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AMETEK Sorensen可編程電源的保護(hù)特性

　　可編程電源是電氣實(shí)驗(yàn)室工程師及技術(shù)人員必備的基本儀器，用以獲得測(cè)試所需的基本功率或可變功率。這些電源的成本通常較低，并只帶有基本的控制裝置：一個(gè)開啟/關(guān)閉開關(guān)及兩個(gè)用于調(diào)節(jié)電壓電流的旋鈕。在未來，旋鈕調(diào)節(jié)將繼續(xù)會(huì)是首選方法，因?yàn)槠淇蓡为?dú)且靈活的改變電壓或電流，從而直觀的觀察其他測(cè)量?jī)x器或被測(cè)部件性能。　　對(duì)低成本應(yīng)用中的大多數(shù)電源而言保護(hù)功能不是必須考慮的因素，但是在一些測(cè)試應(yīng)用中，會(huì)要求使用很小電壓范圍，如2.0%- 20%范圍，否則會(huì)很容易損壞設(shè)備，這就為使用者提出了新的要求。　　AMET
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基于FPGA的高帶寬存儲(chǔ)接口設(shè)計(jì)

　　摘要：文中詳細(xì)地分析了Altera公司Cyclone V FPGA器件的硬核存儲(chǔ)控制器底層架構(gòu)和外部接口，并在此基礎(chǔ)上對(duì)Controller和PHY進(jìn)行了功能仿真。仿真結(jié)果表明硬核存儲(chǔ)控制器和PHY配合工作時(shí)的功能與設(shè)計(jì)預(yù)期相符，性能優(yōu)良，適合于在當(dāng)前FPGA的外部存儲(chǔ)帶寬需求日益增長(zhǎng)的場(chǎng)合下應(yīng)用。　　如今，越來越多的應(yīng)用場(chǎng)景都需要FPGA能夠和外部存儲(chǔ)器之間建立數(shù)據(jù)傳輸通道，如視頻、圖像處理等領(lǐng)域，并且對(duì)數(shù)據(jù)傳輸通道的帶寬也提出了較大的需求，這就導(dǎo)致了FPGA和外部Memory接口的實(shí)際有效帶寬
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Mouser 備貨 Freescale Kinetis KV1x 微控制器面向數(shù)字電機(jī)控制市場(chǎng)

　　貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始供應(yīng)Freescale Semiconductor 的 Kinetis® KV1x 微控制器系列產(chǎn)品。Kinetis V 系列 KV1x MCU 產(chǎn)品是 Freescale 全新 Kinetis V 系列的入門級(jí)產(chǎn)品，此可擴(kuò)展的微控制器 (MCU) 系列產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用市場(chǎng)為數(shù)字電機(jī)控制。采用 75 MHz ARM® Cortex?M0+ 內(nèi)核的 Kinetis KV1x 系列產(chǎn)品具有整數(shù)除法和平方根協(xié)處理器，從而降低了因需要
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V-Band 微波小站回傳，TDD還是FDD？

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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三星量產(chǎn)全球首款第二代32層三維V-NAND閃存

　　全球存儲(chǔ)領(lǐng)軍品牌三星電子今日宣布，已開始正式量產(chǎn)全球首款第二代立體垂直結(jié)構(gòu)的“32層三維V-NAND閃存”。　　三星電子此次推出的32層三維V-NAND，與之前推出的24層V-NAND相比，雖然堆疊存儲(chǔ)單元的設(shè)計(jì)難度更高，但是因?yàn)榭梢灾苯邮褂蒙a(chǎn)第一代V-NAND閃存的設(shè)備，所以具有更高的生產(chǎn)效率。　　除此之外，三星電子推出了基于第二代V-NAND閃存的高端固態(tài)硬盤系列產(chǎn)品，并提供128GB、256GB、512GB、1TB等多種容量選擇。三星電子在去年面向數(shù)據(jù)中心推
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一種電流溫度穩(wěn)定度小于1μA/℃的V/I變換器

本文介紹一種高溫度穩(wěn)定度的V/I變換器電路，通過一種可以調(diào)節(jié)溫度變化量的溫度補(bǔ)償電路，使V/I變換器的輸出電流溫度穩(wěn)定度小于1μA /℃。應(yīng)用于對(duì)電流穩(wěn)定度要求極高的傳感器信號(hào)處理或精密儀器儀表電路。
關(guān)鍵字： V/I 變換器傳感器二極管溫度補(bǔ)償 201406

MAX34451 PMBus 16通道V/I監(jiān)視器

概述MAX34451是一個(gè)電源系統(tǒng)管理員能夠監(jiān)控多達(dá)16種不同的電壓軌或電流，也能多達(dá)12個(gè)電源排序和裕。系統(tǒng)管 ...
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三星宣布量產(chǎn)全球首個(gè)3D垂直閃存V-NAND

　　三星電子在存儲(chǔ)技術(shù)上的領(lǐng)先的確無可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個(gè)采用3D垂直設(shè)計(jì)的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來。　　三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內(nèi)部采用三星獨(dú)有的垂直單元結(jié)構(gòu)，通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來連接3D單元陣列。　　三星稱，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫入性能也可達(dá)到1xnm N
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Mouser提供業(yè)界領(lǐng)先的Altera Cyclone V低功耗FPGA

Mouser Electronics正在備貨Altera公司業(yè)界領(lǐng)先的28-nm Cyclone? V FPGA。 Cyclone V FPGA結(jié)合了高性能、業(yè)界最低的操作功耗以及系統(tǒng)成本，是工業(yè)、無線、有線、廣播和汽車應(yīng)用的理想選擇。
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高速橋接芯片V-by-One HS 擴(kuò)大生產(chǎn)滿足超高清電視需求

　　V-by-One HS 是THine Electronics公司開發(fā)的下一代高速橋接芯片，為迎合電視市場(chǎng)客戶的要求，V-by-One? HS的新產(chǎn)品 THCV226已開始量產(chǎn)，并開始進(jìn)行擴(kuò)大生產(chǎn)。
關(guān)鍵字： THine Electronics V-by-One 超高清電視

高速橋接芯片V-by-One HS 擴(kuò)大生產(chǎn)的通知

V-by-One? HS 是我公司開發(fā)的下一代高速橋接芯片，又作為數(shù)字產(chǎn)品的下一代接口，已成為事實(shí)上的信息傳輸技術(shù)(現(xiàn)在的世界標(biāo)準(zhǔn))?，F(xiàn)在，為迎合電視市場(chǎng)客戶的要求，V-by-One? HS的新產(chǎn)品 THCV226已開始量產(chǎn)，并開始進(jìn)行擴(kuò)大生產(chǎn)。
關(guān)鍵字：芯片 V-by-One THCV226

高速接口芯片 V-by-One HS 生產(chǎn)擴(kuò)充的通知

V-by-One? HS 是我公司開發(fā)的次世代高速接口芯片。它作為數(shù)字產(chǎn)品的次世代內(nèi)部接口，實(shí)際上已經(jīng)是一種情報(bào)傳輸技術(shù)(現(xiàn)在的世界標(biāo)準(zhǔn))?，F(xiàn)在，按 TV 市場(chǎng)客戶的要求，追加新產(chǎn)品 V-by-One? HS THCV226 開始量產(chǎn)，并開始進(jìn)行生產(chǎn)擴(kuò)充。
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V –Lock:擴(kuò)展標(biāo)準(zhǔn)系列白色醫(yī)用級(jí)別電線

為確保在重要的醫(yī)療和牙科應(yīng)用場(chǎng)合中病人的安全，SCHURTER對(duì)其標(biāo)準(zhǔn)V-Lock電源線系列進(jìn)行了擴(kuò)展，納入了兩種類型的設(shè)計(jì)：電源線的插頭端壓印有綠色斑點(diǎn)，表示其通過了嚴(yán)格的UL 817測(cè)試;通過插頭上的透明材料，實(shí)心插針結(jié)構(gòu)和超安全走線均清晰可見。
關(guān)鍵字： SCHURTER 連接器 V-Lock

噪聲提醒器的設(shè)計(jì)

文章設(shè)計(jì)了一種噪聲提醒器，一系統(tǒng)包括噪聲信號(hào)檢測(cè)、放大、直流轉(zhuǎn)換、V／E轉(zhuǎn)換、語音提示等電路的設(shè)計(jì)。噪聲信號(hào)通過傳聲器轉(zhuǎn)換成音頻信號(hào)，電信號(hào)經(jīng)過放大、直流轉(zhuǎn)換和V／F變換輸入單片機(jī)中進(jìn)行處理，并轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的噪聲dB值與設(shè)定值比較，并發(fā)出報(bào)警。該系統(tǒng)具有電路簡(jiǎn)單，精確度較高，可檢測(cè)實(shí)時(shí)噪聲等特點(diǎn)。
關(guān)鍵字：噪聲檢測(cè) 直流轉(zhuǎn)換 V／F轉(zhuǎn)換語音提醒

探秘Altera 2012變革所在

　　近年來，半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展迅速，依照摩爾定律每18個(gè)月就會(huì)出現(xiàn)新工藝節(jié)點(diǎn)，其晶體管密度更高，速率更快，而功耗更低。當(dāng)前，在28 nm，芯片容量足以實(shí)現(xiàn)整個(gè)系統(tǒng)，節(jié)省了功率元件和商用存儲(chǔ)器。但是，工藝工程師、電路設(shè)計(jì)人員、芯片設(shè)計(jì)人員和規(guī)劃人員必須一起協(xié)同工作，才能在越來越困難的技術(shù)環(huán)境中進(jìn)一步提高系統(tǒng)性能和能效。　　這種變化對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響，推高了工程成本，增加了風(fēng)險(xiǎn)，大部分系統(tǒng)開發(fā)人員很難使用專用芯片系統(tǒng)(SoC)。這同時(shí)也改變了FPGA企業(yè)的本質(zhì)及其與用戶的關(guān)系。　　在新的制程
關(guān)鍵字： Altera Stratix V