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          Diodes新型綜合繼電器驅動器優(yōu)化電感性負載控制

          • Diodes Incorporated 推出新型DRDC3105綜合繼電器驅動器 (Integrated Relay Driver) ,通過把一個完整的固態(tài)繼電器驅動器整合于單一的表面貼面封裝,可以盡可能地減少印刷電路板的占板面積、削減組件數量,并改善電感性負載控制電路的可靠性。
          • 關鍵字: Diodes  繼電器  DRDC3105  

          Diodes推出AL5801線性發(fā)光二極管(LED)驅動器

          • Diodes公司推出AL5801線性發(fā)光二極管(LED)驅動器,僅需兩個外加組件,就可以為設計人員簡化汽車內部、指示牌及一般照明控制電路。這款占位小、采用SOT26封裝的器件,把一個100V額定N通道MOSFET集成于一個經過預先偏置的NPN晶體管,能驅動由多達三十個20mA至350mA低功率串聯LED組成的鏈路。
          • 關鍵字: Diodes  二極管  LED  

          Diodes推出微型高速開關二極管

          • Diodes Incorporated 推出一系列占板面積小、采用低剖面封裝的高速開關二極管,有助大幅降低器件數量及電路板面積。新品系列除具備75V、80V及85V的額定擊穿電壓 (Breakdown Voltage) 外,更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封裝,以供顧客選擇。
          • 關鍵字: Diodes  二極管  

          Diodes推出微型高速開關二極管

          • Diodes Incorporated 推出一系列占板面積小、采用低剖面封裝的高速開關二極管,有助大幅降低器件數量及電路板面積。新品系列除具備75V、80V及85V的額定擊穿電壓 (Breakdown Voltage) 外,更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封裝,以供顧客選擇。
          • 關鍵字: Diodes  二極管  

          Diodes MOSFET使電源供應器超越“能源之星”效率目標

          • Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器,讓反激式電源設計師能以MOSFET替換低效率的肖特基整流器,作為理想驅動二極管。同時,ZXGD3105N8還能使機頂盒取得少于100mW的待機功耗,以及逾87%的滿載效率。
          • 關鍵字: Diodes  控制器  MOSFET  

          Diodes:MOSFET控制器提升PSU效率

          •   Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其額定電壓為25V,適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設計。這款新品能取代返馳式轉換器內效率較低的肖特基二極管,并通過減少多達70%的整流器損耗,有效提升最高達3.5%的電源效率。因此,該器件有助電源供應系統(tǒng)更容易達到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達到87%的評級要求。   這款采用SO8封裝的MOSFET控制器操作電壓范圍寬廣,介于5V至25V之間,可由適配器的19V供電軌直接供電,并且在瞬態(tài)過壓狀態(tài)下,保證器件正常
          • 關鍵字: Diodes  MOSFET  控制器  

          MOSFET控制器有助提升PSU效率

          • Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其額定電壓為25V,適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設計。這款新品能取代返馳式轉換器內效率較低的肖特基二極管,并通過減少多達70%的整流器損耗,有效提升最高達3.5%的電源效率。因此,該器件有助電源供應系統(tǒng)更容易達到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達到87%的評級要求。
          • 關鍵字: Diodes  MOSFET  ZXGD3104N8  

          Diodes封裝MOSFET有助于實現低溫操作

          •   Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結點至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130oC/W,能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達1W的功率耗散,相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280oC/W的SOT723封裝,能實現更低溫度運行。   這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣,印刷電路板(PCB)面積為1.44mm2,并具備0.5mm的狹小離板高度,但后者的熱效率則較低。這對采用DFN1212-3封裝的MOSFET
          • 關鍵字: Diodes  MOSFET  

          Diodes負載開關提升HDMI端口保護功能

          • Diodes公司推出AP2331單信道限流負載開關。該產品專為高清晰度多媒體接口 (HDMI) 的標準及其它監(jiān)視器接口的保護功能而優(yōu)化設計,適合于3V至5V的熱插拔連接以及其它承受高電容性負載和可能受短路影響的應用。
          • 關鍵字: Diodes  負載開關  AP2331  

          Diodes推出新型P通道MOSFET

          • Diodes公司推出微型12V P通道強化型MOSFET——DMP1245UFCL,有助提升電池效率及減少電路板空間,并滿足空間局限的便攜式產品設計要求,如智能手機及平板計算機等。
          • 關鍵字: Diodes  MOSFET  DMP1245UFCL  

          Diodes超薄型整流器簡化太陽能電池板設計

          • Diodes推出SBR12U45LH超級勢壘整流器 (SBR) ,額定電流為12A,以超薄型PowerDI-5SP封裝,為生產新一代太陽能光電模塊 (PV module) 的太陽能電池板制造商,解除設計和生產方面的主要顧慮 。
          • 關鍵字: Diodes  太陽能電池板  

          Diodes偏壓控制及電源管理IC為LNB設計節(jié)省成本

          • Diodes公司針對單波段衛(wèi)星低噪聲模塊 (LNB) 推出一款高集成偏壓、控制及電源管理ICZXNB4204。該器件可減少 ...
          • 關鍵字: Diodes  控制及  電源管理IC  

          DIODES在成都高新區(qū)設立封裝測試生產基地

          •   達爾科技(DIODES)7月19日在成都高新綜合保稅區(qū)的生產基地奠基。達邇科技(成都)有限公司,是由美商達爾科技股份有限公司和成都亞光電子股份有限公司共同出資組建。   
          • 關鍵字: DIODES  封裝  

          Diodes 40V閘極驅動器減少IGBT開關損耗

          •   Diodes 公司推出專為開關高功率 IGBT 設計的 ZXGD3006E6 閘極驅動器(gate driver) ,有助于提高太陽能逆變器、電機驅動和電源應用的功率轉換效率。
          • 關鍵字: Diodes  IGBT  

          Diodes推出40V 閘極驅動器減少IGBT 開關損耗

          • Diodes 公司推出專為開關高功率 IGBT 設計的 ZXGD3006E6 閘極驅動器(gate driver) ,有助于提高太陽能逆變器、電機驅動和電源應用的功率轉換效率。
          • 關鍵字: Diodes  閘極驅動器  ZXGD3006E6  
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