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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> td-scdma空間輻射性能ot

          工信部公布三大運(yùn)營(yíng)商TD-LTE 4G頻段劃分

          •   據(jù)業(yè)內(nèi)消息,在昨日舉行的“TD-LTE技術(shù)與頻譜研討會(huì)”上,政府和監(jiān)管部門已對(duì)TDD頻譜規(guī)劃使用做了詳細(xì)說明,并向三大電信運(yùn)營(yíng)商正式分配了TD-LTE擴(kuò)大規(guī)模試驗(yàn)頻段。   具體來說:   中國(guó)移動(dòng)共獲得130MHz,分別為1880-1900MHz、2320-2370MHz、2575-2635MHz;   中國(guó)聯(lián)通獲得40MHz,分別為2300-2320MHz、2555-2575MHz;   中國(guó)電信獲得40MHz,分別為2370-2390MHz、263
          • 關(guān)鍵字: 工信部  TD-LTE  4G  

          羅德與施瓦茨公司2013年TD-LTE創(chuàng)新峰會(huì)成功舉辦

          • 2013年11月15日,羅德與施瓦茨公司TD-LTE創(chuàng)新峰會(huì)在北京隆重舉辦,本次峰會(huì)邀請(qǐng)到了150余位業(yè)界精英匯聚一堂。本次TD-LTE創(chuàng)新峰會(huì)旨在邀請(qǐng)業(yè)內(nèi)專業(yè)人士共同探討TD-LTE技術(shù)熱點(diǎn)和創(chuàng)新課題,介紹相關(guān)的測(cè)試與測(cè)量方案,了解最新的測(cè)試技術(shù)如何帶來產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
          • 關(guān)鍵字: 羅德  TD-LTE  測(cè)試方案  

          華為TD-LTE智能有源天線有效破解天面受限難題

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 華為  TD-LTE  智能有源天線  天面受限  

          技術(shù)不是阻礙因素 TD-LTE芯片需加把勁

          •   日前,北京移動(dòng)正式開賣兩款4G合約手機(jī),這再次引爆了人們對(duì)于4G的熱情。此前,中國(guó)移動(dòng)的TD-LTE網(wǎng)已經(jīng)進(jìn)入擴(kuò)大規(guī)模試驗(yàn)階段,目前網(wǎng)絡(luò)已經(jīng)具備商用的條件。因此,TD-LTE終端芯片的發(fā)展將決定中國(guó)4G能否真正進(jìn)入人們的生活。   現(xiàn)階段難以支持大規(guī)模商用   根據(jù)通信行業(yè)的發(fā)展規(guī)律,終端芯片的研發(fā)和推廣需要經(jīng)歷漫長(zhǎng)的過程。首先,一塊芯片的前期研發(fā)投入是巨大的,沒有哪個(gè)廠商愿意在沒有看清市場(chǎng)的情況下就貿(mào)然行動(dòng)。其次,相比系統(tǒng)設(shè)備,終端芯片對(duì)于技術(shù)的升級(jí)演進(jìn)更加敏感。對(duì)于系統(tǒng)設(shè)備來說,技術(shù)的演進(jìn)往往
          • 關(guān)鍵字: TD-LTE  芯片  

          NSN 增強(qiáng) Band 41 TD-LTE 基站傳輸功率和容量

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: NSN  Band41  TD-LTE  基站  傳輸功率  

          TD-SCDMA干線放大器的增益調(diào)整設(shè)置

          • TD-SCDMA干線放大器在工程開通時(shí)要在保證鏈路平衡的基礎(chǔ)上合理掌握增益調(diào)整和基站影響的關(guān)系,正確調(diào)試干線放 ...
          • 關(guān)鍵字: TD-SCDMA  干線放大器  增益調(diào)整  

          TD-LTE芯片技術(shù)趨勢(shì) 持續(xù)性模式 頻段競(jìng)賽

          •   2012年TD-LTE(TimeDivisionLongTermEvolution)成為通訊產(chǎn)業(yè)熱門議題,對(duì)此DIGITIMESResearch觀察TD-LTE晶片的技術(shù)、業(yè)者、市場(chǎng)等發(fā)展,并推估未來發(fā)展走向。   經(jīng)1年發(fā)展,DIGITIMESResearch再次觀察比對(duì),發(fā)現(xiàn)TD-LTE晶片業(yè)者已有不同的市場(chǎng)斬獲,單模TD-LTE晶片的主要業(yè)者為Altair,多模TD-LTE晶片的主要業(yè)者為高通(Qualcomm)。   除市場(chǎng)斬獲外,亦有業(yè)者發(fā)展轉(zhuǎn)淡,如意法易立信(ST-Ericss
          • 關(guān)鍵字: ST-Ericsson  TD-LTE  

          全球4G發(fā)展現(xiàn)狀分析:發(fā)展勢(shì)頭良好

          •   國(guó)家工信部將于年內(nèi)向運(yùn)營(yíng)商發(fā)放4G牌照,以促進(jìn)國(guó)內(nèi)自主創(chuàng)新的TD-LTE的大規(guī)模商用從而帶動(dòng)TD-LTE在國(guó)際上的大規(guī)模商用。筆者總結(jié)了TD-LTE的芯片與終端發(fā)展現(xiàn)狀、國(guó)內(nèi)及全球其他國(guó)家/地區(qū)TD-LTE網(wǎng)絡(luò)建設(shè)現(xiàn)狀。TD-LTE技術(shù)發(fā)展勢(shì)頭良好,芯片已經(jīng)可以滿足數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)應(yīng)用,TDD4G智能終端(尤其是智能手機(jī))正在被陸續(xù)推出。   1、全球情況   截至目前,全球新增6個(gè)商用網(wǎng)絡(luò),商業(yè)網(wǎng)總數(shù)達(dá)到24個(gè),其中包括11個(gè)TDD+FDD雙模網(wǎng)絡(luò),1個(gè)eRelay網(wǎng)絡(luò)。而在建的TD-LTE網(wǎng)絡(luò)
          • 關(guān)鍵字: 4G  TD-LTE  

          韓國(guó)運(yùn)營(yíng)商高管:中國(guó)TD-LTE前景光明

          •   中國(guó)三大電信運(yùn)營(yíng)商因?yàn)?G牌照(TDD/FDD)選擇問題爭(zhēng)吵不休。   而今天,在東京愛立信2013商業(yè)創(chuàng)新論壇上,韓國(guó)電信網(wǎng)絡(luò)集團(tuán)網(wǎng)絡(luò)戰(zhàn)略副總裁池永夏為中國(guó)的TD-LTE的4G制式伸出了“橄欖枝”。并公開表示,“中國(guó)移動(dòng)在主導(dǎo)的TD-LTE前景光明?!?   池永夏發(fā)表了他對(duì)4G的看法:   1、LTE最大的挑戰(zhàn)是資源頻譜,韓國(guó)電信(KT)使用的是1.82G頻譜資源,運(yùn)營(yíng)的FDD制式,但是,他非??春弥袊?guó)移動(dòng)TD-LTE制式。  
          • 關(guān)鍵字: TD-LTE  4G  

          射頻波束賦形技術(shù)改善 TD-LTE 蜂窩小區(qū)邊緣性能

          • 2013年10月16日,高度集成電源管理、音頻、AC/DC 與短距離無線技術(shù)提供商Dialog半導(dǎo)體有限公司(法蘭克福證券交易所代碼:DLG)
          • 關(guān)鍵字: Dialog  射頻  TD-LTE  LED  天線陣元  

          基于CMW500的數(shù)據(jù)應(yīng)用測(cè)試

          • 隨著中國(guó)移動(dòng)的TD-LTE網(wǎng)絡(luò)商用廣告頻頻出現(xiàn)在公眾的視野,4G時(shí)代的到來已經(jīng)成為不爭(zhēng)的事實(shí)?,F(xiàn)階段,移動(dòng)用戶對(duì)...
          • 關(guān)鍵字: CMW500  數(shù)據(jù)應(yīng)用測(cè)試  TD-LTE  

          觀我國(guó)TD-LTE芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展:任重而道遠(yuǎn)

          •   伴隨著TD-LTE產(chǎn)業(yè)的前進(jìn)步伐,TD-LTE芯片及終端也正在快速成熟。在不久前召開的2013年北京通信展上,包括運(yùn)營(yíng)商、終端廠商及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟在內(nèi)的多方都展示了TD-LTE芯片和終端的發(fā)展成果。雖然今天的TD-LTE產(chǎn)業(yè)與FDD、TDD仍然有一定的差距,但是在即將到來的規(guī)模商用條件下,在以運(yùn)營(yíng)商為代表的產(chǎn)業(yè)鏈的強(qiáng)有力推動(dòng)下,TD-LTE芯片和終端產(chǎn)業(yè)將迎來前所未有的大發(fā)展。   一項(xiàng)新的移動(dòng)通信技術(shù)的應(yīng)用和發(fā)展離不開終端芯片產(chǎn)業(yè)的支撐。受移動(dòng)通信發(fā)展規(guī)律的制約,終端芯片產(chǎn)業(yè)又往往是最晚成熟的產(chǎn)業(yè)環(huán)
          • 關(guān)鍵字: TD-LTE  芯片  

          觀我國(guó)TD-LTE芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展:任重而道遠(yuǎn)

          •   伴隨著TD-LTE產(chǎn)業(yè)的前進(jìn)步伐,TD-LTE芯片及終端也正在快速成熟。在不久前召開的2013年北京通信展上,包括運(yùn)營(yíng)商、終端廠商及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟在內(nèi)的多方都展示了TD-LTE芯片和終端的發(fā)展成果。雖然今天的TD-LTE產(chǎn)業(yè)與FDD、TDD仍然有一定的差距,但是在即將到來的規(guī)模商用條件下,在以運(yùn)營(yíng)商為代表的產(chǎn)業(yè)鏈的強(qiáng)有力推動(dòng)下,TD-LTE芯片和終端產(chǎn)業(yè)將迎來前所未有的大發(fā)展。   一項(xiàng)新的移動(dòng)通信技術(shù)的應(yīng)用和發(fā)展離不開終端芯片產(chǎn)業(yè)的支撐。受移動(dòng)通信發(fā)展規(guī)律的制約,終端芯片產(chǎn)業(yè)又往往是最晚成熟的產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)。
          • 關(guān)鍵字: TD-LTE  芯片  

          充分利用好F頻段是快速發(fā)展TD-LTE的關(guān)鍵(二)

          • 四、F頻段用于TD-LTE可與TD-SCDMA共用智能天線,雙流波束賦形技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)可得以充分發(fā)揮  現(xiàn)網(wǎng)TD-SCDMA ...
          • 關(guān)鍵字: F頻段  TD-LTE  

          充分利用好F頻段是快速發(fā)展TD-LTE的關(guān)鍵(一)

          • 2012年中國(guó)移動(dòng)正式啟動(dòng)了TD-LTE第一階段的規(guī)模試驗(yàn)網(wǎng)建設(shè),本次規(guī)模試驗(yàn)網(wǎng)既是對(duì)前期TD-LTE技術(shù)研究成果及端 ...
          • 關(guān)鍵字: F頻段  TD-LTE  
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          td-scdma空間輻射性能ot介紹

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