vdd-vssesd 文章 進(jìn)入vdd-vssesd技術(shù)社區(qū)
亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計（二）
- 3 仿真分析及具體設(shè)計結(jié)果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結(jié)構(gòu)的設(shè)計中，一種常見的具體的ESD瞬態(tài)檢測電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結(jié)構(gòu)。其原理如下：主要利用結(jié)構(gòu)中的RC延遲作用，一般T=RC被設(shè)計為100ns-1000ns之間，而
- 關(guān)鍵字： VDD-VSSESD CMOS 亞微米 電路
亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計
- 1 引言ESD(Electric Static Discharge)保護(hù)結(jié)構(gòu)的有效設(shè)計是CMOS集成電路可靠性設(shè)計的重要任務(wù)之一，其ESD結(jié)構(gòu)與工藝技術(shù)、特征尺寸密切相關(guān)，隨著IC工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，特征尺寸越來越小，管子的柵氧層厚度越來越
- 關(guān)鍵字： VDD-VSSESD CMOS 亞微米 電路
AB類功率放大器驅(qū)動電路的研究與設(shè)計
- 1 AB類功放驅(qū)動電路設(shè)計目標(biāo) 在實(shí)用電路中，往往要求放大電路的末級(即輸出級)輸出一定的功率，以驅(qū)動負(fù)載。能夠向負(fù)載提供足夠信號功率的放大電路稱為功率放大電路，簡稱功放。經(jīng)典功率放大器有4種類型：A類，AB類，B類和C類，他們的主要差別在于偏置的情況不同。理想的4類經(jīng)典放大器的最大效率的理論值與導(dǎo)通角的函數(shù)關(guān)系如圖1所示。 A類功率放
- 關(guān)鍵字： AB類功放驅(qū)動電路 NMOS VDD 隔直電容
vdd-vssesd介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條vdd-vssesd!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對vdd-vssesd的理解，并與今后在此搜索vdd-vssesd的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對vdd-vssesd的理解，并與今后在此搜索vdd-vssesd的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
vdd-vssesd相關(guān)帖子
vdd-vssesd資料下載
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473