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亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)（二）
- 3 仿真分析及具體設(shè)計(jì)結(jié)果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，一種常見(jiàn)的具體的ESD瞬態(tài)檢測(cè)電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結(jié)構(gòu)。其原理如下：主要利用結(jié)構(gòu)中的RC延遲作用，一般T=RC被設(shè)計(jì)為100ns-1000ns之間，而
- 關(guān)鍵字： VDD-VSSESD CMOS 亞微米 電路
亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
- 1 引言ESD(Electric Static Discharge)保護(hù)結(jié)構(gòu)的有效設(shè)計(jì)是CMOS集成電路可靠性設(shè)計(jì)的重要任務(wù)之一，其ESD結(jié)構(gòu)與工藝技術(shù)、特征尺寸密切相關(guān)，隨著IC工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，特征尺寸越來(lái)越小，管子的柵氧層厚度越來(lái)越
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AB類(lèi)功率放大器驅(qū)動(dòng)電路的研究與設(shè)計(jì)
- 1 AB類(lèi)功放驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)目標(biāo) 在實(shí)用電路中，往往要求放大電路的末級(jí)(即輸出級(jí))輸出一定的功率，以驅(qū)動(dòng)負(fù)載。能夠向負(fù)載提供足夠信號(hào)功率的放大電路稱(chēng)為功率放大電路，簡(jiǎn)稱(chēng)功放。經(jīng)典功率放大器有4種類(lèi)型：A類(lèi)，AB類(lèi)，B類(lèi)和C類(lèi)，他們的主要差別在于偏置的情況不同。理想的4類(lèi)經(jīng)典放大器的最大效率的理論值與導(dǎo)通角的函數(shù)關(guān)系如圖1所示。 A類(lèi)功率放
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