理算法的設計及實現(xiàn)

給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設計方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級和頁級兩級地址映射機制以及映射信息在flash的存儲定義，同時還提出了對flash的分區(qū)方法。
關鍵字：設計實現(xiàn) 算法管理 Flash NAND

MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存成趨勢

　　因應MCU成長快速及程序數(shù)據(jù)儲存需要，MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存設計成為主流趨勢，MCU大廠也紛紛以購并或結盟掌握內(nèi)嵌Flash的相關IP與制程技術。本文將探討內(nèi)嵌FlashIP制程技術，為下一代FlashMCU帶來的技術變革。　　
關鍵字： MCU Flash

基于FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設計

基于FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設計,1 引言

FLASH（閃速存儲器）作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結構和操作方式上與硬盤、E2ROM等其
關鍵字：系統(tǒng) 設計存儲嵌入式 FLASH 基于

TMS320C6712的外部內(nèi)存自引導功能的實現(xiàn)

關鍵字：引導 FLASH ROM 中斷向量表內(nèi)存自引導

分析稱臺系DRAM廠明年可望大幅增長

　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
關鍵字：南科 DRAM Flash

NAND Flash跌價深　上游大廠開始對模塊廠讓步

　　NAND Flash價格經(jīng)歷一段大修正后，原本對于價格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠，在面對庫存節(jié)節(jié)攀高的情況下，態(tài)度已開始松動，部分模塊廠開始回補一些庫存，不過，全球兩大NAND Flash陣營三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因為有蘋果(Apple)訂單的撐腰，對于價格仍是相當強硬，顯示蘋果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補丸。　　近期NAND Flash價格修正頗深，除了歐洲和美國市場需求不佳，尤其是返校需求完全是虛晃一招外，大陸
關鍵字：三星電子 NAND Flash

分析稱臺系DRAM廠2011年可望大幅增長

　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
關鍵字：南科 DRAM Flash

臺系DRAM廠的轉(zhuǎn)型與挑戰(zhàn)

　　根據(jù)集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報告指出，臺系DRAM廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRAM廠之冠。　　
關鍵字：南科 DRAM Flash

NAND Flash市況兩極　靜待8月底補貨潮

　　2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統(tǒng)旺季，8月初合約價卻還是跌不停，存儲器業(yè)者表示，蘋果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠需求仍十分強勁，但零售市場買氣不振，模塊廠拿貨意愿不高，把平均合約價給拉下來，其中，三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應蘋果，走貨較順暢，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫存水位較高，但又不愿降價，與模塊廠陷入僵局。　　近期大陸因為亞運因素，
關鍵字： Apple NAND Flash

BAS-T通訊模件在水電站的設計應用

1 引言本文以羅克韋爾自動化公司生產(chǎn)的1746-BAS-T(以下簡稱BAS-T)模件為例，詳細介紹了PLC通訊模件在水電廠監(jiān)控系統(tǒng)中的實際應用。
通常，水電站先通過變送器把電壓、電流、功率因數(shù)、頻率、有功功率、無功功率等交
關鍵字：應用設計水電站通訊 BAS-T

采用外接Flash存儲器件對SOPC系統(tǒng)開發(fā)的實現(xiàn)

采用外接Flash存儲器件對SOPC系統(tǒng)開發(fā)的實現(xiàn),1 Flash在SOPC中的作用 Flash在SOPC中的作用主要表現(xiàn)在兩方面：一方面，可用Flash來保存FPGA的配置文件，從而可以省去EPCS芯片或解決EPCS芯片容量不夠的問題。當系統(tǒng)上電后，從Flash中讀取配置文件，對FPGA進行配置。
關鍵字：系統(tǒng) 開發(fā) 實現(xiàn) SOPC 器件 Flash 存儲采用

DSP外部Flash存儲器在線編程的軟硬件設計

摘要：詳細介紹DSP與Flash存儲器的兩種硬件接口方式及在線編程，分析了兩種硬件接口方式下在線編程的區(qū)別，給出了相應的在線編程核心代碼并在實際電路上測試通過，可作為DSP嵌入式系統(tǒng)設計的參考。
關鍵詞：在線編程
關鍵字：編程軟硬件設計在線存儲器外部 Flash DSP

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