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英飛凌推出OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列
- 英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應(yīng)用電力電子會議和產(chǎn)品展示會上，推出OptiMOS 25V器件系列，壯大OptiMOS 功率 MOSFET產(chǎn)品陣容。該系列器件經(jīng)過優(yōu)化，適合應(yīng)用于計(jì)算機(jī)服務(wù)器電源的電壓調(diào)節(jié)電路和電信/數(shù)據(jù)通信的開關(guān)。這種全新的MOSFET還被集成進(jìn)滿足英特爾DrMOS規(guī)范的TDA21220 DrMOS。 通過大幅降低三個(gè)關(guān)鍵的能效優(yōu)值(FOM)，這種全新的器件無論在任何負(fù)載條件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同時(shí)達(dá)到更高的性能。此外，更高的功率密度還能讓典型電
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CISSOID引入了新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管
- CISSOID，在高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，介紹了 VENUS，他們的新系列高溫 30V 的 P通道功率 MOSFET 晶體管保證操作在攝氐負(fù)55度到225度之間。P通道功率 MOSFETs 的VENUS系列命名為 CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004 及CHT-PMOS3008，其最大漏電流額定分別為2A，4A及8A。它們補(bǔ)充了該公司在2009年11月介紹的 N 通道 MOSFETs 的 SATURN 系列。 VENUS 功率 MOSFETs 表現(xiàn)出色的高溫性能。在攝氏 225
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安森美半導(dǎo)體推出高壓MOSFET系列
- 應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充公司市場領(lǐng)先的功率開關(guān)產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)系列。這些新方案的設(shè)計(jì)適合功率因數(shù)校正(PFC)和脈寬調(diào)制(PWM)段等高壓、節(jié)能應(yīng)用的強(qiáng)固要求，在這些應(yīng)用中，加快導(dǎo)通時(shí)間及降低動態(tài)功率損耗至關(guān)重要。具體而言，這些方案非常適合用于游戲機(jī)、打印機(jī)和筆記本電源適配器，及應(yīng)用于ATX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業(yè)照明鎮(zhèn)流器。 這些新的500 V和60
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NXP 推出全新60 V和100 V晶體管
- 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶體管，擴(kuò)充Trench 6 MOSFET產(chǎn)品線。新產(chǎn)品采用Power SO-8LFPAK封裝，支持60 V和100 V兩種工作電壓。Trench 6芯片技術(shù)和高性能LFPAK封裝工藝的整合賦予新產(chǎn)品出色的性能和可靠性，為客戶提供眾多實(shí)用價(jià)值。 LFPAK是一種“真正”意義上的功率封裝，通過優(yōu)化設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)最佳熱/電性能、成本優(yōu)勢和可靠性。LFPAK是汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101唯一認(rèn)可的
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利用智能MOSFET驅(qū)動器提升數(shù)字控制電源性能
- 在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號，以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動器IC與MOSFET的位置相鄰，所以就需要增加智能保護(hù)功能以增強(qiáng)電源的可靠性。 UC
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安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充N溝道功率MOSFET系列
- 應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導(dǎo)體經(jīng)過完備測試的N溝道功率MOSFET提供高達(dá)500毫焦(mJ)的業(yè)界領(lǐng)先雪崩額定值，非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負(fù)載引致過渡電壓應(yīng)力的設(shè)計(jì)。 安森美半導(dǎo)體這些100 V功率MOSFET器件的典型應(yīng)用包括工業(yè)電機(jī)控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器，以及汽車中的直接燃?xì)鈬娚?DGI)。這些無鉛器件，符合RoHS指令，關(guān)鍵的規(guī)范特性包括：
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Maxim推出用于高壓系統(tǒng)的高邊MOSFET驅(qū)動器
- Maxim推出用于高壓系統(tǒng)的高邊MOSFET驅(qū)動器MAX15054。該器件能夠?yàn)樾枰捎媒祲夯蛏祲和負(fù)浣Y(jié)構(gòu)、但不帶必需的高邊MOSFET驅(qū)動器的HB (高亮度) LED設(shè)計(jì)提供低成本方案。MAX15054在單串和多串LED驅(qū)動器中通過使用降壓以及單電感升降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，并將地電位作為輸出電壓的參考點(diǎn)，從而使設(shè)計(jì)人員避免了采用SEPIC結(jié)構(gòu)帶來的成本和設(shè)計(jì)復(fù)雜度。 MAX15054可提供2A驅(qū)動電流，具有極低(12ns，典型值)的傳輸延時(shí)和較短的上升、下降時(shí)間。器件的雙UVLO (欠壓鎖定)功能保
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Linear 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4449
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4449，該器件為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)計(jì)。這個(gè)驅(qū)動器結(jié)合凌力爾特公司的 DC/DC 控制器和功率 FET 可形成一個(gè)完整的高效率同步穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器可用作降壓型或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。 LTC4449 在 4V 至 6.5V 范圍內(nèi)驅(qū)動高端和低端 MOSFET 柵極，以高達(dá) 38V 的電源電壓工作。這個(gè)強(qiáng)大的驅(qū)動器可以吸收
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RS添加超過900種飛兆半導(dǎo)體裝置
- RS Components于今日宣布，增加飛兆半導(dǎo)體900種新裝置，飛兆是全球領(lǐng)先節(jié)能半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商。RS目前擁有最先進(jìn)、最全面的飛兆電源產(chǎn)品系列，均可從庫存直接發(fā)貨至廣大設(shè)計(jì)工程師。 新添加的電源IC家族包括飛兆獲得大獎的直流直流控制器，融合了領(lǐng)先行業(yè)的便攜式裝置高功率、高性能、功率密度和規(guī)格等特點(diǎn)。RS推出的飛兆系列也包括Intellimax™負(fù)荷開關(guān)和MOSFET、高性能光耦合器、二極管、IGBT、邏輯及接口產(chǎn)品。 飛兆的FAN2XXX和FAN5XXX直流直流控制器家族
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IR 推出適用于汽車的 DirectFET 2 功率 MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。這兩款產(chǎn)品以堅(jiān)固可靠、符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝為汽車應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了卓越的功率密度、雙面冷卻和極小的寄生電感和電阻。 IR 的這些首款汽車用 DirecFET2 件完全不含鉛，與傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝元件相比，可降低整體系統(tǒng)級尺寸和成本，實(shí)現(xiàn)更優(yōu)異的性能和效率。 IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET AUIRF7739L2 AUIRF7665S2 DirectFET
英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進(jìn)一步擴(kuò)大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)、DC/DC變換器、不間斷電源(UPS)和直流電機(jī)驅(qū)動。憑借同類器件中最低的優(yōu)質(zhì)化系數(shù)(FOM)，OptiMOS 200V和250V技術(shù)可使系統(tǒng)設(shè)計(jì)的導(dǎo)通損耗降低一半。 對于應(yīng)用二極管整流的48V開關(guān)電源而言，工程師們現(xiàn)在有了全新的選擇，從而使得整體效率大于95%。這比當(dāng)前典型的效率水平高出兩個(gè)百分點(diǎn)，從功率損耗的角度看，也就是發(fā)熱量降
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