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外媒稱EDA巨頭新思科技被美國商務(wù)部調(diào)查

據(jù)外媒報道,美國商務(wù)部正調(diào)查全球最大的EDA公司新思科技(Synopsys),因為該公司涉嫌違法轉(zhuǎn)讓相關(guān)技術(shù)給華為和中芯國際。受此消息拖累,新思科技周三回吐早盤漲幅,終場收跌 1.32% 至每股 306.72 美元。消息人士指出,美國商務(wù)部正調(diào)查新思科技與中國的關(guān)聯(lián)公司之合作,該公司涉嫌向華為海思半導(dǎo)體部門提供晶片設(shè)計和軟體,以便在中芯國際進(jìn)行生產(chǎn)。但截至目前,美國商務(wù)部的調(diào)查過程尚未公開。早在去年12月,新思科技披露稱,已收到了美國商務(wù)部工業(yè)安全局 (BIS) 發(fā)出與“與某些中國實體交易”內(nèi)容有關(guān)的傳票
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路長且艱，國產(chǎn)EDA的發(fā)展之路

逼則反兵，走則減勢。緊隨勿迫，累其氣力，消其斗志，散而后擒，兵不血刃，這是三十六計中“欲擒故縱”的精義，卻被美國在EDA領(lǐng)域應(yīng)用的游刃有余，中國也因此錯失了發(fā)展國產(chǎn)EDA的20余年的重要時機(jī)，作為數(shù)千億集成電路、萬億電子信息的必不可少的支撐產(chǎn)業(yè)，EDA被譽為芯片領(lǐng)域的“工業(yè)母機(jī)”，國產(chǎn)EDA的發(fā)展路長且艱。一、EDA是何方神圣為什么說EDA那么重要，EDA全稱是電子設(shè)計自動化。打開芯片的封裝外殼，在高倍顯微鏡下對其表面進(jìn)行觀察，將會看到無數(shù)規(guī)則擺放的器件和連線，這是芯片的版圖。IC設(shè)計和制造這個版圖的各個
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東吳證券：2022年芯片EDA行業(yè)研究報告

數(shù)?；旌?IC 中通常模擬電路是核心，數(shù)字電路用來控制模擬電路實現(xiàn)特定的算法。在 IC 設(shè)計部分，EDA 軟件主要有模擬 IC 和數(shù)字 IC 的兩大類設(shè)計軟件。1.EDA是“半導(dǎo)體皇冠上的明珠”1.1. EDA 是用于 IC 設(shè)計生產(chǎn)的工業(yè)軟件EDA 是用來輔助超大規(guī)模集成電路設(shè)計生產(chǎn)的工業(yè)軟件。EDA 全稱是電子設(shè)計自動化（Electronic Design Automation），是指用于輔助完成超大規(guī)模集成電路芯片設(shè)計、制造、封裝、測試整個流程的計算機(jī)軟件。隨著芯片設(shè)計的復(fù)雜程度不斷提升，基于先進(jìn)工
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扎堆上市、納入“十四五”規(guī)劃，國產(chǎn)EDA軟件的春天來了？

回顧2021年中國ICT市場，“元宇宙、低代碼、國資云、產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、雙碳”無疑是令人首先想到的關(guān)鍵詞。那么，資深I(lǐng)CT產(chǎn)業(yè)觀察者如何用一詞表明自己的身份？答案是：國產(chǎn)EDA。相比上述關(guān)鍵詞，EDA（集成電路設(shè)計工具）即便放大到全球范圍，其市場都無法與前者比較。但市場規(guī)模并無法表明EDA的重要性。如何形容EDA？或許可將其比喻為生物圈的水，沒有水，碳基生命便無法存活；沒有EDA，全球幾十萬億的數(shù)字經(jīng)濟(jì)也無法發(fā)展。也正是因為EDA如水一般潤物無聲，所以在中國ICT市場里，其幾乎從未站在舞臺的中央。但在2021
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中國EDA新浪潮的黃金二十年

2002年，已在芯片業(yè)浸潤多時的謝仲輝回到上海。他早年求學(xué)于臺大，參與了新加坡政府一力扶持的特許半導(dǎo)體工廠的建立與運營。隨著身邊的同事逐漸回流大陸，他意識到國內(nèi)的芯片工業(yè)正在飛速發(fā)展，急需富有經(jīng)驗的人才為國效力。于是，他選擇了參加國家“909工程”的華虹。挑戰(zhàn)是顯而易見的：相比于國外的大客戶，國內(nèi)的芯片設(shè)計公司普遍弱小，一個月的訂單量不過幾十片、甚至更少，而芯片制造的前期流片投入?yún)s一點都不能少。光是一套掩模版就是幾十萬美金，讓諸多設(shè)計從業(yè)者望而卻步。為了降低客戶的前期投入，謝仲輝和他的團(tuán)隊想到了一個辦法—
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中科院EDA中心三維及納米集成電路設(shè)計自動化技術(shù)研究成果

研究方向一：三維納米級電路可制造性設(shè)計方法及EDA技術(shù)進(jìn)入納米工藝節(jié)點，電路的物理結(jié)構(gòu)對工藝容差和設(shè)計提出了新的挑戰(zhàn)，可制造性和成品率成為集成電路高端芯片能否實現(xiàn)批量生產(chǎn)并盈利的最關(guān)鍵因素之一，可制造性設(shè)計EDA技術(shù)搭建了溝通電路設(shè)計與工藝制造的橋梁，可系統(tǒng)提升納米芯片的良率和性能。實驗室針對集成電路先進(jìn)工藝制造和設(shè)計中存在的基礎(chǔ)性、前瞻性核心問題，開展三維納米級電路可制造性設(shè)計方法及EDA基礎(chǔ)理論和關(guān)鍵技術(shù)研究，構(gòu)建納米加工與設(shè)計協(xié)同優(yōu)化的具有自主知識產(chǎn)權(quán)的DFM軟件平臺，形成實現(xiàn)工藝熱點檢測和寄生參數(shù)
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三維快速模擬仿真電磁計算分析軟件

自主開發(fā)完成通用電磁模擬仿真分析軟件EMbridge，滿足電磁、機(jī)電器件需求。結(jié)合最新研發(fā)的算法成果顯著提高了場分析的效率。創(chuàng)新提出的快速多階敏感度算法、隨機(jī)譜方法能夠應(yīng)對IC工業(yè)中工業(yè)偏差引入的隨機(jī)影響。
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極低功耗SoC設(shè)計方法學(xué)及EDA工具

EDA中心在極低功耗SoC設(shè)計方法學(xué)及關(guān)鍵EDA技術(shù)領(lǐng)域開展了年的研發(fā)工作，研究設(shè)計了亞閾值溫度傳感器、32位亞閾值SAPTL超前進(jìn)位加法器、16位亞閾值B-SAPTL加法器、16x16亞閾值A(chǔ)SYN-B-SAPTL異步乘法器、動態(tài)可重構(gòu)亞閾值邏輯等多款極低功耗電路IP，技術(shù)指標(biāo)均優(yōu)于文獻(xiàn)報道的同類功能電路，研發(fā)了單元電路版圖微調(diào)軟件、電路結(jié)構(gòu)自動評測工具、電路器件參數(shù)優(yōu)化工具、快速High-σ蒙特卡洛分析工具、器件建模工具、PVT敏感的單元電路特征化工具等。極低功耗SoC設(shè)計方法學(xué)及關(guān)鍵EDA技術(shù)研究起
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中科院EDA中心：集成電路IP核標(biāo)準(zhǔn)

依托國家重大科技專項，EDA中心牽頭編制了國內(nèi)首個強制JYIP核標(biāo)準(zhǔn)《GJB7715-2012JY集成電路IP核通用要求》，建立IP核應(yīng)用推廣平臺，開發(fā)IP核主觀評測電子表格（IPQE），在此基礎(chǔ)上，完成多款移動通信與數(shù)字媒體芯片IP核的數(shù)據(jù)封裝和質(zhì)量評測服務(wù)?！禛JB7715-2012JY集成電路IP核通用要求》IP核應(yīng)用推廣平臺典型IP核數(shù)據(jù)封裝實例第三方IP核評測報告
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工藝與設(shè)計協(xié)同優(yōu)化的PDK與標(biāo)準(zhǔn)單元庫

EDA中心在PDK設(shè)計領(lǐng)域開展了十多年的研發(fā)工作，常年服務(wù)于國內(nèi)外主流Foundry、各大EDA公司和IC設(shè)計公司。能夠基于多種語言(Skill/Tcl/Python)開發(fā)適用于各種軟件平臺的PDK/oaPDK/iPDK。到目前為止，已經(jīng)基于國內(nèi)主流Foundry的28nm/40nm/65nm/0.11um eFlash/130nm/180nm/0.35um/1um/3um和700V BCD/TFT/CNT-FET等先進(jìn)工藝成功開發(fā)了近20套兼容不同數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)的商用PDK(包括大陸首套iPDK)。PDK交付
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納米尺度芯片Art DFM仿真平臺

基于65/45/40/28納米銅互連和28納米高k金屬柵CMP工藝及DFM設(shè)計規(guī)則，課題組開發(fā)了一套兼顧平坦化和寄生效應(yīng)、完整兼容業(yè)界主流EDA工具的DFM仿真平臺，該平臺具有超大規(guī)模版圖快速處理，ECP/CVD/PVD/CMP工藝模擬、熱點輸出與反標(biāo)等功能。通過對版圖進(jìn)行CMP分析和檢查，找出存在熱點的區(qū)域進(jìn)行冗余金屬填充，并根據(jù)設(shè)計需求進(jìn)行修正，形成CMP模擬與參數(shù)提取相結(jié)合的DFM優(yōu)化流程。DFM平臺解決了復(fù)雜超大版圖快速并行處理的技術(shù)難題，可以滿足65/45/40/28納米全芯片規(guī)模版圖處理的要求
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納米尺度芯片平坦性工藝仿真工具

研究65/45/40/28納米銅互連ECP/CMP及32/28納米HKMG CMP工藝，提出了耦合設(shè)計版圖與CMP機(jī)理的新型高效CMP建模技術(shù)，開發(fā)了多節(jié)點銅互連平坦性疊層仿真工具和28納米高k金屬柵DFM解決方案，可動態(tài)模擬ECP/CMP、ILD0 CVD/CMP和Al PVD/CMP工藝演進(jìn)過程，快速實現(xiàn)平坦性工藝偏差的提取和校正。該仿真工具通過了CMOS實測硅片數(shù)據(jù)驗證，仿真精度和速度達(dá)到國際同類工具先進(jìn)水平，可應(yīng)用于全芯片平坦性工藝的檢測分析和設(shè)計優(yōu)化。CMP工藝仿真
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中科院：EDA驗證評測技術(shù)

針對國產(chǎn)EDA工具應(yīng)用推廣的平臺化共性技術(shù)問題，研究基于國產(chǎn)EDA工具先進(jìn)工藝設(shè)計參考流程，以及關(guān)鍵EDA工具的評測技術(shù)，包括EDA工具的功能對比、性能測試、可兼容性、穩(wěn)定性、易用性等的測試驗證，形成規(guī)范的EDA工具評測報告，以此促進(jìn)國產(chǎn)EDA 工具的改進(jìn)、更新和完善，并指導(dǎo)設(shè)計企業(yè)選用合適的EDA工具完成芯片設(shè)計。該研究內(nèi)容獲得北京市科技計劃項目“國產(chǎn)EDA工具產(chǎn)業(yè)鏈應(yīng)用推廣示范平臺”項目的支持。基于全定制設(shè)計流程的EDA評測技術(shù)：針對納米工藝全定制設(shè)計流程的系列EDA工具開展EDA評測技術(shù)研
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中科院：物聯(lián)網(wǎng)新型體系結(jié)構(gòu)

基于新型非易失存儲的高能效終端架構(gòu)技術(shù)：為解決資源受限物聯(lián)網(wǎng)終端的“存儲墻”問題，利用MRAM、PCM等新型存儲器，構(gòu)建異構(gòu)非揮發(fā)存儲架構(gòu)。通過研究軟、硬件協(xié)同的異構(gòu)存儲架構(gòu)管理技術(shù)，達(dá)到降低內(nèi)存功耗、減小I/O延時的目的。此項工作得到國家重點研發(fā)計劃、北京市科技計劃、中科院先導(dǎo)專項的支持。AI計算加速技術(shù)：GPU、ASIC、FPGA等AI加速器是實現(xiàn)高能效AI計算的重要手段，然而受限于移動計算環(huán)境對芯片面積、功耗等的要求，AI加速芯片片上緩存容量有限，當(dāng)計算深度模型時需要頻繁訪問片外存儲，因此“內(nèi)存墻”
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中科院：硅集成驗證技術(shù)

EDA中心硅集成驗證技術(shù)，聚焦于利用EDA技術(shù)及設(shè)計、工藝、封測技術(shù)，實現(xiàn)多環(huán)節(jié)集成、交叉技術(shù)集成，解決高品質(zhì)、高精度、新工程技術(shù)的難題。尤其在硅基芯片+光、+生物、+MEMS等跨學(xué)科創(chuàng)新領(lǐng)域，形成了獨特的解決方案，并成功實現(xiàn)芯片功能驗證?！?nbsp;設(shè)計與工藝集成 ★&nb
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