t-flash 文章進(jìn)入t-flash技術(shù)社區(qū)

NAND Flash 大降價(jià)，固態(tài)硬盤(pán)取代機(jī)械硬盤(pán)指日可待

相信有很多小伙伴已經(jīng)注意到了，目前市場(chǎng)上很多固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態(tài)硬盤(pán)所需的 NAND 芯片降價(jià)導(dǎo)致的。根據(jù)集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示，NAND Flash 市場(chǎng)自 2022 年下半年以來(lái)面臨需求逆風(fēng)，供應(yīng)鏈積極去化庫(kù)存加以應(yīng)對(duì)，此情況導(dǎo)致第四季 NAND Flash 合約價(jià)格下跌 20-25%，其中 Enterprise SSD（企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)）是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約 23-28%。這對(duì)于 NAND 芯片廠商來(lái)說(shuō)并不是什么好消息，但對(duì)于普通消費(fèi)者來(lái)說(shuō)，我們確實(shí)能買(mǎi)到更便宜的固態(tài)
關(guān)鍵字： NAND Flash

存儲(chǔ)器廠商Q1虧損恐難逃

由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續(xù)跌，加上庫(kù)存水位過(guò)高，終端消費(fèi)支出持續(xù)放緩，據(jù)外電消息，韓國(guó)三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫(kù)存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價(jià)導(dǎo)致?tīng)I(yíng)收及毛利率持續(xù)下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，三星電子3月19日提交給韓國(guó)金融監(jiān)督院的申報(bào)文件中指出，截至去年第四季，整體庫(kù)存資產(chǎn)達(dá)到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠(yuǎn)高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中，占三星營(yíng)收比重最高的半導(dǎo)
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 DRAM NAND Flash

存儲(chǔ)大廠展示300層NAND Flash，預(yù)計(jì)最快2024年問(wèn)世

近日，在第70屆IEEE國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上，韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器預(yù)定兩年內(nèi)上市，有望打破紀(jì)錄。外媒報(bào)導(dǎo)，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲(chǔ)存等級(jí)的第八代3D NAND Flash開(kāi)發(fā)，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁(yè)容量、四個(gè)平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達(dá)194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/
關(guān)鍵字： 300層 NAND Flash SK海力士

均價(jià)跌幅擴(kuò)大，2022年第四季NAND Flash總營(yíng)收環(huán)比下跌25%

TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，NAND Flash市場(chǎng)自2022年下半年以來(lái)面臨需求逆風(fēng)，供應(yīng)鏈積極去化庫(kù)存加以應(yīng)對(duì)，此情況導(dǎo)致第四季NAND Flash合約價(jià)格下跌20~25%，其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約23~28%。在原廠積極降價(jià)求量的同時(shí)，客戶為避免零部件庫(kù)存再攀高，備貨態(tài)度消極，使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長(zhǎng)僅5.3%，平均銷(xiāo)售單價(jià)環(huán)比減少22.8%，2022年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比下跌25.0%，達(dá)
關(guān)鍵字：集邦 NAND Flash

美國(guó)電信巨頭 AT&T 遭數(shù)據(jù)泄露，殃及 900 萬(wàn)客戶賬戶

IT之家 3 月 12 日消息，美國(guó)電信巨頭 AT&T 近日向客戶通報(bào)了一起數(shù)據(jù)泄露事件，導(dǎo)致攻擊者能夠獲取與客戶“設(shè)備升級(jí)資格”相關(guān)的信息。這起嚴(yán)重的安全漏洞影響了大約 900 萬(wàn)個(gè)客戶賬戶，發(fā)生在 2023 年 1 月，IT之家注意到，這也是 T-Mobile 遭受大規(guī)模數(shù)據(jù)泄露的同一個(gè)月，T-Mobile 的數(shù)據(jù)泄露影響了大約 3700 萬(wàn)個(gè)后付費(fèi)和預(yù)付費(fèi)賬戶。AT&T 的一位代表在接受采訪時(shí)表示，此次事件泄露了客戶專有網(wǎng)絡(luò)信息（CPNI），包括賬戶上線路數(shù)量或無(wú)線套餐等數(shù)
關(guān)鍵字：美國(guó) AT&T 信息安全

NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成

消費(fèi)性固態(tài)硬盤(pán)（Client SSD）受惠于疫情紅利，在過(guò)去二年作為推動(dòng)全球NAND Flash需求位成長(zhǎng)的要角，市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦預(yù)估，2022年消費(fèi)性SSD在筆電的滲透率達(dá)92％，2023年約96％。但隨疫情紅利退場(chǎng)，加上總經(jīng)不佳導(dǎo)致消費(fèi)性電子需求急凍，未來(lái)消費(fèi)性SSD需求放緩最明顯，連帶使整體NAND Flash需求位成長(zhǎng)受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消費(fèi)性SSD于筆電搭載容量已逾500GB，512GB消費(fèi)性SSD在近期迅速跌價(jià)后，已與半年前256GB報(bào)價(jià)相近，甚至
關(guān)鍵字： NAND Flash

基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，越來(lái)越多的產(chǎn)品使用NAND FLASH芯片來(lái)進(jìn)行大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據(jù)NAND FLASH的特點(diǎn)，需要識(shí)別NAND FLASH芯片的壞塊并進(jìn)行管理。FPGA對(duì)壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進(jìn)行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設(shè)計(jì)方法，利用FPGA中RAM模塊，設(shè)計(jì)了狀態(tài)機(jī)電路，靈活地實(shí)現(xiàn)壞塊表的建立、儲(chǔ)存和管理，并且對(duì)該設(shè)計(jì)進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證。
關(guān)鍵字： NAND FLASH FPGA 壞塊壞塊檢測(cè) 202212

集邦：第四季NAND Flash價(jià)格續(xù)跌15～20％

根據(jù)集邦科技研究顯示，目前NAND Flash正處于供過(guò)于求，下半年起買(mǎi)方著重去化庫(kù)存而大幅減少采購(gòu)量，賣(mài)方開(kāi)出破盤(pán)價(jià)以鞏固訂單，使第三季NAND晶圓（wafer）價(jià)格跌幅達(dá)30～35％，但各類(lèi)NAND Flash終端產(chǎn)品仍疲弱，原廠庫(kù)存因此急速上升，預(yù)期將導(dǎo)致第四季NAND Flash總體平均價(jià)格跌幅擴(kuò)大至15～20％。集邦表示，因?yàn)樾枨蟮兔詫?dǎo)致NAND Flash下半年價(jià)格大跌，多數(shù)原廠的NAND Flash產(chǎn)品銷(xiāo)售也將自今年底前正式步入虧損，意即部分供貨商在運(yùn)營(yíng)陷入虧損的壓力下，對(duì)于采取減產(chǎn)以降低虧
關(guān)鍵字：集邦 NAND Flash

SpaceX擬聯(lián)手T-Mobile融合星鏈及5G技術(shù) 馬斯克稱將提供許多“特別的東西”

8月25日消息，當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三，美國(guó)火箭公司SpaceX和無(wú)線運(yùn)營(yíng)商T-Mobile宣布，雙方將于美國(guó)東部時(shí)間周四晚上8點(diǎn)聯(lián)合舉辦一場(chǎng)活動(dòng)，宣布所謂的“增強(qiáng)連接”的計(jì)劃。SpaceX首席工程師埃隆·馬斯克（Elon Musk）和T-Mobile首席執(zhí)行官兼總裁邁克·西弗特（Mike Sievert）將出席活動(dòng)，活動(dòng)將在SpaceX位于得克薩斯州南部的Starbase發(fā)射場(chǎng)舉行，星際飛船原型最近在那里被安裝到發(fā)射臺(tái)上。除了上述時(shí)間和地點(diǎn)外，兩家公司都沒(méi)有透露更多信息。不過(guò)馬斯克已經(jīng)開(kāi)玩笑說(shuō)，這場(chǎng)活動(dòng)將提供許多
關(guān)鍵字： SpaceX T-Mobile 星鏈 5G

應(yīng)需而生！兆易創(chuàng)新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25UF系列。該系列在數(shù)據(jù)傳輸速度、供電電壓、讀寫(xiě)功耗等關(guān)鍵性能指標(biāo)上均達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，在針對(duì)智能可穿戴設(shè)備、健康監(jiān)測(cè)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備或其它單電池供電的應(yīng)用中，能顯著降低運(yùn)行功耗，有效延長(zhǎng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，新一代智能可穿戴設(shè)備需要擁有更豐富的功能來(lái)滿足消費(fèi)者的需求，這種空間敏感型產(chǎn)品對(duì)系統(tǒng)功耗提出了更嚴(yán)苛的要求，希
關(guān)鍵字：兆易創(chuàng)新 1.2V SPI NOR Flash

兆易創(chuàng)新1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列問(wèn)世

業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列，采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封裝，最大厚度僅為0.4mm，在如此緊湊、輕薄的空間內(nèi)，其功耗、電壓范圍等方面均實(shí)現(xiàn)了進(jìn)一步提升，為消費(fèi)電子、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)以及便攜式健康監(jiān)測(cè)設(shè)備等對(duì)電池壽命和緊湊型設(shè)計(jì)有著嚴(yán)苛需求的應(yīng)用提供了理想選擇。如今，隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、AI等技術(shù)的不斷迭代，在筆記本攝像頭、智能遙控器、智能健康手環(huán)等采用電池
關(guān)鍵字：兆易創(chuàng)新 SPI NOR Flash

累計(jì)出貨190億顆！兆易創(chuàng)新NOR閃存高居全球第三

在國(guó)產(chǎn)化Flash閃存領(lǐng)域，NAND閃存的領(lǐng)軍當(dāng)屬長(zhǎng)江存儲(chǔ)，NOR閃存的代表則是兆易創(chuàng)新?！　?月30日，兆易創(chuàng)新官方宣布，旗下Flash閃存產(chǎn)品累計(jì)出貨量已經(jīng)超過(guò)190億顆，其中NOR閃存的市場(chǎng)份額更是排名全球前三?！　≌滓讋?chuàng)新還透露，正在在超低功耗、超小封裝等技術(shù)工藝上持續(xù)打磨產(chǎn)品，比如采用WLCSP超小封裝的NOR閃存產(chǎn)品已經(jīng)上市，可大大縮減系統(tǒng)PCB面積；比如主打超低功耗的1.2V NOR產(chǎn)品即將面世，可顯著延長(zhǎng)電池壽命?！　OR閃存可廣泛用于智能手表、智能手環(huán)、無(wú)線耳機(jī)、XR眼鏡/頭顯等智能穿
關(guān)鍵字：兆易創(chuàng)新 NOR Flash

2022年Nor Flash產(chǎn)值將增長(zhǎng)21%至35億美元

Nor Flash在2021年僅占整體閃存市場(chǎng)總額的4%，但Nor Flash產(chǎn)品的銷(xiāo)售額飆升63%至29億美元，Nor Flash出貨量增長(zhǎng)了33%，平均售價(jià)則上漲23%。預(yù)計(jì)Nor Flash市場(chǎng)將在2022年再增長(zhǎng)21%至35億美元。 Nor Flash市場(chǎng)由華邦電、旺宏、兆易創(chuàng)新3家廠商主導(dǎo)，市占率共達(dá)91%。去年華邦電Nor Flash銷(xiāo)售額達(dá)10億美元，市占率以35%居冠。華邦電從2011年來(lái)，采用58納米制程生產(chǎn)大多數(shù)的NOR產(chǎn)品，但2021年大多數(shù)已轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程。
關(guān)鍵字：華邦電旺宏兆易創(chuàng)新 Nor Flash

鎧俠為實(shí)現(xiàn)超高容量SSD，正試驗(yàn)7bit/cell超高密度的3D NAND Flash

NAND Flash制造商一直試圖通過(guò)增加每個(gè)單元存儲(chǔ)的位數(shù)來(lái)提高其存儲(chǔ)設(shè)備的存儲(chǔ)密度，據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，近日鎧俠表示，公司一直在試驗(yàn)在一個(gè)單元中存儲(chǔ)更多比特?cái)?shù)的NAND Flash閃存。據(jù)報(bào)道，近日鎧俠表示，已設(shè)法在每個(gè)單元中存儲(chǔ)7 Bits (7 bpc)，盡管是在實(shí)驗(yàn)室和低溫的條件下。為了使存儲(chǔ)密度更高，存儲(chǔ)電壓狀態(tài)的數(shù)量將隨著每個(gè)單元存儲(chǔ)Bits的增加呈指數(shù)增長(zhǎng)。例如，要存儲(chǔ)4位，單元必須保持16個(gè)電壓電平 (2^4)，但使用6位，該數(shù)字會(huì)增長(zhǎng)到64(2^6)。而鎧俠實(shí)現(xiàn)的每個(gè)單元
關(guān)鍵字： SSD NAND Flash 鎧俠

盈利能力大增，估值較低的存儲(chǔ)龍頭被看好？

5月30日兆易創(chuàng)新宣布，公司Flash產(chǎn)品累計(jì)出貨量已超過(guò)190億顆，年出貨量超過(guò)28億顆，目前兆易創(chuàng)新在NOR Flash領(lǐng)域已成為中國(guó)第一，全球第三，2020年兆易創(chuàng)新NOR Flash產(chǎn)品市場(chǎng)份額達(dá)到17.8%。除了NOR Flash存儲(chǔ)芯片，兆易創(chuàng)新業(yè)務(wù)還包括DRAM存儲(chǔ)芯片以及存儲(chǔ)器和MCU，在過(guò)去一段時(shí)間行業(yè)普遍缺芯的背景下，兆易創(chuàng)新的營(yíng)收與凈利潤(rùn)均實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng)，2021年和2022年一季度公司營(yíng)收分別增長(zhǎng)89.25%和165.33%，歸母凈利潤(rùn)分別增長(zhǎng)39.25%和127.65%。目前芯片行
關(guān)鍵字：兆易創(chuàng)新 NAND Flash