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傳三星計劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存
- 近日，據(jù)媒體報道，三星電子存儲業(yè)務主管李政培稱，三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品，希望明年初可以實現(xiàn)量產(chǎn)。三星正在通過增加堆疊層數(shù)、同時降低高度來實現(xiàn)半導體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲產(chǎn)業(yè)處于緩速復蘇階段，大廠們正在追求存儲先進技術的研發(fā)。從當前進度來看，NAND Flash的堆疊競賽已經(jīng)突破200層大關：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層）。據(jù)悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層）
- 關鍵字： 三星 第九代 V-NAND 閃存
兆易創(chuàng)新推出GD32VW553系列Wi-Fi 6 MCU
- 業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice (股票代碼 603986) 今日宣布，正式推出基于RISC-V內(nèi)核的GD32VW553系列雙模無線微控制器。GD32VW553系列MCU支持Wi-Fi 6及Bluetooth LE 5.2無線連接，以先進的射頻集成、強化的安全機制、大容量存儲資源以及豐富的通用接口，結(jié)合成熟的工藝平臺及優(yōu)化的成本控制，為需要高效無線傳輸?shù)氖袌鰬贸掷m(xù)提供解決方案。全新產(chǎn)品組合提供了8個型號、QFN40/QFN32兩種小型封裝選項，現(xiàn)已開放樣片和開發(fā)板卡申請，并將于12
- 關鍵字： 兆易創(chuàng)新 RISC-V GD32VW553 雙模 無線 微控制器
SiFive宣布推出針對生成式AI/ML應用的差異化解決方案,引領RISC-V進入高性能創(chuàng)新時代
- RISC-V 運算的先驅(qū)和領導廠商SiFive, Inc.近日宣布推出兩款新產(chǎn)品，旨在滿足高性能運算的最新需求。SiFive Performance? P870 和 SiFive Intelligence? X390 提供最新水準的低功耗、運算密度和矢量運算能力，三者結(jié)合起來將為日益增長的資料密集型運算提供必要的性能提升。這些新產(chǎn)品共同創(chuàng)建了標量和矢量運算的強大組合，可滿足現(xiàn)今數(shù)據(jù)流和運算密集型人工智能應用于消費性、車用和基礎設施市場的需求。在圣克拉拉舉行的現(xiàn)場新聞和分析師活動上，SiFive 同時也宣布
- 關鍵字： SiFive 生成式AI RISC-V
中國移動發(fā)布業(yè)界首款基于 RISC-V 架構(gòu)的 Cat.1 通信模組 ML305M
- IT之家 10 月 12 日消息，近日，業(yè)界首款基于 RISC-V 架構(gòu)的 Cat.1 模組 ML305M 在 2023 中國移動全球合作伙伴大會上首次亮相。據(jù)介紹，ML305M 基于中移芯昇科技 CM8610 開發(fā)。CM8610 是國內(nèi)首顆基于 64 位 RISC-V 內(nèi)核的 LTE Cat.1bis 通信芯片，采用 22nm 工藝，具有高集成度以及外圍極簡 BOM 設計，edrx 待機電流達到 0.74mA，最小接收靈敏度達到-101dBm，并支持 VoLTE。中移物聯(lián) OneMO 表示，M
- 關鍵字： RISC-V 中國移動 LTE
中美科技戰(zhàn)新戰(zhàn)場！RISC-V開源芯片技術成焦點
- 中美科技競爭又有新動向。美國政府正面臨國會壓力，要求限制美國企業(yè)投入RISC-V的開源芯片技術發(fā)展，目前RISC-V的開源性使得這項技術在中國大陸獲得廣泛的應用以及發(fā)展，但如果禁止的話，可能對全球科技業(yè)的跨國合作造成沖擊。據(jù)《路透社》6日報導， 這一次的爭議焦點主要集中在RISC-V上，這是一種開放原始碼架構(gòu)，與英國的安謀國際科技公司（Arm Holdings）的競爭激烈。RISC-V可應用于智能手機芯片到先進人工智能處理器等各種產(chǎn)品。一些國會議員以國家安全為由，敦促拜登政府針對RISC-V問題采取行動，
- 關鍵字： RISC-V 開源芯片
這家RISC-V快充協(xié)議芯片原廠宣布開源！
- 隨著PD3.1協(xié)議的市場應用越來越多，市場對PD3.1協(xié)議控制器也提出了更多的要求，如何更好地確保協(xié)議的穩(wěn)定性的同時增加更多系統(tǒng)級功能，這對傳統(tǒng)PD協(xié)議控制器提出了更大的挑戰(zhàn)。廣芯微電子宣布開源基于RISC-V內(nèi)核的PD控制器，以支持客戶更好地部署快充系統(tǒng)和差異化功能。芯片框圖UM3506 SoC 芯片創(chuàng)新性地集成了基于 RISC-V ISA 的 32 位微處理器內(nèi)核作為通用的集中式 TCPM 管理器。優(yōu)化后的 RISC-V 內(nèi)核配合片上 FLASH 閃存/SRAM 存儲器、增強的外設和廣泛的系統(tǒng)資源，在
- 關鍵字： RISC-V 快充協(xié)議
蘋果與Arm達成長期協(xié)議，加強合作的同時不忘布局RISC-V
- 9月6日，軟銀旗下芯片設計公司Arm提交給美國證券交易委員會（SEC）的首次公開募股（IPO）文件顯示，蘋果已與Arm就芯片技術授權(quán)達成了一項“延續(xù)至2040年以后”的新合作協(xié)議。目前，Arm拒絕就其提交文件以外的內(nèi)容發(fā)表評論，蘋果也沒有立即回復置評請求。Arm IPO吸引各路巨頭Arm在科技行業(yè)扮演著不可或缺的角色，它將其芯片設計授權(quán)給包括蘋果在內(nèi)的500多家公司，已經(jīng)占據(jù)了智能手機芯片領域95%以上的市場份額，包括平板電腦等，實際上已經(jīng)完全控制了整個移動芯片領域。從Apple Watch到iPhone
- 關鍵字： 蘋果 Arm RISC-V IPO 軟銀
Milk-V 推出 Meles SBC：配 2GHz 平頭哥 TH1520 四核 RISC-V 處理器
- IT之家 9 月 6 日消息，Milk-V 近日推出了名為 Meles 的單板計算機（SBC），其外觀接近于樹莓派 Model B。Meles 的大小和端口均和樹莓派 Model B 類似，只是并沒有使用基于 ARM 的處理器，而是使用基于 RISC-V 架構(gòu)的 2GHz 平頭哥曳影 T-Head TH1520 四核處理器。IT之家在此附上 Meles 單板計算機端口如下：1 個 HDMI 2.0 端口1 個千兆端口4 個 USB 3.0 主機端口1 個 USB 2.0 Type-C 端口1 個
- 關鍵字： RISC-V
RISC-V邁入高性能，量產(chǎn)落地是關鍵！
- 這是最好的一屆RISC-V中國峰會，雖已落幕一周，但它流傳的故事依舊激昂人心，它引發(fā)的話題仍未褪色，它帶來的啟發(fā)依舊值得我們細細品味。 后摩爾時代，芯片制造工藝遭遇瓶頸，在產(chǎn)業(yè)從技術到商業(yè)不斷循環(huán)的“Tick-Tock”式迭代規(guī)律下，RISC-V開源指令集橫空出世，開辟了芯片商業(yè)模式更迭的嶄新篇章。如今，萬物互聯(lián)已成必然，計算場景復雜多變，RISC-V設計的初衷便是覆蓋各種計算場景，這與時代需求完美契合。無論從商業(yè)還是技術角度， RISC-V進入高性能應用場景已成必然。 在2
- 關鍵字： RISC-V 賽昉科技
Vishay推出具有業(yè)內(nèi)先進性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業(yè)和計算應用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導通電阻比前代器件降低48.2%，同時導通電阻與柵極電荷乘積下降59%，該參數(shù)是650?V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應用中的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）。Vishay豐富的MOSFET技術全面支持功率轉(zhuǎn)換過程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各
- 關鍵字： Vishay 650 V 功率MOSFET
RISC-V工委會正式成立
- 據(jù)賽昉科技官微消息，8月31日，中國電子工業(yè)標準化技術協(xié)會RISC-V工作委員會正式成立。RISC-V工委會是從事RISC-V 產(chǎn)業(yè)領域相關單位及組織等自愿組成的全國性、行業(yè)性、非營利性社會團體，是中國電子工業(yè)標準化技術協(xié)會（簡稱“中電標協(xié)”）所屬分支機構(gòu)。消息顯示，RISC-V 工委會的宗旨為發(fā)揮在產(chǎn)業(yè)組織、行業(yè)自律方面的作用，為RISC-V 產(chǎn)業(yè)領域的標準研制、標準符合性評估、知識產(chǎn)權(quán)保護、人才培養(yǎng)、產(chǎn)業(yè)研究等方面支撐服務，引導國內(nèi)RISC-V 產(chǎn)業(yè)從無序競爭走向協(xié)同創(chuàng)新，形成產(chǎn)業(yè)合力，實
- 關鍵字： RISC-V 工委會
國家支持，RISC-V 工委會正式成立
- IT之家 8 月 31 日消息，據(jù)賽昉科技消息，8 月 31 日，中國北京 —— 中國電子工業(yè)標準化技術協(xié)會 RISC-V 工作委員會正式成立，賽昉科技當選副會長單位。中國電子工業(yè)標準化技術協(xié)會 RISC-V 工作委員會，簡稱：RISC-V 工委會，英文名稱為 RISC-V Ecosystem & Industry of China Electronics Standardization Association，縮寫：RVEI，是從事 RISC-V 產(chǎn)業(yè)領域相關單位及組織等自愿
- 關鍵字： RISC-V
3D NAND還是卷到了300層
- 近日，三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
- 關鍵字： V-NAND 閃存 3D NAND
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