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          鋁電解電容器緊湊型焊片式系列,紋波電流能力顯著增強(qiáng)

          •   TDK 公司近日發(fā)布了一款新的愛(ài)普科斯 (EPCOS) 焊片式系列鋁電解電容器。新系列電容器的 紋波電流能力比之前的愛(ài)普科斯 (EPCOS) 系列增強(qiáng)了多達(dá) 25%,其中新 B43642*系列電容器 尺寸緊湊:直徑為 22 mm 至 35 mm,高度為 25 mm 至 55 mm。   該系列電容器額定電壓范圍為 200 V DC 至 450 V DC,容量范圍為 82 µF 至 3300 µF,在 105°C 的溫度條件下連續(xù)工作時(shí)使用壽命可達(dá) 3000 小時(shí)。
          • 關(guān)鍵字: 鋁電解電容  TDK   愛(ài)普科斯  

          鋁電解電容器緊湊螺釘式系列,超強(qiáng)紋波電流能力

          •   2014 年 工業(yè)自動(dòng)化展產(chǎn)品亮點(diǎn)   TDK 公司近日發(fā)布了三款新型的愛(ài)普科斯 (EPCOS) 螺釘式系列鋁電解電容器。新系列電容器不僅具有超強(qiáng)的紋波電流能力,且尺寸極其緊湊。其中,新 B43703*系列電容器適用額定電壓 范圍為 350 V DC 至 450 V DC,容量范圍為 1,500 μF 至 22,000 μF。與之前系列相比,在相 同的紋波電流能力條件下,新系列電容器的體積可減小達(dá) 20%。新型電容器尺寸極其緊湊,直徑為 51.6 mm 至 90.0 mm,高
          • 關(guān)鍵字: 鋁電解電容  TDK   愛(ài)普科斯  

          干掉閃存 下代MRAM首次展示:快7倍

          •   近日,日本TDK首次展示了新型存儲(chǔ)技術(shù)MRAM的原型,有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機(jī)訪問(wèn)內(nèi)存,已經(jīng)存在一段時(shí)間了,但是TDK將其帶到了一個(gè)新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì),而它的名字來(lái)自自旋傳輸矩,也即是寫(xiě)入數(shù)據(jù)的時(shí)候利用電子角動(dòng)量來(lái)改變磁場(chǎng)?! RAM技術(shù)的讀寫(xiě)速度可以媲美SRAM、DRAM,當(dāng)同時(shí)又是非易失性的,也就是可以斷電保存數(shù)據(jù),等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點(diǎn)。  TDK多年來(lái)一直在研究STT-MRAM,但此前從未公開(kāi)展示。這次拿出的原型芯片和一個(gè)NOR&n
          • 關(guān)鍵字: TDK  閃存  

          從鐵氧體擴(kuò)展開(kāi)來(lái),進(jìn)行“技術(shù)革命”

          •   上世紀(jì)八十年代的日本TDK磁帶,很多人十分熟悉。實(shí)際上,TDK以磁技術(shù)為特色。該公司成立于1935年,明年即將迎來(lái)80周年華誕。如今,TDK有哪些新技術(shù),其未來(lái)技術(shù)走向如何?近日,筆者及部分國(guó)內(nèi)專業(yè)媒體,探訪了TDK位于日本的總部,見(jiàn)到了TDK的技術(shù)掌舵人。
          • 關(guān)鍵字: TDK  鐵氧體  薄膜磁頭  傳感器  201411  

          500強(qiáng)企業(yè)TDK超高壓電容器項(xiàng)目投產(chǎn)

          •   8月23日,云霄縣互惠光電有限公司,由世界500強(qiáng)企業(yè)TDK投資的二期10條超高壓電容器生產(chǎn)線全面投產(chǎn),預(yù)計(jì)年產(chǎn)值可達(dá)1億元以上。該項(xiàng)目填補(bǔ)了省內(nèi)空白。今年來(lái),云霄實(shí)施科技補(bǔ)助、出口補(bǔ)助等政策,鼓勵(lì)企業(yè)增資擴(kuò)產(chǎn),目前全縣已有30多家企業(yè)擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。
          • 關(guān)鍵字: TDK  超高壓電容器  

          Mouser Electronics 榮獲 TDK-Lambda 頒發(fā)的最佳成長(zhǎng)大獎(jiǎng)

          •   半導(dǎo)體與電子元器件業(yè)頂尖工程設(shè)計(jì)資源與全球授權(quán)分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 榮獲 TDK Corporation 旗下的集團(tuán)公司 TDK-Lambda Americas Inc.頒發(fā)的 2013 年度最佳成長(zhǎng)大獎(jiǎng)。   本獎(jiǎng)項(xiàng)旨在表彰分銷(xiāo)商 Mouser 在2013年協(xié)助 TDK-Lambda 突破業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)和銷(xiāo)售目標(biāo)方面的突出成就。TDK-Lambda 作為領(lǐng)先的工業(yè)電源制造商,致力于為全球工業(yè)領(lǐng)域提供高可靠性產(chǎn)品,Mouser.cn 為您提供了所有這些產(chǎn)品。   Mo
          • 關(guān)鍵字: TDK-Lambda  Mouser  電源  

          TDK推出支持M.2 form factor的SSD SNG4A系列

          •   據(jù)悉,TDK株式會(huì)社(社長(zhǎng):上釜健宏)將于2014年8月開(kāi)始銷(xiāo)售工業(yè)用NAND閃存模塊SNG4A系列,該系列產(chǎn)品支持M.2插槽、是尺寸約22mm×42mm的小型SSD,通過(guò)采用SLC型NAND閃存使容量陣容可擴(kuò)充至64GByte,并支持串行ATAⅡ。   目前,在消費(fèi)用途方面M.2作為今后主流的form factor而備受關(guān)注,而在工業(yè)用途方面,預(yù)計(jì)M.2的采用也會(huì)得到推進(jìn)。工業(yè)用主板所呈現(xiàn)出的趨勢(shì)是在重視轉(zhuǎn)發(fā)速度的同時(shí),更加重視可靠性,許多裝置的使用年限都超過(guò)了10年。   因此,考
          • 關(guān)鍵字: TDK  閃存  SNG4A  

          TDK技術(shù)和產(chǎn)品新聞發(fā)布會(huì)期2013

          •   近年來(lái),汽車(chē)的電子化進(jìn)程正不斷發(fā)展,隨著越來(lái)越多的電子控制單元(ECU)搭載于發(fā)動(dòng)機(jī)室周?chē)@種極端溫度環(huán)境下所使用的電容器要求有很高的耐熱性、可靠性及緊湊性。TDK已擴(kuò)大其MEGACAP類型中的CKG系列積層陶瓷電容器,目前包括了小型尺寸1608~3216(EIA?0603~1206)。而此前積層陶瓷電容器只有3225~5750尺寸(EIA1210~2220)。新的1608組件尺寸只有1.9×1.3×1.5mm3,是世界上最小的車(chē)載帶引線框架積層陶瓷電容器。將于2014年4月開(kāi)始量產(chǎn)?! ?/li>
          • 關(guān)鍵字: TDK  MEGACAP  電容器  

          超小型藍(lán)牙模塊

          •   ·?最適合可穿戴設(shè)備的世界最小*尺寸4.6?x?5.6?x?1.0mm(TYP)  ·?可輕松地與Bluetooth??Smart?Ready兼容產(chǎn)品進(jìn)行通信  ·?以天線分離式擴(kuò)大了產(chǎn)品設(shè)計(jì)的自由度  2014年2月12日  TDK株式會(huì)社(社長(zhǎng):上釜 健宏)開(kāi)發(fā)出最適合于今后將會(huì)迅速普及的可穿戴設(shè)備的超小型Bluetooth?模塊(產(chǎn)品名:SESUB-PAN-T2541),并將從2014年2月起開(kāi)始量產(chǎn)?! ?/li>
          • 關(guān)鍵字: Bluetooth  TYP  TDK  

          EMC對(duì)策元件

          •   TDK株式會(huì)社(社長(zhǎng):上釜健宏)開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高水平※阻抗值的信號(hào)傳輸電路用片式磁珠MMZ1005-V(?L:1.0×W:0.5×H:0.5mm)系列,并從2013年9月起開(kāi)始量產(chǎn)?! ≡谝灾悄苁謾C(jī)為代表的移動(dòng)通信設(shè)備中,由于搭載了WiFi、LTE等,通信頻率正日益走向高頻化。隨之,包括模塊在內(nèi)的被動(dòng)元件,都需要可以應(yīng)對(duì)2GHz以上頻率的噪聲對(duì)策。  該產(chǎn)品通過(guò)采用新型磁性材料,將阻抗峰值頻率擴(kuò)大到2.5GHz頻段,實(shí)現(xiàn)了高阻抗。在2.5GHz上的阻抗值為3,000(Ω)typ.,與以往產(chǎn)
          • 關(guān)鍵字: EMC  元件  TDK  

          電容器

          •   2014年慕尼黑上海電子展產(chǎn)品亮點(diǎn)  TDK公司為變頻器提供一款采用了愛(ài)普科斯(EPCOS)?CeraLink?技術(shù)的全新直流鏈路電容器。CeraLink?技術(shù)是以PLZT陶瓷材料為基礎(chǔ)(鉛鑭鋯鈦酸),使用的容值范圍為1?微法?至100?微法,額定直流電壓為400?伏。另一款電容器的額定直流電壓為800伏,容值為5?微法。  CeraLink?新技術(shù)在功率變換器的直流鏈路的穩(wěn)定性和濾波方面具有很多優(yōu)勢(shì)-特別與傳統(tǒng)電容器技術(shù)相比:由于該款新電容
          • 關(guān)鍵字: TDK  電容器  CeraLink  SiC  

          聲學(xué)元件

          •   2014年慕尼黑上海電子展產(chǎn)品亮點(diǎn)  TDK公司最近新推出了C928型麥克風(fēng),進(jìn)一步擴(kuò)大了愛(ài)普科斯?(EPCOS)?MEMS麥克風(fēng)的產(chǎn)品類型。該款麥克風(fēng)擁有高達(dá)66dB(A)的信噪比?(SNR),頻率范圍為20Hz到20KHz,非常適用于智能手機(jī)中高要求的音頻應(yīng)用。當(dāng)音源較遠(yuǎn)時(shí),例如免提通話或錄制視頻時(shí),它的高信噪比能夠顯著提高音質(zhì)?! ?duì)于傳統(tǒng)麥克風(fēng),在高聲壓情況下,較高的信噪比通常會(huì)大幅增加非線性失真度。而對(duì)于采用創(chuàng)新設(shè)計(jì)的C928?MEMS麥克風(fēng)而言,即便
          • 關(guān)鍵字: TDK  MEMS  MEMS  

          多層壓敏電阻

          • ????????·?與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比體積減小80%,插入高度僅0.1mm  ·?ESD?脈沖吸收能力提高了50?倍?!  ?替代瞬態(tài)電壓抑制?(TVS)二極管的最佳選擇  2014年慕尼黑上海電子展產(chǎn)品亮點(diǎn)  TDK?公司推出了最新研發(fā)的愛(ài)普科斯?(EPCOS)?CeraDiode?系列的多層壓敏電阻,其中包括目前最緊湊、最堅(jiān)固耐用的超薄壓
          • 關(guān)鍵字: ESD  壓敏電阻  TDK  

          TDK電感器實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高水平Q特性的高頻電感器的量產(chǎn)

          • 2014年2月18日,TDK株式會(huì)社(社長(zhǎng):上釜健宏)開(kāi)發(fā)出了實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高水平※Q特性的積層工法高頻電路用電感器MHQ0402P系列,并從2014年2月起開(kāi)始量產(chǎn)。
          • 關(guān)鍵字: TDK  Q特性  電感器  

          TDK以磁性材料為基礎(chǔ)構(gòu)建電子技術(shù)新時(shí)代

          • 近日,以磁性材料起家的TDK公司攜手旗下的EPCOS和TDK-Lambda,在2013高交會(huì)上為大家?guī)?lái)了基于高性能磁性材料的全新電子技術(shù)和產(chǎn)品,并展示了其廣泛的創(chuàng)新應(yīng)用。
          • 關(guān)鍵字: TDK  電容器  傳感器  201401  
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