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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> virginia diodes

          Diodes:MOSFET控制器提升PSU效率

          •   Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其額定電壓為25V,適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管,并通過減少多達70%的整流器損耗,有效提升最高達3.5%的電源效率。因此,該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達到87%的評級要求。   這款采用SO8封裝的MOSFET控制器操作電壓范圍寬廣,介于5V至25V之間,可由適配器的19V供電軌直接供電,并且在瞬態(tài)過壓狀態(tài)下,保證器件正常
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          MOSFET控制器有助提升PSU效率

          • Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其額定電壓為25V,適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管,并通過減少多達70%的整流器損耗,有效提升最高達3.5%的電源效率。因此,該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達到87%的評級要求。
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          Diodes封裝MOSFET有助于實現(xiàn)低溫操作

          •   Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結(jié)點至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130oC/W,能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達1W的功率耗散,相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280oC/W的SOT723封裝,能實現(xiàn)更低溫度運行。   這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣,印刷電路板(PCB)面積為1.44mm2,并具備0.5mm的狹小離板高度,但后者的熱效率則較低。這對采用DFN1212-3封裝的MOSFET
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          Diodes負載開關(guān)提升HDMI端口保護功能

          • Diodes公司推出AP2331單信道限流負載開關(guān)。該產(chǎn)品專為高清晰度多媒體接口 (HDMI) 的標(biāo)準(zhǔn)及其它監(jiān)視器接口的保護功能而優(yōu)化設(shè)計,適合于3V至5V的熱插拔連接以及其它承受高電容性負載和可能受短路影響的應(yīng)用。
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          Diodes推出新型P通道MOSFET

          • Diodes公司推出微型12V P通道強化型MOSFET——DMP1245UFCL,有助提升電池效率及減少電路板空間,并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計要求,如智能手機及平板計算機等。
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          Diodes超薄型整流器簡化太陽能電池板設(shè)計

          • Diodes推出SBR12U45LH超級勢壘整流器 (SBR) ,額定電流為12A,以超薄型PowerDI-5SP封裝,為生產(chǎn)新一代太陽能光電模塊 (PV module) 的太陽能電池板制造商,解除設(shè)計和生產(chǎn)方面的主要顧慮 。
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          Diodes偏壓控制及電源管理IC為LNB設(shè)計節(jié)省成本

          • Diodes公司針對單波段衛(wèi)星低噪聲模塊 (LNB) 推出一款高集成偏壓、控制及電源管理ICZXNB4204。該器件可減少 ...
          • 關(guān)鍵字: Diodes  控制及  電源管理IC  

          DIODES在成都高新區(qū)設(shè)立封裝測試生產(chǎn)基地

          •   達爾科技(DIODES)7月19日在成都高新綜合保稅區(qū)的生產(chǎn)基地奠基。達邇科技(成都)有限公司,是由美商達爾科技股份有限公司和成都亞光電子股份有限公司共同出資組建。   
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          Diodes 40V閘極驅(qū)動器減少IGBT開關(guān)損耗

          •   Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動器(gate driver) ,有助于提高太陽能逆變器、電機驅(qū)動和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。
          • 關(guān)鍵字: Diodes  IGBT  

          Diodes推出40V 閘極驅(qū)動器減少IGBT 開關(guān)損耗

          • Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動器(gate driver) ,有助于提高太陽能逆變器、電機驅(qū)動和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。
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          Diodes 40V閘極驅(qū)動器減少IGBT開關(guān)損耗

          •   Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動器(gate driver) ,有助于提高太陽能逆變器、電機驅(qū)動和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。   當(dāng)輸入電流為 1mA 時,該閘極驅(qū)動器通??商峁?4A 的驅(qū)動電流,使其成為控制器的高輸出阻抗和 IGBT 的低輸入阻抗之間高增益緩沖級的最佳選擇。ZXGD3006E6 擁有一個發(fā)射極跟隨器配置,可防止閂鎖效應(yīng)(latch-up)及貫通問題(shoot-through),實現(xiàn)少于 10ns 的傳輸延遲時間。  
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          Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機損耗

          • Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD,可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻(Rdson)性能,以確保平衡分配電機負載的直流損耗并將其減少到最小。
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          Diodes 推出超勢壘整流器提高汽車應(yīng)用可靠性

          • Diodes 公司推出首款針對汽車應(yīng)用的超勢壘整流器(Super Barrier Rectifier,簡稱SBR)系列。與同類肖特基或超快二極管相比,該系列器件擁有更低的正向電壓降、改善了雪崩額定值以及更高的安全運行區(qū)(SOA)。這些堅固耐用的整流器讓汽車設(shè)計師可提升電機控制、顯示板以及 LED 照明電路的可靠性。
          • 關(guān)鍵字: Diodes  整流器  

          Diodes 超勢壘整流器提高汽車應(yīng)用可靠性

          • ????????Diodes 公司推出首款針對汽車應(yīng)用的超勢壘整流器(Super Barrier Rectifier,簡稱SBR)系列。與同類肖特基或超快二極管相比,該系列器件擁有更低的正向電壓降、改善了雪崩額定值以及更高的安全運行區(qū)(SOA)。這些堅固耐用的整流器讓汽車設(shè)計師可提升電機控制、顯示板以及 LED 照明電路的可靠性。   獲 AECQ101 認證的 SBR20A60CTBQ、SBR30A45CTBQ
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          Diodes 全新MOSFET 組合可減少直流電機損耗

          •   Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD,可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻(Rdson)性能,以確保平衡分配電機負載的直流損耗并將其減少到最小。  
          • 關(guān)鍵字: Diodes  DMC4040SSD  MOSFET   
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