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【E問E答】如何降低數(shù)模設(shè)計(jì)過程中的數(shù)模干擾？

　　數(shù)模設(shè)計(jì)過程中要避免照搬經(jīng)驗(yàn)和規(guī)則，但要徹底講清這個(gè)問題，首先要明白數(shù)模干擾的機(jī)理，數(shù)字對(duì)模擬的影響可以分為以下兩種情況：串?dāng)_和共阻抗耦合。　　1、串?dāng)_ 　　串?dāng)_一般是通過數(shù)字與模擬信號(hào)線間的分布參數(shù)相互影響，不過這個(gè)問題至少目前已經(jīng)不是很突出了。因?yàn)閿?shù)字信號(hào)要布置在數(shù)字區(qū)域，模擬信號(hào)要布置在模擬區(qū)域，空間上都已經(jīng)做了隔離，因此風(fēng)險(xiǎn)也減少了。　　2、共阻抗耦合　　公共阻抗耦合是指由于騷擾源與敏感部位共用一個(gè)線路阻抗而產(chǎn)生的。當(dāng)數(shù)字信號(hào)與模擬信號(hào)共地時(shí)，由于地線在高頻時(shí)存在一定的阻抗，因此
關(guān)鍵字：阻抗 I/O

單片機(jī)學(xué)習(xí)之七：基本I/O口試驗(yàn)三-左右跑馬燈

　　一、試驗(yàn)現(xiàn)象：　　二極管從左至右，然后從右至左作跑馬燈變換，燈光變換的間隔時(shí)間是1s。　　二、試驗(yàn)?zāi)康? 　　掌握帶進(jìn)位左、右環(huán)移指令rlc，rrc的應(yīng)用　　進(jìn)一步熟悉延時(shí)程序的應(yīng)用　　三、試驗(yàn)任務(wù)分析：　　按照上一個(gè)試驗(yàn)的思路，該程序的編寫思路如下：先作左跑馬燈，然后再作右跑馬燈，然后讓程序不斷循環(huán)即可。在這個(gè)試驗(yàn)里，我們給大家介紹另外兩個(gè)左、右移指令，先看程序吧。　　四、試驗(yàn)程序如下：　　org 0000h 　　clr p1.5 　　start： mov
關(guān)鍵字： I/O 跑馬燈

單片機(jī)學(xué)習(xí)之五：基本I/O口試驗(yàn)-點(diǎn)亮二極管

　　實(shí)驗(yàn)一、基本I/O口試驗(yàn)：點(diǎn)亮二極管　　1、試驗(yàn)現(xiàn)象：　　8個(gè)二極管間隔發(fā)光。　　2、試驗(yàn)?zāi)康模? 　　了解最簡(jiǎn)單的單片機(jī)程序的編寫方法; 　　了解單片機(jī)I/O口驅(qū)動(dòng)二極管的方法　　3、試驗(yàn)任務(wù)分析：　　要想讓二極管按照我們的要求發(fā)光，首先要搞清楚電路的連接形式，我們先只看和這部分內(nèi)容有關(guān)的電路。當(dāng)JMP0跳線接在12位置時(shí)(選通二極管顯示)，電路如下圖所示：　　　　下面，我分別把單片機(jī)各管腳功能作一簡(jiǎn)單解釋：　　XTAL1和XTAL2端：
關(guān)鍵字： I/O 二極管

基于MPC8280的PCI驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

基于MPC8280的PCI驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),摘要芯片MPC8280的主頻最高為450 MHz，僅靠運(yùn)行在其上的軟件雖可實(shí)現(xiàn)路由交換功能，但交換容量?jī)H約為40 Mbitmiddot;s-1，無(wú)法滿足多路千兆交換性能要求。利用MPC8280的PCI口外接千兆交換芯片BCM56514，能突破這一
關(guān)鍵字： MPC8280 PCI 驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 內(nèi)存空間讀寫配置空間讀寫 I／O空間讀寫

飛思卡爾i.MX51系列滿足擴(kuò)大的嵌入式市場(chǎng)需求

曾推動(dòng)智能本市場(chǎng)快速發(fā)展的飛思卡爾 i.MX51產(chǎn)品系列，目前經(jīng)過進(jìn)一步擴(kuò)展后又推出新的處理器，以幫助客戶在汽車、工業(yè)和消費(fèi)電子市場(chǎng)突出自身特
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三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

韓國(guó)三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)開始進(jìn)行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比，具有包
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三星3D V-NAND固態(tài)盤加速企業(yè)閃存進(jìn)化

三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級(jí)應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤存儲(chǔ)--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術(shù)帶來(lái)性能上的提升，節(jié)省電力消耗，并提高了急需
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AS-i 總線安全連接技術(shù)與主站產(chǎn)品發(fā)展現(xiàn)狀

【從常規(guī) AS-i 總線到 AS-i Safety 技術(shù)】AS-i 總線技術(shù)已發(fā)展近 20 年，最初只是在現(xiàn)場(chǎng)層面，將傳感器和執(zhí)行元件簡(jiǎn)單進(jìn)行連接。而現(xiàn)在，傳感器和執(zhí)行元
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采用多單片機(jī)的液位監(jiān)控儀設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

　　采用單片機(jī)設(shè)計(jì)液位監(jiān)控儀是很通用的做法。如果要測(cè)量的液位有很多路(16路以上)，每路要求能滾動(dòng)顯示1年內(nèi)每班、每日、每月的輸入輸出總量(1日3班)，正?；蛞馔馔ｋ姅?shù)據(jù)不丟失，人機(jī)交互能力要強(qiáng)(要設(shè)置適當(dāng)數(shù)量的按鍵及采用LCD顯示)，并且每路液位要求對(duì)應(yīng)2路控制輸出信號(hào)(液罐液體輸入控制和輸出控制)，配置微型打印機(jī)端口，設(shè)置聲音報(bào)警，所有這些無(wú)疑需要很多的I/O端口來(lái)支持，單憑一個(gè)單片機(jī)是辦不到的，需要擴(kuò)展I/O端口。在此設(shè)計(jì)中，筆者認(rèn)為采用專用I/O擴(kuò)展芯片有較多的弊端，權(quán)衡利弊，選擇了用單片機(jī)來(lái)代替
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ATMEGA8A 單片機(jī)I/O口模擬串口

　　最近調(diào)試GPS的一個(gè)模塊，需要把數(shù)據(jù)從GPS讀取，再通過串口發(fā)送給PC機(jī)等一些功能。要用到2個(gè)串口，我使用了AMTEGA8A單片機(jī)，所以用普通IO模擬做了一個(gè)串口?；宋覂蓚€(gè)晚上的時(shí)間，才調(diào)試好模擬串口程序，也遇到不少的問題，今天終于搞定了。但是還只是波特率1200，校驗(yàn)位N 數(shù)據(jù)8 停止1 ，以后再慢慢完善。　　模擬串口主要是先要考慮到波特率和數(shù)據(jù)格式。我采用的1200的波特率，所以一個(gè)位的時(shí)間是：1s/1200=833.3333333us .這里我沒用定時(shí)器，我是用延時(shí)來(lái)實(shí)現(xiàn)定時(shí)的，一個(gè)位的延
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單片機(jī)音樂中音調(diào)和節(jié)拍的確定方法

　　單片機(jī)音樂中音調(diào)和節(jié)拍的確定方法:調(diào)號(hào)-音樂上指用以確定樂曲主音高度的符號(hào)。　　很明顯一個(gè)八度就有12個(gè)半音。　　A、B、C、D、E、F、G。經(jīng)過聲學(xué)家的研究，全世界都用這些字母來(lái)表示固定的音高。比如，A這個(gè)音，標(biāo)準(zhǔn)的音高為每秒鐘振動(dòng)440周。　　升C調(diào)：1=#C，也就是降D調(diào)：1=BD;277(頻率) 　　升D調(diào)：1=#D，也就是降E調(diào)：1=BE;311 　　升F調(diào)：1=#F，也就是降G調(diào)：1=BG;369 　　升G調(diào)：1=#G，也就是降A(chǔ)調(diào)：1=BA;415 　　升A調(diào)：1=#
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三星48層3D V-NAND快閃存儲(chǔ)器揭密

　　備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。　　三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級(jí)單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強(qiáng)調(diào)將用于各種固態(tài)硬碟(SSD)，也預(yù)計(jì)會(huì)在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實(shí)現(xiàn)了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。　　　　圖1：三星T3 2TB S
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三星3D V-NAND 32層對(duì)48層僅僅是垂直層面的擴(kuò)展？

　　三星公司已經(jīng)開始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元，屬于第三代升級(jí)技術(shù))3D V-NAND芯片，預(yù)計(jì)其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級(jí)SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設(shè)備當(dāng)中，將包含大量48層3D V-NAND存儲(chǔ)芯片且通過引線鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲(chǔ)單元，意味著每個(gè)NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
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“I”型三電平逆變器開關(guān)管不均壓研究

為解決“I”型三電平逆變拓?fù)渲袃?nèi)、外開關(guān)管的不均壓?jiǎn)栴}，在逆變拓?fù)溟_關(guān)管的控制方式及硬件電路上提出了優(yōu)化的方案。開關(guān)管發(fā)波控制中，在原有的時(shí)序控制中加入開機(jī)和關(guān)機(jī)的時(shí)序邏輯，開機(jī)時(shí)保證內(nèi)管先于外管開通，關(guān)機(jī)時(shí)保證外管先于內(nèi)管關(guān)斷，避免內(nèi)、外管承受電壓不一致的情況。在硬件電路中，對(duì)內(nèi)管增加阻容網(wǎng)絡(luò)，消除了內(nèi)、外管同時(shí)關(guān)斷時(shí)由于其寄生參數(shù)不一致而導(dǎo)致的內(nèi)、外管承受電壓不一致的現(xiàn)象。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該方法可以徹底解決“I”型三電平拓?fù)渲袃?nèi)、外管承受電壓不一致的問題。
關(guān)鍵字： “I”型三電平絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 內(nèi)、外管不均壓 201607

谷歌欲全面接管我們的生活喜還是憂？

　　谷歌一年一度的開發(fā)者I/O大會(huì)讓眾多媒體狗徹夜未眠。　　美國(guó)時(shí)間5月18日，谷歌在美國(guó)山景城(Mountain View)總部預(yù)發(fā)布了一系列人工智能產(chǎn)品與服務(wù)，谷歌CEO Sundar Pichai在會(huì)后隨即發(fā)布了題為“谷歌下一輪進(jìn)化”的博客。　　17年前，谷歌從一個(gè)創(chuàng)業(yè)公司起步，10年前推出了I/O開發(fā)者大會(huì)。當(dāng)時(shí)，全球僅有3億多用戶通過PC連網(wǎng)，如今卻有30億互聯(lián)用戶，且絕大多數(shù)是通過手機(jī)上網(wǎng)——準(zhǔn)確的說是移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)用戶。Sundar Pic
關(guān)鍵字：谷歌 I/O