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傳三星計劃2024年將量產第九代V-NAND閃存
- 近日,據(jù)媒體報道,三星電子存儲業(yè)務主管李政培稱,三星已生產出基于其第九代V-NAND閃存產品的產品,希望明年初可以實現(xiàn)量產。三星正在通過增加堆疊層數(shù)、同時降低高度來實現(xiàn)半導體行業(yè)最小的單元尺寸。目前,存儲產業(yè)處于緩速復蘇階段,大廠們正在追求存儲先進技術的研發(fā)。從當前進度來看,NAND Flash的堆疊競賽已經(jīng)突破200層大關:SK海力士已至321層,美光232層,三星則計劃2024年推出第九代3D NAND(有望達到280層)。據(jù)悉,三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層)
- 關鍵字: 三星 第九代 V-NAND 閃存
兆易創(chuàng)新推出GD32VW553系列Wi-Fi 6 MCU
- 業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice (股票代碼 603986) 今日宣布,正式推出基于RISC-V內核的GD32VW553系列雙模無線微控制器。GD32VW553系列MCU支持Wi-Fi 6及Bluetooth LE 5.2無線連接,以先進的射頻集成、強化的安全機制、大容量存儲資源以及豐富的通用接口,結合成熟的工藝平臺及優(yōu)化的成本控制,為需要高效無線傳輸?shù)氖袌鰬贸掷m(xù)提供解決方案。全新產品組合提供了8個型號、QFN40/QFN32兩種小型封裝選項,現(xiàn)已開放樣片和開發(fā)板卡申請,并將于12
- 關鍵字: 兆易創(chuàng)新 RISC-V GD32VW553 雙模 無線 微控制器
SiFive宣布推出針對生成式AI/ML應用的差異化解決方案,引領RISC-V進入高性能創(chuàng)新時代
- RISC-V 運算的先驅和領導廠商SiFive, Inc.近日宣布推出兩款新產品,旨在滿足高性能運算的最新需求。SiFive Performance? P870 和 SiFive Intelligence? X390 提供最新水準的低功耗、運算密度和矢量運算能力,三者結合起來將為日益增長的資料密集型運算提供必要的性能提升。這些新產品共同創(chuàng)建了標量和矢量運算的強大組合,可滿足現(xiàn)今數(shù)據(jù)流和運算密集型人工智能應用于消費性、車用和基礎設施市場的需求。在圣克拉拉舉行的現(xiàn)場新聞和分析師活動上,SiFive 同時也宣布
- 關鍵字: SiFive 生成式AI RISC-V
這家RISC-V快充協(xié)議芯片原廠宣布開源!
- 隨著PD3.1協(xié)議的市場應用越來越多,市場對PD3.1協(xié)議控制器也提出了更多的要求,如何更好地確保協(xié)議的穩(wěn)定性的同時增加更多系統(tǒng)級功能,這對傳統(tǒng)PD協(xié)議控制器提出了更大的挑戰(zhàn)。廣芯微電子宣布開源基于RISC-V內核的PD控制器,以支持客戶更好地部署快充系統(tǒng)和差異化功能。芯片框圖UM3506 SoC 芯片創(chuàng)新性地集成了基于 RISC-V ISA 的 32 位微處理器內核作為通用的集中式 TCPM 管理器。優(yōu)化后的 RISC-V 內核配合片上 FLASH 閃存/SRAM 存儲器、增強的外設和廣泛的系統(tǒng)資源,在
- 關鍵字: RISC-V 快充協(xié)議
蘋果與Arm達成長期協(xié)議,加強合作的同時不忘布局RISC-V
- 9月6日,軟銀旗下芯片設計公司Arm提交給美國證券交易委員會(SEC)的首次公開募股(IPO)文件顯示,蘋果已與Arm就芯片技術授權達成了一項“延續(xù)至2040年以后”的新合作協(xié)議。目前,Arm拒絕就其提交文件以外的內容發(fā)表評論,蘋果也沒有立即回復置評請求。Arm IPO吸引各路巨頭Arm在科技行業(yè)扮演著不可或缺的角色,它將其芯片設計授權給包括蘋果在內的500多家公司,已經(jīng)占據(jù)了智能手機芯片領域95%以上的市場份額,包括平板電腦等,實際上已經(jīng)完全控制了整個移動芯片領域。從Apple Watch到iPhone
- 關鍵字: 蘋果 Arm RISC-V IPO 軟銀
Milk-V 推出 Meles SBC:配 2GHz 平頭哥 TH1520 四核 RISC-V 處理器
- IT之家 9 月 6 日消息,Milk-V 近日推出了名為 Meles 的單板計算機(SBC),其外觀接近于樹莓派 Model B。Meles 的大小和端口均和樹莓派 Model B 類似,只是并沒有使用基于 ARM 的處理器,而是使用基于 RISC-V 架構的 2GHz 平頭哥曳影 T-Head TH1520 四核處理器。IT之家在此附上 Meles 單板計算機端口如下:1 個 HDMI 2.0 端口1 個千兆端口4 個 USB 3.0 主機端口1 個 USB 2.0 Type-C 端口1 個
- 關鍵字: RISC-V
RISC-V工委會正式成立
- 據(jù)賽昉科技官微消息,8月31日,中國電子工業(yè)標準化技術協(xié)會RISC-V工作委員會正式成立。RISC-V工委會是從事RISC-V 產業(yè)領域相關單位及組織等自愿組成的全國性、行業(yè)性、非營利性社會團體,是中國電子工業(yè)標準化技術協(xié)會(簡稱“中電標協(xié)”)所屬分支機構。消息顯示,RISC-V 工委會的宗旨為發(fā)揮在產業(yè)組織、行業(yè)自律方面的作用,為RISC-V 產業(yè)領域的標準研制、標準符合性評估、知識產權保護、人才培養(yǎng)、產業(yè)研究等方面支撐服務,引導國內RISC-V 產業(yè)從無序競爭走向協(xié)同創(chuàng)新,形成產業(yè)合力,實
- 關鍵字: RISC-V 工委會
國家支持,RISC-V 工委會正式成立
- IT之家 8 月 31 日消息,據(jù)賽昉科技消息,8 月 31 日,中國北京 —— 中國電子工業(yè)標準化技術協(xié)會 RISC-V 工作委員會正式成立,賽昉科技當選副會長單位。中國電子工業(yè)標準化技術協(xié)會 RISC-V 工作委員會,簡稱:RISC-V 工委會,英文名稱為 RISC-V Ecosystem & Industry of China Electronics Standardization Association,縮寫:RVEI,是從事 RISC-V 產業(yè)領域相關單位及組織等自愿
- 關鍵字: RISC-V
3D NAND還是卷到了300層
- 近日,三星電子宣布計劃在明年生產第 9 代 V-NAND 閃存,據(jù)爆料,這款閃存將采用雙層堆棧架構,并超過 300 層。同樣在 8 月,SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存,并計劃于 2025 年上半期開始量產。早在 5 月份,據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報道,西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知,固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價和容量還
- 關鍵字: V-NAND 閃存 3D NAND
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