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亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護結(jié)構(gòu)設(shè)計（二）
- 3 仿真分析及具體設(shè)計結(jié)果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結(jié)構(gòu)的設(shè)計中，一種常見的具體的ESD瞬態(tài)檢測電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結(jié)構(gòu)。其原理如下：主要利用結(jié)構(gòu)中的RC延遲作用，一般T=RC被設(shè)計為100ns-1000ns之間，而
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亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護結(jié)構(gòu)設(shè)計
- 1 引言ESD(Electric Static Discharge)保護結(jié)構(gòu)的有效設(shè)計是CMOS集成電路可靠性設(shè)計的重要任務(wù)之一，其ESD結(jié)構(gòu)與工藝技術(shù)、特征尺寸密切相關(guān)，隨著IC工藝技術(shù)的進一步發(fā)展，特征尺寸越來越小，管子的柵氧層厚度越來越
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AB類功率放大器驅(qū)動電路的研究與設(shè)計
- 1 AB類功放驅(qū)動電路設(shè)計目標(biāo) 在實用電路中，往往要求放大電路的末級(即輸出級)輸出一定的功率，以驅(qū)動負載。能夠向負載提供足夠信號功率的放大電路稱為功率放大電路，簡稱功放。經(jīng)典功率放大器有4種類型：A類，AB類，B類和C類，他們的主要差別在于偏置的情況不同。理想的4類經(jīng)典放大器的最大效率的理論值與導(dǎo)通角的函數(shù)關(guān)系如圖1所示。 A類功率放
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