transphorm 文章進(jìn)入transphorm技術(shù)社區(qū)

瑞薩完成對(duì)Transphorm的收購(gòu)

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（以下“瑞薩”）近日宣布，已于2024年6月20日完成對(duì)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）的收購(gòu)。隨著收購(gòu)的完成，瑞薩電子將立即開始提供基于GaN的功率產(chǎn)品和相關(guān)參考設(shè)計(jì)，以滿足對(duì)寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體產(chǎn)品日益增長(zhǎng)的需求。與傳統(tǒng)的硅基器件相比，GaN和碳化硅（SiC）等WBG材料具有出色的功率效率、更高的開關(guān)頻率和較小的占用空間，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體的關(guān)鍵技術(shù)。受電動(dòng)汽車（EV）
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GaN“上車”進(jìn)程加速，車用功率器件市場(chǎng)格局將改寫

根據(jù)Yole機(jī)構(gòu)2024 Q1的預(yù)測(cè)，氮化鎵 (GaN) 功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)2023至2029年平均復(fù)合年增長(zhǎng) (CAGR) 將高于45%，其中表現(xiàn)最為搶眼的是汽車與出行市場(chǎng)（automotive & mobility），“從無到有”，五年后即有望占據(jù)三分之一的GaN應(yīng)用市場(chǎng)（圖1）。而相比之下，碳化硅（SiC）應(yīng)用市場(chǎng)成長(zhǎng)則顯得比較溫和，CAGR遠(yuǎn)低于GaN（圖1）。隨著GaN“上車”進(jìn)程加速，功率器件器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局或?qū)⒈桓膶?。圖1：在GaN市場(chǎng)份額變化中，汽車與出行市場(chǎng) “從無到有”，五年后
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款集成型SiP氮化鎵器件

全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.與適配器USB PD控制器集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者Weltrend Semiconductor Inc.近日宣布推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵 SiP 一起，組成首個(gè)基于Transphorm SuperGaN?平臺(tái)的系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號(hào)分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準(zhǔn)諧振/谷底開關(guān)）反激式PWM控制器和T
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Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件，針對(duì)高功率服務(wù)器、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域擴(kuò)展產(chǎn)品線

加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導(dǎo)通電阻，并配有一個(gè)開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實(shí)現(xiàn)更全面的開關(guān)功能。新
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瑞薩電子3.39億美元收購(gòu)Transphorm

1月12日消息，日前，半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm達(dá)成最終協(xié)議，根據(jù)協(xié)議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價(jià)格收購(gòu)Transphorm，較Transphorm 在1月10日的收盤價(jià)溢價(jià)約35%，總估值約為3.39億美元。此次收購(gòu)將為瑞薩提供GaN的內(nèi)部技術(shù)，從而擴(kuò)展其在電動(dòng)汽車、計(jì)算（數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施）、可再生能源、工業(yè)電源以及快速充電器/適配器等快速增長(zhǎng)市場(chǎng)的業(yè)務(wù)范圍。據(jù)悉，瑞薩將采用Transphorm的汽車級(jí)GaN技術(shù)來開發(fā)新的增強(qiáng)型
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瑞薩收購(gòu)Transphorm,利用GaN技術(shù)擴(kuò)展電源產(chǎn)品陣容

2024 年 1 月 11 日 3:00 p.m. JST，日本東京 | 2024 年 1 月 10 日 10:00 p.m. PST 加利福尼亞州戈利塔訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達(dá)成最終協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購(gòu)Transphorm所有已發(fā)行普通股，較Transphorm在2024年1月
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Transphorm與偉詮電子合作推出氮化鎵系統(tǒng)級(jí)封裝器件

Weltrend新參考設(shè)計(jì)表明，擁有成本優(yōu)勢(shì)的SuperGaN SiP IC，適用于65瓦和100瓦適配器，為客戶帶來規(guī)模經(jīng)濟(jì)以及無與倫比的氮化鎵穩(wěn)健性?2023 年 12 月 28 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）與適配器USB-C PD控制器集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者Weltrend Semiconductor Inc.（偉詮電子，TWSE：2436）宣布合作推出100瓦USB-C PD電源適配器參考設(shè)計(jì)。該參考設(shè)計(jì)電路
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Transphorm發(fā)布兩款應(yīng)用于兩輪和三輪電動(dòng)車電池充電器的參考設(shè)計(jì)

2023 年 12月 21 日－全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克股票代碼TGAN）宣布推出兩款面向電動(dòng)車充電應(yīng)用的全新參考設(shè)計(jì)。300W和600W恒流/恒壓（CC/CV）電池充電器采用 Transphorm 的70毫歐和150毫歐 SuperGaN? 器件，以極具競(jìng)爭(zhēng)力的成本實(shí)現(xiàn)高效的 AC-DC 功率轉(zhuǎn)換和高功率密度。這兩款參考設(shè)計(jì)旨在幫助兩輪和三輪電動(dòng)車充電器快速實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)悉，印度和中國(guó)的兩輪和三輪電動(dòng)車年銷量分別超過 1,
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Transphorm攜手Allegro MicroSystems提升大功率應(yīng)用中氮化鎵電源系統(tǒng)性能

全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.近日宣布與為運(yùn)動(dòng)控制和節(jié)能系統(tǒng)提供電源及傳感半導(dǎo)體技術(shù)的全球領(lǐng)先企業(yè)Allegro MicroSystems, Inc.（Allegro）開展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN?場(chǎng)效應(yīng)晶體管和Allegro的AHV85110隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，針對(duì)大功率應(yīng)用擴(kuò)展氮化鎵電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)。Transphorm 的 SuperGaN ?FET可用于各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，并能夠提供多種封裝形式，支持廣泛的功率級(jí)，滿足不同終端
關(guān)鍵字： Transphorm Allegro 氮化鎵電源

Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件,助力計(jì)算、人工智能、能源和汽車電源系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)卓越的熱性能和電氣性能

新推出器件是業(yè)界首款采用頂部散熱的 TOLT 氮化鎵晶體管,擴(kuò)展Transphorm多樣化的產(chǎn)品封裝組合
關(guān)鍵字： Transphorm TOLT封裝氮化鎵 SuperGaN

Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應(yīng)用的最佳器件

加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日－新世代電力系統(tǒng)的未來、氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET，導(dǎo)通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經(jīng)驗(yàn)證的高壓動(dòng)態(tài)(開關(guān))導(dǎo)通電阻可
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Transphorm最新技術(shù)白皮書:常閉耗盡型(D-Mode)與增強(qiáng)型(E-Mode)氮化鎵晶體管的優(yōu)勢(shì)對(duì)比

氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的全球領(lǐng)先企業(yè)Transphorm, Inc.近日發(fā)布了題為『Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優(yōu)勢(shì)』的最新白皮書。該技術(shù)文獻(xiàn)科普了共源共柵 (常閉) d-mode氮化鎵平臺(tái)固有的優(yōu)勢(shì)。重要的是，該文章還解釋了e-mode平臺(tái)為實(shí)現(xiàn)常閉型解決方案，從根本上 (物理層面) 削弱了諸多氮化鎵自身的性能優(yōu)勢(shì)。要點(diǎn)白皮書介紹了 normally-off d-mode 氮化鎵平臺(tái)的幾個(gè)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，包括：1.性能更高：優(yōu)越的 TCR (~25%)，更低的動(dòng)態(tài)與靜態(tài)導(dǎo)通電阻比
關(guān)鍵字： Transphorm 常閉耗盡型 D-Mode 增強(qiáng)型 E-Mode 氮化鎵

SuperGaN使氮化鎵產(chǎn)品更高效

1 專注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)，致力于設(shè)計(jì)和制造用于新世代電力系統(tǒng)的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（目前處于開發(fā)階段）氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項(xiàng)專利，氮化鎵器件為單一業(yè)務(wù)。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業(yè)模式運(yùn)營(yíng)的上市公司，這意味著在器件開發(fā)的每個(gè)關(guān)鍵階段，我們均能做到自主可控和創(chuàng)新——包括GaN HEMT 器件設(shè)計(jì)、外延片材料、晶圓制程工藝，直至最終氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管芯片。
關(guān)鍵字： 202310 SuperGaN 氮化鎵 GaN Transphorm

Transphorm氮化鎵器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首個(gè)全集成化微型逆變器光伏系統(tǒng)

新世代電力系統(tǒng)的未來，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.近日宣布，DAH Solar Co., Ltd.的世界首個(gè)集成型光伏（PV）系統(tǒng)采用了Transphorm氮化鎵平臺(tái)，DAH Solar是安徽大恒新能源技術(shù)公司的子公司。該集成型光伏系統(tǒng)已應(yīng)用在大恒能源的最新SolarUnit 產(chǎn)品。DAH Solar對(duì)系統(tǒng)中所使用的Transphorm的GaN FET器件給予高度評(píng)價(jià)，認(rèn)為能夠生產(chǎn)出更小、更輕、更可靠的太陽能電池板系統(tǒng)，同時(shí)還能以更低的能耗提供更高的總發(fā)電量
關(guān)鍵字： Transphorm 氮化鎵器件 DAH Solar 大恒能源微型逆變器光伏系統(tǒng)

Transphorm氮化鎵器件率先達(dá)到對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用至關(guān)重要的抗短路穩(wěn)健性里程碑

新世代電力系統(tǒng)的未來，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.近日宣布，利用該公司的一項(xiàng)專利技術(shù)，在氮化鎵功率晶體管上實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)達(dá)5微秒的短路耐受時(shí)間（SCWT）。這是同類產(chǎn)品有記錄以來首次達(dá)到的成就，也是整個(gè)行業(yè)的一個(gè)重要里程碑，證明?Transphorm 的氮化鎵器件能夠滿足伺服電機(jī)、工業(yè)電機(jī)和汽車動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)等傳統(tǒng)上由硅?IGBT 或碳化硅（SiC）MOSFET 提供支持的堅(jiān)固型功率逆變器所需的抗短路能力 --- 氮化鎵在這類應(yīng)用領(lǐng)域未來五年的
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