v-nand 文章進(jìn)入v-nand技術(shù)社區(qū)

NAND閃存價(jià)格走好東芝晶圓廠產(chǎn)能滿(mǎn)載利潤(rùn)大漲

Jefferies Japan高級(jí)分析員David Motozo Rubenstein日前透露，東芝(Toshiba)公司NAND閃存晶圓廠的產(chǎn)能利用率已經(jīng)處于最高位。事實(shí)上，東芝公司的業(yè)務(wù)表現(xiàn)正在發(fā)生變化。David表示，“東芝認(rèn)為供需形勢(shì)處于有利狀況，由于晶圓廠產(chǎn)能利用率達(dá)到100%，公司不得不回絕了25%的訂單?！?還有更好的消息。NAND閃存“2006年平均售價(jià)下降70%，東芝曾經(jīng)預(yù)計(jì)2007年更進(jìn)一步下滑50%，但是到目前為止，價(jià)格還高于預(yù)計(jì)之上?！?價(jià)格已經(jīng)觸底
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C8051F的超大容量Flash存儲(chǔ)器擴(kuò)展

　　摘要：NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的理想選擇，當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤(pán)、MP3和數(shù)碼相機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。本文對(duì)該類(lèi)型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對(duì)實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)給予驗(yàn)證，揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。關(guān)鍵詞：NAND Flash 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) C8051F 引言　　大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴(kuò)展和提高應(yīng)用系統(tǒng)的總體功能。Sumsung公司的NAND結(jié)構(gòu)Fla
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NAND閃存合同價(jià)格自六月以來(lái)首次下跌

九月，NAND閃存芯片合約價(jià)格自六月以來(lái)首次下跌，較早前已堆積的存貨將使內(nèi)存制造商經(jīng)歷庫(kù)存增加壓力。　　根據(jù)內(nèi)存市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，多層單元(MLC)NAND閃存的價(jià)格在9月上旬下降10%以上，而單層單元閃存(SLC)的價(jià)格則相對(duì)穩(wěn)定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價(jià)格有所回升。　　據(jù)臺(tái)灣內(nèi)存消息人士指出，韓國(guó)三星電子8月震驚業(yè)內(nèi)，使得激烈價(jià)格上升。需求被昂貴的價(jià)格壓抑，反映在現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格疲弱。　　雖然許多內(nèi)存庫(kù)存商8月期間已經(jīng)減少其采購(gòu)，最新的報(bào)價(jià)仍然加
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三星等涉嫌操控NAND閃存價(jià)格被起訴

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子和東芝等24家企業(yè)日前因涉嫌操縱NAND閃存價(jià)格而遇到集體訴訟。　　據(jù)悉，被起訴的24家廠商包括雷克沙（Lexa）、日立美國(guó)公司、日立公司、日立電子設(shè)備美國(guó)公司、Hynix美國(guó)公司、Hynix半導(dǎo)體、美光（Micron）科技、美光半導(dǎo)體產(chǎn)品部公司、三菱公司、三菱電子美國(guó)公司；　　Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美國(guó)公司、SanDisk、三星半導(dǎo)體、三星電子、意法半導(dǎo)體、東芝、東芝美國(guó)公司、東芝美國(guó)電子部件公司、
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基于FPGA的NAND FLASH控制器

1 引言在便攜式電子產(chǎn)品如U盤(pán)、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)中，常常需要大容量、高密度的存儲(chǔ)器，而在各種存儲(chǔ)器中，NAND FLASH以?xún)r(jià)格低、密度高、效率高等優(yōu)勢(shì)成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復(fù)雜，對(duì)時(shí)序要求也十分嚴(yán)格，而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過(guò)程中還可能增加)，這就給判斷壞塊、給壞塊做標(biāo)記和擦除等操作帶來(lái)很大的難度，于是就要求有一個(gè)控制器，使系統(tǒng)用戶(hù)能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設(shè)
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三星產(chǎn)能轉(zhuǎn)向NAND閃存公司市場(chǎng)份額猛增

iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星電子(Samsung)NAND閃存銷(xiāo)售額達(dá)到14億美元，比第1季度的12億美元增長(zhǎng)18.9%。三星在2007年上半年將部分產(chǎn)能從DRAM轉(zhuǎn)向NAND閃存，該公司的NAND市場(chǎng)份額猛增至45.9%，比1季度的44.1%高幾乎兩個(gè)百分點(diǎn)。 iSuppli內(nèi)存/存儲(chǔ)系統(tǒng)首席分析師NamHyungKim表示，“三星第2季度表現(xiàn)強(qiáng)勁主要是按容量計(jì)算增長(zhǎng)11%，出貨量增加歸功于擴(kuò)大蘋(píng)果iPhone和iPod等消
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PISMO顧問(wèn)委員會(huì)發(fā)布新2.0多媒體標(biāo)準(zhǔn)

致力于簡(jiǎn)化系統(tǒng)級(jí)存儲(chǔ)驗(yàn)證和測(cè)試的業(yè)界組織 PISMO顧問(wèn)委員會(huì)近日宣布，PISMO 2.0多媒體標(biāo)準(zhǔn)已通過(guò)審批。這一針對(duì)目前PISMO2.0規(guī)范的全新多媒體擴(kuò)展版為芯片組和存儲(chǔ)供應(yīng)商增加了 MMC存儲(chǔ)接口支持，從而滿(mǎn)足手機(jī)和消費(fèi)產(chǎn)品中存儲(chǔ)豐富媒體內(nèi)容的需求。PISMO™顧問(wèn)委員會(huì)于2004年由Spansion和ARM創(chuàng)建，目前共有15家成員公司。新增MMC支持后，PISMO多媒體規(guī)范使設(shè)計(jì)者可以方便地在不同廠商提供的開(kāi)發(fā)平臺(tái)上測(cè)試多種存
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三星調(diào)高閃存價(jià)格帶動(dòng)內(nèi)存價(jià)格上升

　在三星向外界透露位于韓國(guó)的工廠于8月3日因故停產(chǎn)后，各廠商均密切關(guān)注該事件對(duì)NAND閃存價(jià)格造成的影響。業(yè)界預(yù)測(cè)DRAM內(nèi)存合同價(jià)在8月還將上升。　　業(yè)界預(yù)測(cè)DRAM內(nèi)存合同價(jià)在8月還將上升，同時(shí)受三星電子上周一因某工廠停產(chǎn)的影響，NAND閃存的價(jià)格也持續(xù)攀升。三星近日提高了NAND閃存在現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格，力晶半導(dǎo)體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調(diào)高了eTT DRAM內(nèi)存的報(bào)價(jià)。　　在三星向外界透露
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三星停電事故造成NAND Flash供需更加吃緊

　NAND Flash供需出現(xiàn)進(jìn)一步緊繃的狀況。究其原因，除年底旺季需求增加外，最大廠之Samsung工廠3日發(fā)生停電事故，導(dǎo)致市場(chǎng)產(chǎn)生供給量減少之預(yù)期亦是主因。然而合約價(jià)部份，由于廠商仍存在過(guò)度上漲，可能造成需求冷卻之疑慮。因此，即使上漲也應(yīng)止于小幅上揚(yáng)。　　Samsung之京畿道器興市主力工廠3日發(fā)生大規(guī)模停電，生產(chǎn)NAND Flash等之6條生產(chǎn)線(xiàn)全部停止運(yùn)轉(zhuǎn)。雖然4日恢復(fù)運(yùn)轉(zhuǎn)，但原本部份制造中的產(chǎn)品將廢棄。現(xiàn)階段Samsung與市場(chǎng)上仍有一定庫(kù)存量，9月份實(shí)際供給
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NAND閃存迎來(lái)大發(fā)展新芯片工藝是轉(zhuǎn)折點(diǎn)

據(jù)閃存技術(shù)的最大支持者之一稱(chēng)，閃存將“接管”整個(gè)世界。　　本周三，SanDisk CEO Eli Harari在“閃存峰會(huì)”上說(shuō)，一方面，NAND閃存正在打跨競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。NAND已經(jīng)使1英寸硬盤(pán)失去了用武之地，現(xiàn)在，它又對(duì)1.8英寸，甚至是更大的2.5英寸筆記本電腦硬盤(pán)構(gòu)成了威脅。　　他說(shuō)，NAND下一個(gè)大市場(chǎng)將是視頻，明年，市場(chǎng)上將會(huì)出現(xiàn)配置了更多閃存的相機(jī)和拍照手機(jī)。明年，市場(chǎng)上還將出現(xiàn)更多的閃存筆記本電腦。　　在未來(lái)的5-7年內(nèi)，NAND還將開(kāi)始取代DRAM。由于技
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NAND缺貨潮空襲存儲(chǔ)卡小廠幾乎倒一半

2007年NAND Flash價(jià)格走勢(shì)戲劇化，但對(duì)下游廠商而言，可謂是幾家歡樂(lè)幾家愁，一線(xiàn)快閃記憶卡大廠樂(lè)得NAND Flash價(jià)格止跌反彈，終止長(zhǎng)達(dá)1年的慘淡經(jīng)營(yíng)時(shí)期；然對(duì)于產(chǎn)業(yè)中的二、三線(xiàn)記憶卡廠而言，這波NAND Flash價(jià)格大漲的行情，反而不是什么好消息。因?yàn)樾S的拿貨能力有限，當(dāng)上游NAND Flash大廠供給一夕大減，連一線(xiàn)大廠都不見(jiàn)得拿得到足夠的貨源時(shí)，等于是宣判小廠正式出局！　　業(yè)界表示，這波NAND Flash價(jià)格上漲除了是蘋(píng)果(Ap
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Q2三星NAND Flash市占率43.9%

　集邦科技昨天公布第二季全球NAND Flash銷(xiāo)售排名，南韓三星(Samsung)第二季市占率達(dá)43.9%，穩(wěn)居全球龍頭寶座，日本東芝 (Toshiba)居次，海力士 (Hynix)位居第三；包括三星等前三大廠合計(jì)市占率達(dá)85.5%，市場(chǎng)集中度高。集邦科技表示，第二季由于制造商暫緩產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃，加上大廠們新制程技術(shù)轉(zhuǎn)換仍處調(diào)整期，因此整體NAND Flash位產(chǎn)出量?jī)H維持與第一季相當(dāng)水平，不過(guò)受惠于產(chǎn)品價(jià)格止跌大幅彈升1成以上水平，帶動(dòng)NANDFlash制造廠銷(xiāo)售
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產(chǎn)業(yè)剖析：NAND FLASH市場(chǎng)發(fā)展

　NOR 和NAND 是閃存(Flash Memory)的兩大主要類(lèi)型，強(qiáng)調(diào)可靠性的NOR 主要用途在于應(yīng)用程序和操作系統(tǒng)儲(chǔ)存(Code Storage)，成本較低的NAND 則主要使用于數(shù)據(jù)儲(chǔ)存(Data Storage)方面，近來(lái)由于手機(jī)、數(shù)字相機(jī)、數(shù)字音樂(lè)播放機(jī)、可攜式媒體播放機(jī)(PMP)、機(jī)頂盒(STB)等終端產(chǎn)品的需求旺盛，帶動(dòng)兩者銷(xiāo)售量持續(xù)成長(zhǎng)，尤其N(xiāo)AND 在蘋(píng)果計(jì)算機(jī)推出的數(shù)字音樂(lè)播放機(jī)iPod 熱賣(mài)
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DRAM和NAND閃存價(jià)格上漲幅度開(kāi)始回落

閃存的合約價(jià)格在7月下半月繼續(xù)上漲，不過(guò)目前漲勢(shì)已經(jīng)逐漸減緩。DRAM廠商預(yù)計(jì)第三季度價(jià)格將輕微上漲，同時(shí)出貨量也大幅提升了。同時(shí)，NAND目前價(jià)格也呈現(xiàn)上升趨勢(shì)，這主要得益于閃存應(yīng)用范圍的不斷拓展。　　DRAM報(bào)價(jià)一片漲聲　　根據(jù)內(nèi)存交易機(jī)構(gòu)DRAMeXchange（集邦電子）的數(shù)據(jù)，在7月上半月，512Mb DDR2芯片的合約價(jià)格上漲了20%以上，不過(guò)7月下半月的上漲幅度回落到了3%。　　DRAMeXchange表示，目前一些PC OEM廠商向DRAM廠商索要報(bào)價(jià)
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手機(jī)與MP3 NAND Flash 市場(chǎng)需求過(guò)半

集邦科技表示，手機(jī)及MP3/PMP播放器是今年耗用NAND Flash產(chǎn)能最多的前兩大終端裝置，合計(jì)使用的NAND Flash將占市場(chǎng)需求端的一半以上，達(dá)52.1%，將是左右NAND Flash市場(chǎng)供需的關(guān)鍵。集邦科技指出，手機(jī)將是今年NAND Flash最大應(yīng)用市場(chǎng)，所占比重達(dá)27.3%，MP3/PMP播放器次之，約占24.8%；其中MP3/PMP播放器市場(chǎng)，iPod全球市占率超過(guò)一半以上，Apple因而是影響市場(chǎng)供需的關(guān)鍵廠商。至于手機(jī)市場(chǎng)方面，由于NAND&n
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