v 文章進(jìn)入v技術(shù)社區(qū)

Milk-V Oasis 主板曝光：配備 16 核 RISC-V 處理器和 20 TOPS NPU

IT之家?10 月 24 日消息，Milk-V Oasis 是一款即將上市的迷你 ITX 主板，搭載 Sophgo SG2380 RISC-V 處理器。該處理器集成了 16 核的 SiFive P670 CPU 以及 SiFive X280 神經(jīng)處理單元，AI 性能最高 20 TOPS（每秒萬億次運(yùn)算）。這款 Oasis 主板來自深圳市群芯閃耀科技有限公司，表示將以實(shí)惠的價(jià)格提供“真正的桌面級(jí) RISC-V PC”體驗(yàn)，官方計(jì)劃 2024 年第 3 季度交付。Oasis 主板尺寸為 170 x
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傳三星計(jì)劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存

近日，據(jù)媒體報(bào)道，三星電子存儲(chǔ)業(yè)務(wù)主管李政培稱，三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品，希望明年初可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。三星正在通過增加堆疊層數(shù)、同時(shí)降低高度來實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)處于緩速復(fù)蘇階段，大廠們正在追求存儲(chǔ)先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)。從當(dāng)前進(jìn)度來看，NAND Flash的堆疊競賽已經(jīng)突破200層大關(guān)：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計(jì)劃2024年推出第九代3D NAND（有望達(dá)到280層）。據(jù)悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達(dá)到430層）
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兆易創(chuàng)新推出GD32VW553系列Wi-Fi 6 MCU

業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice (股票代碼 603986) 今日宣布，正式推出基于RISC-V內(nèi)核的GD32VW553系列雙模無線微控制器。GD32VW553系列MCU支持Wi-Fi 6及Bluetooth LE 5.2無線連接，以先進(jìn)的射頻集成、強(qiáng)化的安全機(jī)制、大容量存儲(chǔ)資源以及豐富的通用接口，結(jié)合成熟的工藝平臺(tái)及優(yōu)化的成本控制，為需要高效無線傳輸?shù)氖袌?chǎng)應(yīng)用持續(xù)提供解決方案。全新產(chǎn)品組合提供了8個(gè)型號(hào)、QFN40/QFN32兩種小型封裝選項(xiàng)，現(xiàn)已開放樣片和開發(fā)板卡申請(qǐng)，并將于12
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SiFive宣布推出針對(duì)生成式AI/ML應(yīng)用的差異化解決方案,引領(lǐng)RISC-V進(jìn)入高性能創(chuàng)新時(shí)代

RISC-V 運(yùn)算的先驅(qū)和領(lǐng)導(dǎo)廠商SiFive, Inc.近日宣布推出兩款新產(chǎn)品，旨在滿足高性能運(yùn)算的最新需求。SiFive Performance? P870 和 SiFive Intelligence? X390 提供最新水準(zhǔn)的低功耗、運(yùn)算密度和矢量運(yùn)算能力，三者結(jié)合起來將為日益增長的資料密集型運(yùn)算提供必要的性能提升。這些新產(chǎn)品共同創(chuàng)建了標(biāo)量和矢量運(yùn)算的強(qiáng)大組合，可滿足現(xiàn)今數(shù)據(jù)流和運(yùn)算密集型人工智能應(yīng)用于消費(fèi)性、車用和基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)的需求。在圣克拉拉舉行的現(xiàn)場(chǎng)新聞和分析師活動(dòng)上，SiFive 同時(shí)也宣布
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中國移動(dòng)發(fā)布業(yè)界首款基于 RISC-V 架構(gòu)的 Cat.1 通信模組 ML305M

IT之家 10 月 12 日消息，近日，業(yè)界首款基于 RISC-V 架構(gòu)的 Cat.1 模組 ML305M 在 2023 中國移動(dòng)全球合作伙伴大會(huì)上首次亮相。據(jù)介紹，ML305M 基于中移芯昇科技 CM8610 開發(fā)。CM8610 是國內(nèi)首顆基于 64 位 RISC-V 內(nèi)核的 LTE Cat.1bis 通信芯片，采用 22nm 工藝，具有高集成度以及外圍極簡 BOM 設(shè)計(jì)，edrx 待機(jī)電流達(dá)到 0.74mA，最小接收靈敏度達(dá)到-101dBm，并支持 VoLTE。中移物聯(lián) OneMO 表示，M
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RISC-V技術(shù)成為中美技術(shù)戰(zhàn)爭新戰(zhàn)場(chǎng)

在中美科技戰(zhàn)的新戰(zhàn)線上，拜登政府正面臨一些立法者的施壓，要求限制美國公司開發(fā)在中國廣泛使用的免費(fèi)芯片技術(shù)，此舉可能會(huì)顛覆全球科技行業(yè)的跨境合作方式。?爭論的焦點(diǎn)是RISC-V，發(fā)音為“風(fēng)險(xiǎn)五”，這是一種開源技術(shù)，與英國半導(dǎo)體和軟件設(shè)計(jì)公司Arm Holdings（O9Ti.F）的昂貴專有技術(shù)競爭。RISC-V可以用作從智能手機(jī)芯片到人工智能高級(jí)處理器的任何產(chǎn)品的關(guān)鍵成分。?一些議員——包括兩位共和黨眾議院委員會(huì)主席、共和黨參議員馬爾科·盧比奧和民主黨參議員馬克·華納——以國家安全為由，
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中美科技戰(zhàn)新戰(zhàn)場(chǎng)！RISC-V開源芯片技術(shù)成焦點(diǎn)

中美科技競爭又有新動(dòng)向。美國政府正面臨國會(huì)壓力，要求限制美國企業(yè)投入RISC-V的開源芯片技術(shù)發(fā)展，目前RISC-V的開源性使得這項(xiàng)技術(shù)在中國大陸獲得廣泛的應(yīng)用以及發(fā)展，但如果禁止的話，可能對(duì)全球科技業(yè)的跨國合作造成沖擊。據(jù)《路透社》6日?qǐng)?bào)導(dǎo)，這一次的爭議焦點(diǎn)主要集中在RISC-V上，這是一種開放原始碼架構(gòu)，與英國的安謀國際科技公司（Arm Holdings）的競爭激烈。RISC-V可應(yīng)用于智能手機(jī)芯片到先進(jìn)人工智能處理器等各種產(chǎn)品。一些國會(huì)議員以國家安全為由，敦促拜登政府針對(duì)RISC-V問題采取行動(dòng)，
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這家RISC-V快充協(xié)議芯片原廠宣布開源！

隨著PD3.1協(xié)議的市場(chǎng)應(yīng)用越來越多，市場(chǎng)對(duì)PD3.1協(xié)議控制器也提出了更多的要求，如何更好地確保協(xié)議的穩(wěn)定性的同時(shí)增加更多系統(tǒng)級(jí)功能，這對(duì)傳統(tǒng)PD協(xié)議控制器提出了更大的挑戰(zhàn)。廣芯微電子宣布開源基于RISC-V內(nèi)核的PD控制器，以支持客戶更好地部署快充系統(tǒng)和差異化功能。芯片框圖UM3506 SoC 芯片創(chuàng)新性地集成了基于 RISC-V ISA 的 32 位微處理器內(nèi)核作為通用的集中式 TCPM 管理器。優(yōu)化后的 RISC-V 內(nèi)核配合片上 FLASH 閃存/SRAM 存儲(chǔ)器、增強(qiáng)的外設(shè)和廣泛的系統(tǒng)資源，在
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蘋果與Arm達(dá)成長期協(xié)議，加強(qiáng)合作的同時(shí)不忘布局RISC-V

9月6日，軟銀旗下芯片設(shè)計(jì)公司Arm提交給美國證券交易委員會(huì)（SEC）的首次公開募股（IPO）文件顯示，蘋果已與Arm就芯片技術(shù)授權(quán)達(dá)成了一項(xiàng)“延續(xù)至2040年以后”的新合作協(xié)議。目前，Arm拒絕就其提交文件以外的內(nèi)容發(fā)表評(píng)論，蘋果也沒有立即回復(fù)置評(píng)請(qǐng)求。Arm IPO吸引各路巨頭Arm在科技行業(yè)扮演著不可或缺的角色，它將其芯片設(shè)計(jì)授權(quán)給包括蘋果在內(nèi)的500多家公司，已經(jīng)占據(jù)了智能手機(jī)芯片領(lǐng)域95%以上的市場(chǎng)份額，包括平板電腦等，實(shí)際上已經(jīng)完全控制了整個(gè)移動(dòng)芯片領(lǐng)域。從Apple Watch到iPhone
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Milk-V 推出 Meles SBC：配 2GHz 平頭哥 TH1520 四核 RISC-V 處理器

IT之家 9 月 6 日消息，Milk-V 近日推出了名為 Meles 的單板計(jì)算機(jī)（SBC），其外觀接近于樹莓派 Model B。Meles 的大小和端口均和樹莓派 Model B 類似，只是并沒有使用基于 ARM 的處理器，而是使用基于 RISC-V 架構(gòu)的 2GHz 平頭哥曳影 T-Head TH1520 四核處理器。IT之家在此附上 Meles 單板計(jì)算機(jī)端口如下：1 個(gè) HDMI 2.0 端口1 個(gè)千兆端口4 個(gè) USB 3.0 主機(jī)端口1 個(gè) USB 2.0 Type-C 端口1 個(gè)
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RISC-V邁入高性能，量產(chǎn)落地是關(guān)鍵！

這是最好的一屆RISC-V中國峰會(huì)，雖已落幕一周，但它流傳的故事依舊激昂人心，它引發(fā)的話題仍未褪色，它帶來的啟發(fā)依舊值得我們細(xì)細(xì)品味。后摩爾時(shí)代，芯片制造工藝遭遇瓶頸，在產(chǎn)業(yè)從技術(shù)到商業(yè)不斷循環(huán)的“Tick-Tock”式迭代規(guī)律下，RISC-V開源指令集橫空出世，開辟了芯片商業(yè)模式更迭的嶄新篇章。如今，萬物互聯(lián)已成必然，計(jì)算場(chǎng)景復(fù)雜多變，RISC-V設(shè)計(jì)的初衷便是覆蓋各種計(jì)算場(chǎng)景，這與時(shí)代需求完美契合。無論從商業(yè)還是技術(shù)角度， RISC-V進(jìn)入高性能應(yīng)用場(chǎng)景已成必然。在2
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Vishay推出具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導(dǎo)通電阻比前代器件降低48.2%，同時(shí)導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積下降59%，該參數(shù)是650?V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）。Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉(zhuǎn)換過程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各
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RISC-V工委會(huì)正式成立

據(jù)賽昉科技官微消息，8月31日，中國電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)RISC-V工作委員會(huì)正式成立。RISC-V工委會(huì)是從事RISC-V 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域相關(guān)單位及組織等自愿組成的全國性、行業(yè)性、非營利性社會(huì)團(tuán)體，是中國電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)（簡稱“中電標(biāo)協(xié)”）所屬分支機(jī)構(gòu)。消息顯示，RISC-V 工委會(huì)的宗旨為發(fā)揮在產(chǎn)業(yè)組織、行業(yè)自律方面的作用，為RISC-V 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)研制、標(biāo)準(zhǔn)符合性評(píng)估、知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)、人才培養(yǎng)、產(chǎn)業(yè)研究等方面支撐服務(wù)，引導(dǎo)國內(nèi)RISC-V 產(chǎn)業(yè)從無序競爭走向協(xié)同創(chuàng)新，形成產(chǎn)業(yè)合力，實(shí)
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國家支持，RISC-V 工委會(huì)正式成立

IT之家 8 月 31 日消息，據(jù)賽昉科技消息，8 月 31 日，中國北京 —— 中國電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì) RISC-V 工作委員會(huì)正式成立，賽昉科技當(dāng)選副會(huì)長單位。中國電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì) RISC-V 工作委員會(huì)，簡稱：RISC-V 工委會(huì)，英文名稱為 RISC-V Ecosystem & Industry of China Electronics Standardization Association，縮寫：RVEI，是從事 RISC-V 產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域相關(guān)單位及組織等自愿
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3D NAND還是卷到了300層

近日，三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
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