vd-mosfet 文章 進入vd-mosfet技術(shù)社區(qū)
住在市區(qū)還是郊區(qū)？考慮采用轉(zhuǎn)換器或控制器調(diào)節(jié)大電流電壓
- 一般來講，尋求更大生活空間的居民會放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便，并能享受城市服務(wù)，但他們更愿意搬到郊區(qū)，因為那里房子更大，院子更寬敞。同樣，當(dāng)工程師需要大電流用于負載點(POL)設(shè)計時，他們一般會放棄高密度轉(zhuǎn)換器(帶集成MOSFET)的便利，取而代之使用一個更復(fù)雜的涉及控制器(帶外部MOSFET)解決方案?？刂破?，與郊區(qū)環(huán)境相類似，具有相對的靈活性和經(jīng)濟性，但會占據(jù)更多不動產(chǎn)，更多的電路板空間。 直到最近，電流超過10-15A的應(yīng)用一般會依賴帶外部MOSF
- 關(guān)鍵字： MOSFET 封裝
關(guān)于MOS管的基礎(chǔ)知識大合集
- 下面對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。 1，MOS管種類和結(jié)構(gòu) MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。 至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。 對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開
- 關(guān)鍵字： MOS管 MOSFET
意法半導(dǎo)體(ST)的先進碳化硅功率器件加快汽車電動化進程
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)在混動汽車和電動汽車(EV，Electric Vehicles)市場發(fā)布了先進的高能效功率半導(dǎo)體器件，同時還公布了新產(chǎn)品AEC-Q101汽車質(zhì)量認證時間表。 電動汽車和混動汽車通過提高電能利用率來延長續(xù)航里程。意法半導(dǎo)體最新的碳化硅(SiC)技術(shù)讓車企能夠研制續(xù)航里程更長、充電速度更快的電動和混動汽車，使其更好地融入車主的生活。作為碳化硅技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，針對汽車所有主要電氣模塊，意法半導(dǎo)體率先推
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 MOSFET
英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝，進一步擴大緊湊型門級驅(qū)動產(chǎn)品陣容
- 英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門級驅(qū)動IC產(chǎn)品家族帶來了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能?！ ∪翴C的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅(qū)動高壓功率MOSFET和IGBT而設(shè)計。目標(biāo)應(yīng)用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動汽車充電站、焊接設(shè)備及商用和農(nóng)用車等。優(yōu)化的
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 SiC-MOSFET
理解超級結(jié)技術(shù)
- 基于超級結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前，高壓器件的主要設(shè)計平臺是基于平面技術(shù)。但高壓下的快速開關(guān)會產(chǎn)生AC/DC電源和逆變器方面的挑戰(zhàn)。從平面向超級結(jié)MOSFET過渡的設(shè)計工程師常常為了照顧電磁干擾(EMI)、尖峰電壓及噪聲考慮而犧牲開關(guān)速度。本應(yīng)用指南將比較兩種平臺的特征，以便充分理解和使用超級結(jié)技術(shù)的優(yōu)點。 為了理解兩種技術(shù)的差異，我
- 關(guān)鍵字： MOSFET 超級結(jié)結(jié)構(gòu)
意法半導(dǎo)體(ST)新的MOSFET晶體管技術(shù)/封裝解決方案重新定義功率能效
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET為低壓電源設(shè)計人員提高計算機、電信網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)、消費電子產(chǎn)品的能效創(chuàng)造新的機會?！ ∪澜绲娜硕荚讷@取、保存、分享大量的電子書、視頻、相片和音樂文件，數(shù)據(jù)使用量連續(xù)快速增長，運行云計算技術(shù)的服務(wù)器集群、互聯(lián)互通的電信網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)用戶終端設(shè)備的耗電量也隨之越來越高，人們對這些設(shè)備能耗最小化的需求越來越多
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 MOSFET
MOSFET和三極管ON狀態(tài)有什么區(qū)別？
- MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢? 三極管ON狀態(tài)時工作于飽和區(qū)，導(dǎo)通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅(qū)動電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡單的僅 由Vce來決定，即不能采用飽和Rce來表示(因Rce會變化)。由于飽和狀態(tài)下Vce較小，所以三極管一般用飽和Vce表示?！ OS管在ON狀態(tài)時工作于線性區(qū)(相當(dāng)于三極管的飽
- 關(guān)鍵字： MOSFET 三極管
解析IGBT的工作原理及作用
- 本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點?？梢哉f，IGBT是一個非通即斷的開關(guān)，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。
- 關(guān)鍵字： IGBT MOSFET
如何避免LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的MOSFET出現(xiàn)故障
- 為了降低能源成本，設(shè)備設(shè)計人員正在不斷尋找優(yōu)化功率密度的新方法。通常情況下，電源設(shè)計人員通過增大開關(guān)頻率來降低功耗和縮小系統(tǒng)尺寸。由于具有諸多優(yōu)勢如寬輸出調(diào)節(jié)范圍、窄開關(guān)頻率范圍以及甚至在空載情況下都能保證零電壓開關(guān)，LLC 諧振轉(zhuǎn)換器應(yīng)用越來越普遍。但是，功率 MOSFET 出現(xiàn)故障一直是LLC 諧振轉(zhuǎn)換器中存在的一個問題。在本文中，我們將闡述如何避免這些情況下出現(xiàn)MOSFET 故障。 初級 MOSFET 的不良體二極管性能可能導(dǎo)致一些意想不到的系統(tǒng)或器件故障，如在各種異常條件下發(fā)生嚴(yán)重的直通
- 關(guān)鍵字： 諧振轉(zhuǎn)換器 MOSFET
完全自保護MOSFET功率器件分析
- 為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設(shè)計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統(tǒng)造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現(xiàn)，但是在更多情況下，設(shè)計人員使用完全自保護的MOSFET功率器件來完成?！ D1顯示了完全自保護MOSFET的一般拓撲結(jié)構(gòu)。這些器件常見的其他特性包括狀態(tài)指示、數(shù)字輸入、差分輸入和過壓及欠壓切斷。高端配置包括片上電荷泵功能。但是，大多數(shù)器件都具備三個電路模塊，即電流限制、溫度限制和漏-源過壓箝制，為器件提供大部分的保護?！ ?nbsp;&n
- 關(guān)鍵字： MOSFET 功率器件
功率MOSFET在正激式驅(qū)動電路中的應(yīng)用簡析
- 功率MOSFET在目前一些大功率電源的產(chǎn)品設(shè)計中得到了廣泛的應(yīng)用，此前本文曾經(jīng)就幾種常見的MOSFET電路設(shè)計類型進行了簡單總結(jié)和介紹。在今天的文章中，本文將會就這一功率器件的另一種應(yīng)用方式，即有隔離變壓器存在的互補驅(qū)動電路，進行簡要分析?！ ∮懈綦x變壓器的互補驅(qū)動電路作為一種比較常見的驅(qū)動電路形式，在目前的家電產(chǎn)品設(shè)計中應(yīng)用較多，其典型電路結(jié)構(gòu)如圖1(a)所示。在圖1(a)所給出的電路結(jié)構(gòu)中，V1、V2為互補工作，電容C起隔離直流的作用，T1為高頻、高磁率的磁環(huán)或磁罐?！ ?nbsp;
- 關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動電路
入門必看的MOSFET小功率驅(qū)動電路知識分享
- 功率器件MOSFET是目前應(yīng)用頻率最高的電子元件之一，也是很多電子工程師在入門學(xué)習(xí)時的重點方向。如果設(shè)計得當(dāng)，MOSFET驅(qū)動電路可以幫助工程師快速、高效、節(jié)能的完成電路系統(tǒng)的驅(qū)動設(shè)計，本文在這里將會分享一種比較常見的MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計方案，該方案尤其適用于小功率電路系統(tǒng)的采用?！ ∠聢D中，圖1(a)所展示的是一種目前業(yè)內(nèi)比較常用的小功率MOSFET驅(qū)動電路，這一電路系統(tǒng)的特點是簡單可靠，且設(shè)計成本比較低，尤其適用于不要求隔離的小功率開關(guān)設(shè)備。圖1(b)所示驅(qū)動電路開關(guān)速度很快，驅(qū)動能力強，為防
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