v-mos 文章 進(jìn)入v-mos技術(shù)社區(qū)
利用先進(jìn)形式驗證工具來高效完成RISC-V處理器驗證
- 我們在上一篇技術(shù)白皮書《基于形式驗證的高效RISC-V處理器驗證方法》中，以Codasip L31這款用于微控制器應(yīng)用的32位中端嵌入式RISC-V處理器內(nèi)核為例，介紹了一個基于形式驗證的、易于調(diào)動的RISC-V處理器驗證程序。它與RISC-V ISA黃金模型和RISC-V合規(guī)性自動生成的檢查一起，展示了如何有效地定位那些無法進(jìn)行仿真的漏洞。RISC-V的開放性允許定制和擴(kuò)展基于RISC-V內(nèi)核的架構(gòu)和微架構(gòu)，以滿足特定需求。這種對設(shè)計自由的渴望也正在將驗證部分的職責(zé)轉(zhuǎn)移到不斷壯大的開發(fā)人員社群。然而，隨
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IAR與先楫半導(dǎo)體達(dá)成戰(zhàn)略合作，支持先楫RISC-V MCU開發(fā)
- （中國｜上海）2023年6月14日 - 在Embedded World China首屆展會舉辦期間，嵌入式開發(fā)軟件和服務(wù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者 IAR 與國產(chǎn)領(lǐng)先高性能MCU廠商先楫半導(dǎo)體（HPMicro）共同宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議：IAR 最新的 Embedded Workbench for RISC-V 版本將全面支持先楫HPM6000高性能RISC-V MCU系列，這是IAR 首次支持高性能通用RISC-V MCU產(chǎn)品系列。IAR為先楫半導(dǎo)體的創(chuàng)新產(chǎn)品提供全面的開發(fā)工具支持，包括
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2023 SiFive RISC-V中國技術(shù)論壇即將盛大開幕
- 指令精簡、模塊化、可擴(kuò)展……已于2022年利用7年時間達(dá)成出貨量100億顆的里程碑，RSIC-V正在充分發(fā)揮自身的開放開源優(yōu)勢，一路開疆拓土。身為RISC-V的發(fā)明者與領(lǐng)導(dǎo)廠商，SiFive正發(fā)揮開源生態(tài)疊加未來計算新范式的“鏈主”效應(yīng)，致力于將RISC-V的無限潛力引領(lǐng)至高性能處理器與高算力場景應(yīng)用中。?同時，100億顆RISC-V處理器芯片中，近一半產(chǎn)自中國的亮眼數(shù)據(jù)有目共睹，RISC-V在中國市場信心持續(xù)走高，在此大環(huán)境背景下，SiFive親自運(yùn)營中國市場與業(yè)務(wù)，希望和中國一起見證RISC
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Debian 13“Trixie”Linux 發(fā)行版有望將帶來 RISC-V 64 位支持
- IT之家 6 月 12 日消息，Debian 是最為古老的 GNU / Linux 發(fā)行版之一，該操作系統(tǒng)以穩(wěn)定性為重，不追求高速迭代，因此在新版本發(fā)布很早以前，就會揭曉一系列新特性。目前 Debian 項目宣布，在未來的 Debian 13 “Trixie” 中，將帶來 RISC-V 64 位支持。日前 Debian 發(fā)布團(tuán)隊分享的更新郵件中，Debian 開發(fā)人員 Jonathan Wiltshire 透露了 RISC-V 架構(gòu)下 Debian 的現(xiàn)狀：“雖然 RISC-V 64 位移植在此
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三星、英特爾、高通等 13 家企業(yè)發(fā)起 RISC-V 軟件生態(tài)計劃 RISE
- IT之家 6 月 2 日消息，三星、英特爾、英偉達(dá)、高通、聯(lián)發(fā)科、谷歌等 13 家 IT 和半導(dǎo)體企業(yè)今日在比利時布魯塞爾正式發(fā)起全球 RISC-V 軟件生態(tài)計劃“RISE”。據(jù)介紹，該計劃旨在加速 RISC-V 新架構(gòu)的軟件生態(tài)建設(shè)及應(yīng)用商業(yè)化進(jìn)程，推動 RISC-V 處理器在移動通信、數(shù)據(jù)中心、邊緣計算及自動駕駛等領(lǐng)域的市場化落地。RISE 創(chuàng)始董事會包含 13 名成員：谷歌、英特爾、平頭哥、三星、聯(lián)發(fā)科、英偉達(dá)、高通、Andes、Imagination、Red Hat、Rivos、SiFive、Ve
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RISC-V切入云計算的元年，進(jìn)展如何了？
- 近兩年，RISC-V 作為 IT 產(chǎn)業(yè)鏈中國產(chǎn)替代中的重要一環(huán)備受關(guān)注。這個基于 BSD 協(xié)議開源，基金會總部設(shè)在瑞士的開源指令集也一直被視為 X86 和 ARM 強(qiáng)有力的競爭對手。不過，由于起步較晚，性能與生態(tài)尚未成熟，RISC-V 以往更多地是用在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域。今年，算能科技基于阿里平頭哥玄鐵 C910 開發(fā)了一臺 64 核 RISC-V 服務(wù)器 SG2042。這一動作則拉開了 RISC-V 挺入云計算領(lǐng)域的序幕，2023 也被業(yè)界看做是 RISC-V 進(jìn)入云計算的元年。本期開源訪談我們邀請中國電信研究
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阿里加入RISC-V官方組織，還有高通、三星、intel也加入了
- 在ARM、X86芯片架構(gòu)之后，最被大家看好的芯片架構(gòu)就是RISC-V了。特別是中國芯片廠商，紛紛擁抱RISC-V架構(gòu)，原因在于RISC-V架構(gòu)是開源免費(fèi)的，不怕被人卡脖子。所以我們看到中科院、阿里紛紛推出了眾多的RISC-V芯片，2022年全球出貨100億顆RISC-V芯片中，50%是中國廠商貢獻(xiàn)的。也正因為RISC-V架構(gòu)的火爆，最近全球13家知名IT巨頭，成立了一個RISC-V軟件生態(tài)系統(tǒng) (RISE) 的指導(dǎo)委員會。這個委員會的目的，就是推進(jìn)RISC-V芯片的落地，加速RISC-V新架構(gòu)的軟件生態(tài)建
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科技巨頭聯(lián)合發(fā)起RISC-V生態(tài)計劃 年出貨將超800億顆
- 據(jù)報道，由谷歌、英特爾、平頭哥等13家企業(yè)發(fā)起的全球RISC-V軟件生態(tài)計劃“RISE”，在比利時布魯塞爾正式啟動。RISE旨在加速RISC-V新架構(gòu)的軟件生態(tài)建設(shè)及應(yīng)用商業(yè)化進(jìn)程，成員將聯(lián)合推動RISC-V處理器在移動通信、數(shù)據(jù)中心、邊緣計算及自動駕駛等領(lǐng)域的市場化落地。面對物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用新變化，RISC-V作為新一代指令集，擁有開源、精簡、靈活、可自定義的特點，相比封閉的ARM指令集，更適合專用處理器的開發(fā)，有望在IoT MCU市場迅速擴(kuò)張，而后推廣至數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。我國RISC-V發(fā)展意義更加重大，在
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基于形式驗證的高效RISC-V處理器驗證方法
- RISC-V的開放性允許定制和擴(kuò)展基于 RISC-V 內(nèi)核的架構(gòu)和微架構(gòu)，以滿足特定需求。這種對設(shè)計自由的渴望也正在將驗證部分的職責(zé)轉(zhuǎn)移到不斷壯大的開發(fā)人員社群。然而，隨著越來越多的企業(yè)和開發(fā)人員轉(zhuǎn)型RISC-V，大家才發(fā)現(xiàn)處理器驗證絕非易事。新標(biāo)準(zhǔn)由于其新穎和靈活性而帶來的新功能會在無意中產(chǎn)生規(guī)范和設(shè)計漏洞，因此處理器驗證是處理器開發(fā)過程中一項非常重要的環(huán)節(jié)。在復(fù)雜性一般的RISC-V 處理器內(nèi)核的開發(fā)過程中，會發(fā)現(xiàn)數(shù)百甚至數(shù)千個漏洞。當(dāng)引入更多高級特性的時候，也會引入復(fù)雜程度各不相同的新漏洞。而某些類
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功率放大器電路中的三極管和MOS管，究竟有什么區(qū)別？
- 學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時最常見的電子元器件就是三極管和場效應(yīng)管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構(gòu)建功率放大器電路時我們要怎么選擇呢？學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時最常見的電子元器件就是三極管和場效應(yīng)管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構(gòu)建功率放大器電路時我們要怎么選擇呢？首先我們明確一下二者的概念三極管：全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控
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短溝道 MOS 晶體管中的漏電流成分
- MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化物厚度的減少，進(jìn)而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關(guān)重要。MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化物厚度的減少，進(jìn)而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關(guān)重要。在我們嘗試了解各種漏電流成
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功率MOS管損壞的典型
- 如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引
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強(qiáng)攻安卓高階市場 SONY發(fā)表Xperia 1 V旗艦新機(jī)
- Sony年度旗艦新機(jī)Xperia 1 V今日正式在臺推出，今年4月上任以來首次參與中國臺灣Xperia手機(jī)的上市發(fā)表的Sony Mobile中國臺灣區(qū)總經(jīng)理筒塩具隆 (Tomotaka Tsutsushio)表示，Xperia 1系列致力滿足安卓高階旗艦手機(jī)的市場需求，透過近年來集團(tuán)內(nèi)部的業(yè)務(wù)整合，Xperia 1系列歷代的產(chǎn)品設(shè)計和技術(shù)創(chuàng)新持續(xù)在拍照、錄像、游戲、音樂等領(lǐng)域帶給消費(fèi)者引領(lǐng)業(yè)界的全方位行動娛樂產(chǎn)品。Xperia 1 V采用Sony集團(tuán)全新開發(fā)的雙層式架構(gòu)感光組件，同時整合Sony領(lǐng)先的相機(jī)
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歐洲RISC-V處理器流片：216核心 不需要風(fēng)扇散熱
- 5月9日消息，歐洲航天局(ESA)贊助、瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院和意大利博洛尼亞大學(xué)共同開發(fā)的“Occany”(鳥蛇)處理器，現(xiàn)已流片。這顆處理器基于開源開放的RISC-V架構(gòu)，GlobalFoundries 12nm LPP低功耗工藝，chiplet小芯片設(shè)計，2.5D封裝，雙芯片共集成多達(dá)216個核心，晶體管數(shù)量達(dá)10億個，而面積僅為73平方毫米。同時，它還集成了未公開數(shù)量的64位FPU浮點單元，整合兩顆美光的16GB HBM2e高帶寬內(nèi)存。硅中介層面積26.3 x 23.05毫米，制造工藝為65nm，
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巧用MOS管的體二極管
- 用過MOS管的小伙伴都知道，其內(nèi)部有一個寄生二極管，有的也叫做體二極管。PMOS管做開關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當(dāng)Vsg大于閾值電壓，MOS管導(dǎo)通，一般MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都很小，毫歐級別，過幾安培的電流，壓降也才毫伏級別，此時體二極管是截至狀態(tài)的。用過MOS管的小伙伴都知道，其內(nèi)部有一個寄生二極管，有的也叫做體二極管。1、PMOS管做開關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當(dāng)Vsg大于閾值電壓，MOS管導(dǎo)通，一般MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都很小，毫歐級別，過幾安培的電流，壓降也才毫伏級別，此時體二極管是截至狀
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