v 文章 進入v技術社區(qū)
三星3D V-NAND 32層對48層 僅僅是垂直層面的擴展？
- 三星公司已經(jīng)開始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元，屬于第三代升級技術)3D V-NAND芯片，預計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設備當中，將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過引線鍵合技術實現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元，意味著每個NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
- 關鍵字： 三星 V-NAND
電壓/電流與電壓/頻率轉(zhuǎn)換電路（V/I、V/F電路）
- 1電壓/電流轉(zhuǎn)換電路 電壓/電流轉(zhuǎn)換即V/I轉(zhuǎn)換，是將輸入的電壓信號轉(zhuǎn)換成滿足一定關系的電流信號，轉(zhuǎn)換后的電流相當一個輸出可調(diào)的恒流源，其輸出電流應能夠保持穩(wěn)定而不會隨負載的變化而變化。V/I轉(zhuǎn)換原理如圖1。 由圖1可見，電路中的主要元件為一運算放大器LM324和三極管BG9013及其他輔助元件構成，V0為偏置電壓，Vin為輸入電壓即待轉(zhuǎn)換電壓，R為負載電阻。其中運算放大器起比較器作用，將正相端電壓輸入信號與反相端電壓V-進行比較，經(jīng)運算放大器放大后再經(jīng)三極管放
- 關鍵字： V/I V/F
三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)
- 2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND占比達10%，為當初預期的3倍以上，預料到了2016年，占比將進一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。 據(jù)韓媒Money Today報導，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。 據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計資料，如果以數(shù)量而言，2015年企業(yè)用SSD
- 關鍵字： 三星 V-NAND
2016年3D V-NAND市場擴大10倍 三星拉大與后起業(yè)者差距
- 在存儲器芯片市場上，垂直堆疊結(jié)構的3D V-NAND Flash比重正迅速擴大，全球企業(yè)間的競爭也將漸趨激烈。 據(jù)韓國MT News報導，2016年前3D V-NAND市場規(guī)模預估將擴大10倍，而除目前獨占市場的三星電子(Samsung Electronics)外，也將有更多半導體廠加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨大V-NAND市場，為拉大與后起業(yè)者的差距，生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結(jié)構，增加到48層。 外電引用市調(diào)機構IHS iSuppli資料指出，以NAND Flash的技術分類，V-N
- 關鍵字： 三星 V-NAND
三星業(yè)內(nèi)首先量產(chǎn)3bit 3D V-NAND閃存
- 全球先進半導體技術領軍品牌三星電子今天宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)用于固態(tài)硬盤的業(yè)內(nèi)首個3bit MLC 3D V-NAND閃存。 三星電子存儲芯片營銷部門負責人韓宰洙高級副總裁表示：“通過推出一條全新的高性能高密度固態(tài)硬盤產(chǎn)品線，我們相信3bit V-NAND將會加快數(shù)據(jù)存儲設備從傳統(tǒng)硬盤向固態(tài)硬盤的轉(zhuǎn)換。固態(tài)硬盤產(chǎn)品的多樣化，將加強三星產(chǎn)品的市場競爭力，進一步推動三星固態(tài)硬盤業(yè)務的發(fā)展?！? 3bit V-NAND閃存是基于三星第二代V-NAND芯片技術的最新產(chǎn)品，每
- 關鍵字： 三星 V-NAND閃存
AMETEK Sorensen可編程電源的保護特性
- 可編程電源是電氣實驗室工程師及技術人員必備的基本儀器，用以獲得測試所需的基本功率或可變功率。這些電源的成本通常較低，并只帶有基本的控制裝置：一個開啟/關閉開關及兩個用于調(diào)節(jié)電壓電流的旋鈕。在未來，旋鈕調(diào)節(jié)將繼續(xù)會是首選方法，因為其可單獨且靈活的改變電壓或電流，從而直觀的觀察其他測量儀器或被測部件性能。 對低成本應用中的大多數(shù)電源而言保護功能不是必須考慮的因素，但是在一些測試應用中，會要求使用很小電壓范圍，如2.0%- 20%范圍，否則會很容易損壞設備，這就為使用者提出了新的要求。 AMET
- 關鍵字： 可編程電源 AMETEK V-span
基于FPGA的高帶寬存儲接口設計
- 摘要：文中詳細地分析了Altera公司Cyclone V FPGA器件的硬核存儲控制器底層架構和外部接口，并在此基礎上對Controller和PHY進行了功能仿真。仿真結(jié)果表明硬核存儲控制器和PHY配合工作時的功能與設計預期相符，性能優(yōu)良，適合于在當前FPGA的外部存儲帶寬需求日益增長的場合下應用。 如今，越來越多的應用場景都需要FPGA能夠和外部存儲器之間建立數(shù)據(jù)傳輸通道，如視頻、圖像處理等領域，并且對數(shù)據(jù)傳輸通道的帶寬也提出了較大的需求，這就導致了FPGA和外部Memory接口的實際有效帶寬
- 關鍵字： FPGA Altera Cyclone V
Mouser 備貨 Freescale Kinetis KV1x 微控制器 面向數(shù)字電機控制市場
- 貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始供應Freescale Semiconductor 的 Kinetis® KV1x 微控制器系列產(chǎn)品。Kinetis V 系列 KV1x MCU 產(chǎn)品是 Freescale 全新 Kinetis V 系列的入門級產(chǎn)品，此可擴展的微控制器 (MCU) 系列產(chǎn)品的目標應用市場為數(shù)字電機控制。采用 75 MHz ARM® Cortex?M0+ 內(nèi)核的 Kinetis KV1x 系列產(chǎn)品具有整數(shù)除法和平方根協(xié)處理器，從而降低了因需要
- 關鍵字： 貿(mào)澤電子 Freescale Kinetis V
v介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條v!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對v的理解，并與今后在此搜索v的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對v的理解，并與今后在此搜索v的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
v研討會推薦
v相關帖子
v資料下載
v專欄文章
熱門主題
VGA/TV
(VM)軟件
TMS320VC5402
H.264/AVC
ViVAS-3G
LVDS
嵌專題Vx
中國版HD-DVD
HD-DVD標準
DVB-T調(diào)諧器
Sisvel
ITV
DVB-H/T
AVR-GCC
IMT-Advanced
V850ES/Fx3
DVD-On-Demand
Java
CEVA-TeakLite-III
VMware
TV(等離子電視)
HDMI/DVI
VDSL
VB
VC++
AVS-M和DM642
Server
EUV
LCD/TV
CEVA-Bluetooth
：VGA
LCM-TV
PDP-TV
VD-MOSFET
DVB-CI
EV—DO
Video-Over-USB
RSVP-TE
MOCVD
VST-3000
EV-DO
VoWi-Fi
VC
NVM
LabView+PX
Avago
AVS-IPTV
IPTV
CEVA
HD-EVD
VHDL-CPLD
HVAC
DVS
Symwave
Cadence?Virtuoso?
Virtuoso
IVI
DVB-T調(diào)制器
VHF/UHF
HEV
樹莓派
linux
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473