賓夕法尼亞、MALVERN —2019年3月29日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款2020外形尺寸器件---IHLP-2020BZ-5A,擴展其汽車級IHLP?薄形大電流電感器。Vishay Dale IHLP-2020BZ-5A工作溫度+155 °C,高度2mm,節(jié)省汽車發(fā)動機艙環(huán)境下的使用空間。?日前推出的器件符合AEC-Q200標準,適合用于DC/DC轉換器儲能,頻率可達2 MHz。同時,電感器在自諧振頻率 (SR
關鍵字:
VISHAY IHLP?電感器 IHLP-2020BZ-5A
2019年3月28日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE
股市代號:VSH)宣布,推出新系列采用無色表面貼裝和半球形透鏡的藍色和純綠色超亮LED---VLD.1232..系列。Vishay Semiconductors
VLD.1232..系列器件采用最先進的InGaN /藍寶石襯底芯片技術,發(fā)射角縮小到± 9°,不需要外置透鏡,亮度極高,典型發(fā)光強度達到16 000
mcd?! ∪涨鞍l(fā)布的LED亮度極高,小型塑殼外形尺寸為2.3 mm x 2.3
關鍵字:
Vishay LED
2019年3月25日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE
股市代號:VSH)宣布,推出新系列汽車級交流線路陶瓷盤式安規(guī)電容器---AY1系列,新款電容器是業(yè)內此類器件中首款通過AEC-Q200認證的產品,適用于Class
X1 (760 VAC) / Y1 (500 VAC)應用,符合IEC 60384-14.4標準?! ishay BCcomponents AY1系列器件適用于電動 (EV)、混合動力 (HEV) 和插電式混合動力汽車
(PHEV)
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Vishay 陶瓷盤式電容器
2019年3月12日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE
股市代號:VSH)宣布,將在3月17日-21日于加利福尼亞州阿納海姆(Anaheim,California)舉行的2019年國際應用電力電子展會(APEC)上展示其強大產品陣容。Vishay展位設在411展臺,將展示適用于廣泛應用領域的最新業(yè)內領先功率IC、無源器件、二極管和MOSFET技術?! ≡贏PEC 2019上展示的Vishay Siliconix電源IC包括SiC9xx
microBR
關鍵字:
Vishay MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE
股市代號:VSH)宣布,推出兩款全新系列采用緊湊型DIP-6和SMD-6封裝的光可控硅輸出光耦---VOT8026A和VOT8123A,進一步擴展其光電產品組合。Vishay
Semiconductors VOT8026A和VOT8123A斷態(tài)電壓高達800 V,靜態(tài)dV/dt為1000
V/μs,具有高穩(wěn)定性和噪聲隔離能力,適用于家用電器和工業(yè)設備?! ∪涨鞍l(fā)布的光耦隔離120 VAC、240 VAC和380
關鍵字:
Vishay 光耦
2019年3月7日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款30 V和40
V汽車級p溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP,采用鷗翼引線結構PowerPAK?
SO-8L封裝,有效提升板級可靠性。SQJ407EP和SQJ409EP通過AEC-Q101認證,占位面積比DPAK封裝器件減小50%以上,節(jié)省PCB空間并降低成本,同時導通電阻低于任何鷗翼引線結構5
mm x 6 mm封裝M
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Vishay SQJ407EP
2019年2月28日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE
股市代號:VSH)宣布,擴展IHSR系列高飽和商用電感器,推出最新4 mm x 4 mm
1616外形尺寸超薄封裝器件---IHSR-1616AB-01。Vishay Dale
IHSR-1616AB-01專為計算機、工業(yè)和通信應用多相大電流電源及濾波器而設計,直流電阻 (DCR) 比一般功率電感器降低50 %,直流電阻標準允差為5
%,最低3 %允差可用于更精確的電流采樣?! ∪涨鞍l(fā)布的器
關鍵字:
Vishay 電感器
2019年2月21日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款6.15 mm x
5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的60 V TrenchFET? 第四代 n溝道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay
Siliconix SiR626DP專門用于提高功率轉換拓撲結構的效率,導通電阻比前代器件降低36%,同時柵極電荷和輸出電荷達到同類產品最低水平。 日前發(fā)布的器件10 V條件下最大導通電阻降至1
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Vishay SiR626DP
日前,Vishay Intertechnology,
Inc.(NYSE股市代號:VSH)宣布,公司已擴充其T55系列vPolyTan?表面貼裝聚合物鉭模塑片式電容器,新增加Z外形 (EIA 7343-19)
尺寸器件?! ∪涨鞍l(fā)布的Vishay Polytech電容器高度比標準V 外形 (EIA 7343-20) 尺寸器件低0.1
mm,提高了封裝密度,可用于設計更薄的成品。這款器件適用于計算機、服務器、網絡基礎設施設備、固態(tài)硬盤和無線收發(fā)器的電源管理、電池解耦和儲能?! 55系列的外
關鍵字:
Vishay T55
2019年2月19日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代號:VSH)宣布,推出陶瓷中功率短波紫外線
(UVC) 發(fā)光二極管---VLMU35CM..-280-120,用于殺菌、消毒和凈化。Vishay Semiconductors
VLMU35CM..-280-120器件內嵌石英透鏡,采用小型3.5 mm x 3.5 mm x 1.2 mm表面貼封裝,使用壽命極長?! ∪涨鞍l(fā)布的這款器件專門用于取代UVC水銀燈,發(fā)射角為± 60°,100 mA條件下
關鍵字:
Vishay 發(fā)光二極管
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新的2.5 A
IGBT和MOSFET驅動器---VOD3120A,擴展其光電產品組合。Vishay Semiconductors
VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝,低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA,可用于提高逆變器級工作效率?! ∪涨鞍l(fā)布的光耦采用CMOS技術,含有集成電路與軌到軌輸出級光學耦合的AIGaAs
LED,為門控設備提供所需驅動電壓。VOD3120電壓和電流使
關鍵字:
Vishay MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE
股市代號:VSH)宣布,推出5216緊湊外形尺寸的新型WSBS5216和WSBS5216...14 12 W Power Metal
Strip?功率金屬條電池旁路電阻。這款Vishay Dale AEC-Q200認證器件阻值極低,只有100
μΩ,比霍爾效應檢流方案精度高、成本低,同時WSBS5216...14可選鍍錫端子便于PCB焊接,并提高了耐腐蝕能力?! ∪涨鞍l(fā)布的器件采用獨有加工技術實現極低阻值。這種低阻值
關鍵字:
Vishay WSBS5216
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出15款采用eSMP?系列超薄SMF(DO-219AB)封裝新型1 A、2 A和3 A器件,擴充其表面貼裝TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器產品。
關鍵字:
Vishay 整流器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出最新第四代600 V
E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27
%,為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源應用提供高效解決方案,同時,柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導通電阻乘積在同類器件中達到業(yè)內最低水平,該參數是600 V
MOSFET在功率轉換應用中的關鍵指標 (FOM)。 Vishay
關鍵字:
Vishay MOSFET
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