- 據國外媒體報道，市場研究公司iSuppli最新研究數據顯示，第三季度全球NAND閃存市場業(yè)績強勁，東芝表現最為搶眼，營收環(huán)比增長近50%。
全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元，增長了25.5%，達39.4億美元。東芝第三季度表現強于市場，其NAND閃存營收較第二季度的9.24億美元增長了47.5%，達14億美元。東芝在全球NAND閃存市場上位居第二，僅次于三星電子。
iSuppli資深分析師Michael Yang說：“東芝在第三季度充分利用了有利的NAN
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東芝 NAND 閃存
- 東芝公司本周一發(fā)布了據稱為業(yè)內最大容量的64GB嵌入式NAND閃存模組。這種模組內建專用的控制器，并內含16個采用32nm制程技術制作的32Gbit存儲密度的閃存芯片，這種閃存芯片的厚度則僅有30微米。
這款內存模組產品裝備在便攜設備如iPod/智能手機等之上后，手機的存儲容量將實現倍增。比如采用單閃存模組設計的iPhone的容量可由原來的32GB提升到64GB,而采用雙閃存模組設計的iPod touch的最大容量則可達到128GB。
東芝本月將開始對外提供這種64GB嵌入式閃存模組的
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東芝 NAND 嵌入式 閃存模組
- 兩大韓系內存廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛傳出將大幅調高2010年資本支出，繼三星預計投入30億美元擴產及制程微縮后，海力士2010年資本支出亦將倍增至20億美元，使得爾必達(Elpida)和美光(Micron)加緊腳步與臺系DRAM廠合作，盡管過去喊出的臺美日廠連手抗韓策略，在DRAM整合戲碼停擺后沒再被提起，但DRAM廠指出，實際上全球4大DRAM陣營板塊運動，仍按照臺美日廠連手抗韓局勢發(fā)展。
隨著三星和海力士都擴增2010年資本支出，隱約釋出對
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Samsung DRAM NAND
- 臺積電董事長張忠謀日前表示，臺灣企業(yè)五年內成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。
張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺幣有升值壓力，張忠謀認為，全球經濟都在復蘇中，復蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復蘇，但張忠謀認為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當嚴峻，所謂近中程大概是五年內，所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。
第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會是一個趨勢，相對地新臺幣波
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臺積電 芯片代工 DRAM NAND
- 12月上旬的存儲器合約價格中，DRAM合約價意外持平開出，南亞科副總經理白培霖表示，主要是個人計算機(PC)廠急單涌入之故;而 NAND Flash合約價格則反應市場需求不佳，16Gb芯片價格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合約價格貼近現貨價格水平，下游存儲器業(yè)者都盡量減少庫存水位，以免營運被跌價的NAND Flash芯片庫存燙傷。
近期DRAM現貨價格持續(xù)反彈，1Gb容量DDR2價格從2美元反彈至2.5美元，屬于觸底反彈，然整個市場的交易量是相當有限，反倒是原本各界預期12月上旬
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南亞科 NAND DRAM
- 12月9日消息，臺積電董事長張忠謀昨日表示，臺灣企業(yè)五年內成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。
張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺幣有升值壓力，張忠謀認為，全球經濟都在復蘇中，復蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復蘇，但張忠謀認為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當嚴峻，所謂近中程大概是五年內，所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。
第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會是一個趨勢
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臺積電 芯片代工 DRAM NAND
- 據報道，為了更加快速的追趕臺積電，三星計劃將以后每年的代工芯片產能提高一倍直至達到臺積電的規(guī)模。
根據iSuppli的統(tǒng)計，去年全球芯片代工市場的產值為190億美元，而臺積電獨自占據了其中的100億美元。
三星是全球第二大芯片制造商，在DRAM內存和NAND閃存市場處于領先地位，但是他們在代工市場的收入卻只有可憐的幾億美元。三星發(fā)言人近日表示，三星已經決定擴大其代工產能，目標直指臺積電。
三星目前在韓國器興(Giheung)有一座占地350英畝的晶圓廠，專門用于代工業(yè)務。三星一直強調
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臺積電 芯片代工 DRAM NAND
- 三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術，據三星公司宣稱，這種產品的讀取帶寬 是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數據傳輸峰值帶寬可達133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。
即便將這種芯片應用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產品既適合智能手機，便攜多媒體播放器等產品，也同樣適用于SSD硬盤等設備。
另外一款
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三星 30nm NAND
- 2009年12月4日，西爾特最新推出MTK(聯(lián)發(fā)科)手機平臺NAND Flash 編程解決方案。
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西爾特 MTK NAND Flash
- 北京時間12月2日消息，據國外媒體報道，《韓國先驅報》援引匿名消息人士的話報道稱，三星2010年計劃投資約7萬億韓元(約合60億美元)擴大芯片業(yè)務。
消息稱，其中約5萬億韓元(約合43億美元)將用于擴大DRAM芯片業(yè)務，2萬億(約合17億美元)韓元將用于擴大NAND閃存和邏輯芯片業(yè)務。
三星2010年芯片投資將比2009年的4萬億韓元(約合34億美元)高75%。10月份發(fā)布第三季度財報時，三星曾表示明年芯片投資將超過5.5萬億韓元(約合47億美元)。
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三星 NAND 邏輯芯片 DRAM
- 近日，有某匿名廠商指控蘋果在NAND閃存市場上“欺行霸市”，威逼閃存廠商。該廠商指蘋果經常向韓系三星，海力士等廠商超額訂貨?！俄n國時報》還報道稱蘋果經常采取等待閃存由于供過于求而出現價格下降時，才采購少量閃存的采購策略，這很容易導致閃存廠商的庫存再次出現積壓現象。
由于海力士與三星兩家廠商的閃存業(yè)務對蘋果依賴甚大，因此他們對蘋果的這種策略可謂敢怒不敢言，只好被迫接受蘋果將簽訂的長期訂貨協(xié)約價下調4%。這家未具名廠商的高管指這種行為“極為不合理”。
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三星 NAND
- 三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術，據三星公司宣稱，這種產品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數據傳輸峰值帶寬可達133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。
即便將這種芯片應用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產品既適合智能手機，便攜多媒體播放器等產品，也同樣適用于SSD硬盤等設備。
另外一款三
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三星 30nm NAND
- 據悉，包括三星、LG、諾基亞等手機大廠第四季將上市銷售的手機，已將MicroSD等NAND記憶卡列為標準內建配備，加上消費者擴充手機記憶卡的需求也明顯轉強，帶動第四季記憶卡銷售量大增。力成董事長蔡篤恭表示，MicroSD記憶卡封測產能吃緊現象將延續(xù)到明年1、2月。
NAND晶片大廠三星下半年開始跨足記憶卡市場，并與創(chuàng)見合作銷售，新帝(SanDisk)也傳出介入貼牌白卡市場，只是手機用小型記憶卡需采用較先進的基板打線封裝(COB)制程，但兩家大廠自有封測廠產能已多年未曾擴充，因此8、9月后已大量將
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SanDisk NAND 封測
- 臺灣DigiTimes報道，數家內存廠商最近聚集在臺北探索建立對大陸和臺灣的固態(tài)存儲產業(yè)共同標準，與會者們預計隨著制程逐漸過渡到20nm，NAND閃存價格將出現大幅下跌，最終實現一個可負擔的水平，不過這一時間點被認為是2011年以后。
此外，來自大陸的工業(yè)代表敦促盡快發(fā)展和規(guī)范SSD的規(guī)格，以解決來自國際供應商控制的核心技術。
去年Fusion-io公司首席科學家Steven Wozniak曾表示，他并不認為SSD硬盤會很快就能替換普通硬盤。不過由于SSD硬盤功耗更低，同時性能更高，也不需
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NAND SSD
- 由于傳出大客戶蘋果(Apple)開始減少下單，加上原本三星電子(Samsung Electronics)供應NAND Flash數量相當有限，12月供應量控制亦開始松動，以及白牌記憶卡在市面上流通數量增加，使得淡季需求明顯反映在現貨及合約價上，近2個月NAND Flash價格從高檔連續(xù)緩跌，累計回檔幅度相當深。不過，多數存儲器業(yè)者認為，由于價格跌幅已大，預計后續(xù)再大跌機率不大，25日NAND Flash 11月下旬合約價開出，便呈現持平到小跌局面。
存儲器業(yè)者表示，蘋果對于NAND Flash供
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蘋果 NAND SSD
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