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如何在電源上選擇MOS管

在開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用MOS管的時(shí)候，在很多電源設(shè)計(jì)人員的都將采用一套公式，質(zhì)量因數(shù)(柵極電荷QG ×導(dǎo)通阻抗RDS(ON))。來(lái)對(duì)mos管來(lái)驗(yàn)證。在開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用MOS管的時(shí)候，在很多電源設(shè)計(jì)人員的都將采用一套公式，質(zhì)量因數(shù)(柵極電荷QG ×導(dǎo)通阻抗RDS(ON))。來(lái)對(duì)mos管來(lái)驗(yàn)證。那么柵極電荷和導(dǎo)通阻抗很重要，這都是對(duì)電源的效率有直接的影響，主要是傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗。還有在電源中第二重要的是MOS管參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。用于針對(duì)N+1冗余拓?fù)涞牟⑿须娫纯刂频腗OS管在ORing F
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功率放大器電路中的三極管和MOS管，究竟有什么區(qū)別？

學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時(shí)最常見(jiàn)的電子元器件就是三極管和場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構(gòu)建功率放大器電路時(shí)我們要怎么選擇呢？學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時(shí)最常見(jiàn)的電子元器件就是三極管和場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構(gòu)建功率放大器電路時(shí)我們要怎么選擇呢？首先我們明確一下二者的概念三極管：全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控
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短溝道 MOS 晶體管中的漏電流成分

MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化物厚度的減少，進(jìn)而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關(guān)重要。MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化物厚度的減少，進(jìn)而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關(guān)重要。在我們嘗試了解各種漏電流成
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無(wú)線通信和定位成物聯(lián)網(wǎng)標(biāo)配，u-blox帶來(lái)瑞士品質(zhì)與服務(wù)

移動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代，從車聯(lián)網(wǎng)、機(jī)器人到智能可穿戴設(shè)備，無(wú)線連接與位置服務(wù)均有望成為智能設(shè)備的標(biāo)配。對(duì)于那些任務(wù)關(guān)鍵型與環(huán)境苛刻類應(yīng)用，衛(wèi)星定位是不二選擇，而且需要的定位精度、速度和安全性不斷提升。這離不開(kāi)基礎(chǔ)元器件——芯片、板卡/模塊、軟件、天線等，需要較高的技術(shù)含量，往往需要長(zhǎng)時(shí)間的技術(shù)積累與巨大的資金投入。瑞士的u-blox公司在此領(lǐng)域就已耕耘了超過(guò)25年，去年總營(yíng)收6.24億瑞士法郎（1瑞士法郎≈7.80人民幣），銷售量超過(guò)1億塊芯片和模塊。從2007年到2021年，公司以15%的復(fù)合年增長(zhǎng)率高速成長(zhǎng)。
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功率MOS管損壞的典型

如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。在介質(zhì)負(fù)載的開(kāi)關(guān)運(yùn)行斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引
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Phillips-Medisize和U-Turn Audio公司調(diào)高音量

· 美國(guó)最大的唱機(jī)制造商與北美最大的鎂材料觸變成型制造商合作推出創(chuàng)新型唱臂技術(shù)· 要設(shè)計(jì)更好的聲音，就需要在復(fù)雜的產(chǎn)品設(shè)計(jì)、工程和觸變成型方面擁有特殊的專業(yè)技能· 通過(guò)將三個(gè)部件合并為一個(gè)單體部件，降低了模具成本和對(duì)供應(yīng)鏈的要求，并縮短了產(chǎn)品裝配時(shí)間威斯康星州哈德遜–2
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一文看懂GNSS保護(hù)級(jí)別

在關(guān)鍵應(yīng)用中，必須始終能確保GNSS接收機(jī)的可信度。保護(hù)級(jí)別信息由GNSS接收機(jī)實(shí)時(shí)計(jì)算，能夠量化定位信息的可靠性、提高數(shù)據(jù)質(zhì)量并保護(hù)人員和資產(chǎn)的安全。GNSS接收機(jī)的保護(hù)級(jí)別表示特定置信度下的最大可能定位誤差。例如，如果某個(gè)GNSS接收機(jī)在95%的置信度下保護(hù)級(jí)別為1米，那么所報(bào)告的定位距離真實(shí)定位超過(guò)1米的可能性只有5%。與GNSS接收機(jī)定位信息的精度一樣，保護(hù)級(jí)別會(huì)不斷波動(dòng)，GNSS的所有誤差來(lái)源都會(huì)影響到保護(hù)級(jí)別。保護(hù)級(jí)別可持續(xù)提供GNSS接收機(jī)預(yù)期誤差上限，讓應(yīng)用能根據(jù)所接收到信息的質(zhì)量調(diào)整其運(yùn)
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巧用MOS管的體二極管

用過(guò)MOS管的小伙伴都知道，其內(nèi)部有一個(gè)寄生二極管，有的也叫做體二極管。PMOS管做開(kāi)關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當(dāng)Vsg大于閾值電壓，MOS管導(dǎo)通，一般MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都很小，毫歐級(jí)別，過(guò)幾安培的電流，壓降也才毫伏級(jí)別，此時(shí)體二極管是截至狀態(tài)的。用過(guò)MOS管的小伙伴都知道，其內(nèi)部有一個(gè)寄生二極管，有的也叫做體二極管。1、PMOS管做開(kāi)關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當(dāng)Vsg大于閾值電壓，MOS管導(dǎo)通，一般MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都很小，毫歐級(jí)別，過(guò)幾安培的電流，壓降也才毫伏級(jí)別，此時(shí)體二極管是截至狀
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貿(mào)澤備貨u-blox JODY-W3基于主機(jī)的汽車模塊

2023年4月24日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨u-blox的JODY-W3基于主機(jī)的汽車模塊。JODY-W3基于主機(jī)的汽車模塊旨在滿足汽車和工業(yè)IoT應(yīng)用對(duì)無(wú)線高速、高數(shù)據(jù)通信連接日益增長(zhǎng)的需求，如制造車間自動(dòng)化、機(jī)器控制、安防和監(jiān)控。貿(mào)澤備貨的u-blox JODY-W3基于主機(jī)的汽車模塊為工程師提供并行雙頻（2.4GHz和5GHz）多無(wú)線電功能，包括雙模藍(lán)牙5.1和支持2 x 2 MIMO的W
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世平基于安森美半導(dǎo)體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應(yīng)用于小型化工業(yè)電源供應(yīng)器方案

安森美GAN_Fet驅(qū)動(dòng)方案(NCP51820)。數(shù)十年來(lái)，硅來(lái)料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個(gè)狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開(kāi)始改變。由開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體，它們具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的特性。但問(wèn)題在于化合物半導(dǎo)體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢(shì)。作為解決方案出現(xiàn)的兩個(gè)化合物半導(dǎo)體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長(zhǎng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器
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放大器設(shè)計(jì)：晶體管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶體管的區(qū)別

晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識(shí)，這其實(shí)是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見(jiàn)的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開(kāi)關(guān)，它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒(méi)有任何動(dòng)作部件的開(kāi)關(guān)，晶體管類似于繼電器，因?yàn)槟憧梢杂盟鼇?lái)打開(kāi)或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開(kāi)，這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有
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RT-Labs發(fā)布可通過(guò)軟件實(shí)施統(tǒng)一現(xiàn)場(chǎng)總線的U-Phy

瑞典哥德堡，2022年11月23日 – RT-Labs今天宣布推出一種全新、基于軟件的解決方案U-Phy，工業(yè)設(shè)備開(kāi)發(fā)者可以借助該解決方案在開(kāi)放硬件設(shè)計(jì)上實(shí)現(xiàn)兩種最流行的工業(yè)通信協(xié)議（現(xiàn)場(chǎng)總線）：Profinet和EtherCAT。通過(guò)采用U-Phy，開(kāi)發(fā)者可以獲得更高靈活性，無(wú)需對(duì)某些供應(yīng)商過(guò)度依賴，同時(shí)減少開(kāi)發(fā)時(shí)間和成本。作為預(yù)先認(rèn)證的解決方案，RT-Labs不需要關(guān)于具體協(xié)議的專門知識(shí)?；诎娑惖膶Ｓ眉呻娐罚ˋSIC）或?qū)Ｓ猛ㄐ拍K已成為工業(yè)設(shè)備（如傳感器和致動(dòng)器）通過(guò)現(xiàn)場(chǎng)總線網(wǎng)絡(luò)與其他
關(guān)鍵字： RT-Labs 現(xiàn)場(chǎng)總線 U-Phy

RS瑞森半導(dǎo)體高壓MOS在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用

開(kāi)關(guān)電源（Switch Mode Power Supply，簡(jiǎn)稱SMPS），又稱交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器，是電源供應(yīng)器的一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，也是一種以半導(dǎo)體功率器件為開(kāi)關(guān)管，控制其關(guān)斷開(kāi)啟時(shí)間比率，來(lái)保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。開(kāi)關(guān)電源（Switch Mode Power Supply，簡(jiǎn)稱SMPS），又稱交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器，是電源供應(yīng)器的一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，也是一種以半導(dǎo)體功率器件為開(kāi)關(guān)管，控制其關(guān)斷開(kāi)啟時(shí)間比率，來(lái)保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。在目前電子產(chǎn)品的飛速增長(zhǎng)中，開(kāi)關(guān)電源憑借其70%~
關(guān)鍵字：瑞森半導(dǎo)體 MOS 開(kāi)關(guān)電源

TP4054 TP4056 TP4057專業(yè)電源管理IC MOS

極限TP4057充電模塊TP4057是一款單節(jié)鋰電池專用的恒流/恒壓線性充電IC,其內(nèi)部帶有電池反接保護(hù)及防倒充電路。該充電IC的工作電壓范圍為4～6V,靜態(tài)工作電流僅有40μA模塊尺寸8x10mm。集成鋰電保護(hù)和指示燈?？勺鳛镾MT貼片模塊使用貼裝在其他主板上
關(guān)鍵字：充電IC TP4054 TP4056 TP4057 電源管理IC MOS

基于英飛凌數(shù)位半橋返馳式(XDPS2201)+賽普拉斯通訊協(xié)議(CYPD3174) 之 65W PD充電器方案

隨著USB PD產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用與普及化，Infineon推出全新數(shù)位共振返馳式PWM電源控制芯片，此一架構(gòu)除較現(xiàn)行客戶常使用之ACF架構(gòu)更具競(jìng)爭(zhēng)力，在電路設(shè)計(jì)上相對(duì)容易，還可減少元件數(shù)量，且數(shù)位化的設(shè)計(jì)界面可滿足不同輸出瓦數(shù)的產(chǎn)品應(yīng)用，提高在設(shè)計(jì)上的靈活度與可靠性。同時(shí)搭配Cypress PD控制芯片，借由數(shù)位控制與參數(shù)設(shè)定功能來(lái)改變輸出電壓，藉以符合各種不同產(chǎn)品的應(yīng)用。同時(shí)Infineon共振返馳式電源芯片在與Cypress PD控制芯片，可大幅度提高效率與功率密度的表現(xiàn)，更可以減少客戶的產(chǎn)品設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)
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