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飛兆推出 200V/250V的PowerTrench工藝MOSFET
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N溝道MOSFET，這兩款產(chǎn)品經(jīng)專門設計，可為等離子體顯示板 (PDP) 應用提供業(yè)界領先的系統(tǒng)效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導體專利的PowerTrench® 工藝技術，這些MOSFET比較市場上同類型器件提供最低的導通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值為22.9毫歐；FDB2710的典型值為36.3 毫歐)。超低的RDS(on) 加上極低
- 關鍵字： MOSFET 單片機 飛兆 嵌入式系統(tǒng)
RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)
- 摘 要：本文簡述了RF 功率 MOSFET器件的應用，分析了以LDMOSFET工藝為基礎的RF 功率 MOSFET的功能特性、產(chǎn)品結構和制造工藝特點。文中結合6寸芯片生產(chǎn)線，設計了產(chǎn)品的制造工藝流程，分析了制造工藝的難點，并提出了解決方案。關鍵詞：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件結構；制造工藝 引言RF 功率 MOSFET的最大應用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
- 關鍵字： LDMOSFET MOSFET RF RF專題 電源技術 功率 模擬技術 器件結構 制造工藝
常用MOSFET技術參數(shù)
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
- 關鍵字： MOSFET
英飛凌推出新一代MOSFET節(jié)能器件
- 英飛凌推出新一代MOSFET節(jié)能器件，助力電源制造商實現(xiàn)能效目標 英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）日前發(fā)布應用于計算機、電信設備和消費電子產(chǎn)品的直流/直流變換器的新一代功率半導體產(chǎn)品家族。全新的OptiMOS® 3 30V N溝道MOSFET家族可使標準電源產(chǎn)品的可靠性和能源效率提高1%至1.3%，并在導通電阻、功率密度和門極電荷等主要功率轉換指標上達到業(yè)界領先水平。 許多電源產(chǎn)品，如用于服務器、筆記本電腦、等離子或液晶電視以及游戲機的電源產(chǎn)
- 關鍵字： MOSFET 電源技術 節(jié)能器件 模擬技術 英飛凌
單芯片大電流同步降壓方案助力簡化電源設計
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- 關鍵字： MOSFET
MOSFET熱模擬工具現(xiàn)提供免費下載！
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- 關鍵字： MOSFET
簡易鋰電池保護IC測試電路的設計
- 由于鋰電池的體積密度、能量密度高，并有高達4.2V的單節(jié)電池電壓，因此在手機、PDA和數(shù)碼相機等便攜式電子產(chǎn)品中獲得了廣泛的應用。為了確保使用的安全性，鋰電池在應用中必須有相應的電池管理電路來防止電池的過充電、過放電和過電流。鋰電池保護IC超小的封裝和很少的外部器件需求使它在單節(jié)鋰電池保護電路的設計中被廣泛采用。 然而，目前無論是正向（獨立開發(fā)）還是反向（模仿開發(fā)）設計的國產(chǎn)鋰電池保護IC由于技術、工藝的原因，實際參數(shù)通常都與標準參數(shù)有較大差別，在正向設計的IC中尤為突出，因此，測試鋰電池保護IC的實
- 關鍵字： MOSFET 電源技術 鋰電池 模擬技術 消費電子 消費電子
TOPSwitch-GX開關電源在牙科X光機中的應用
- 1 引言 TPS54350是德州儀器(TI)新推出的一款內(nèi)置MOSFET的高效DC／DC變換器．采用小型16引腳HISSOP封裝．連續(xù)輸出電流為3 A時，輸入電壓范圍為4．5 V~20 V。該變換器極大地簡化了負載電源管理的設計，使得設計人員可直接通過中壓總線(而不依賴額外的低電壓總線)為數(shù)字信號處理器(DSP)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)及微處理器供電。TPS554350 SWIFT(采用集成FET技術的開關)DC／DC變換器的效率高達90％以上，非常適用于低功耗工業(yè)與商用電源、帶液晶顯示屏(LC
- 關鍵字： MOSFET 電源技術 模擬技術 信號處理 模擬IC 電源
ST高效功率MOSFET晶體管提高照明應用性能
- 意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM)推出了新系列功率MOSFET產(chǎn)品的第一款產(chǎn)品。 通態(tài)電阻極低，動態(tài)特性和雪崩特性非常優(yōu)異，新系列產(chǎn)品為客戶大幅度降低照明應用的傳導損耗、全面提升效率和可靠性帶來了機會。 商用照明應用市場對更高的功率密度和更低的成本的日益增長的需求激勵半導體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產(chǎn)品STD11NM60N就是一個這樣的挑戰(zhàn)半導體器件技術極限的實例，該產(chǎn)品采用ST自主開發(fā)的第二代 MDmeshTM 技術，最大通態(tài)電阻 RDS&nb
- 關鍵字： MOSFET ST 電源技術 晶體管 模擬技術 消費電子 意法半導體 照明 消費電子
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