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Vishay推出對(duì)環(huán)境友好的金屬化聚丙烯膜電容器
- 日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.日前宣布,發(fā)布用于DC-link應(yīng)用的新款環(huán)境友好的金屬化聚丙烯膜電容器---MKP1848C。器件具有1μF~500μF的容量范圍、小尺寸占位,電壓等級(jí)從500V到1200V?! {借單位體積的高容量和在+70℃、標(biāo)稱直流電壓下超過10萬小時(shí)的長(zhǎng)壽命,經(jīng)濟(jì)實(shí)用的MKP1848C非常適合可再生能源逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源等工業(yè)電源應(yīng)用?! C-link電容器的ESR低至1.5mΩ,每毫米引線間隔的自感小于1nH,可承受高
- 關(guān)鍵字: Vishay 電容器 MKP1848C
Vishay新款精密薄膜片式電阻功率等級(jí)達(dá)2W
- 日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,將2512外形尺寸的PTN系列精密表面貼裝薄膜片式電阻的功率等級(jí)提到2W。Vishay?Dale薄膜器件采用自鈍化的耐潮鉭氮化物電阻膜技術(shù),具有高功率等級(jí)和低至±25ppm/℃的絕對(duì)TCR,在-55℃~+125℃寬溫條件下,經(jīng)過激光微調(diào)的公差低至±0.1%。 PTN電阻的鉭氮化物電阻膜使器件的耐潮水平超過MIL-PRF-55342的極限,使這款器件非常適合軍工、航天、電信和工業(yè)應(yīng)用的低噪聲、高精度控制系
- 關(guān)鍵字: Vishay TCR PTN
Vishay發(fā)布寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器
- 日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽能逆變器、新能源和焊接設(shè)備,以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器VOW3120-X017T,擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長(zhǎng)隔離距離,還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓,非常適合在高工作電壓下運(yùn)轉(zhuǎn)的應(yīng)用及污染程度較重的環(huán)境。 除了具有優(yōu)異的隔離能力,使用可靠和久經(jīng)考驗(yàn)的光電子
- 關(guān)鍵字: Vishay IGBT MOSFET VOW3120
Vishay發(fā)布新款配對(duì)高速紅外發(fā)射器/光電二極管
- 日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出兩款通過AEC-Q101認(rèn)證的配對(duì)高速940nm紅外發(fā)射器和硅PIN光電二極管VSMB10940X01/VEMD10940FX01和VSMB11940X01/VEMD11940FX01,采用小尺寸3mm?x?2mm側(cè)視表面貼裝封裝。VSMB10940X01/VEMD10940FX01高度為1mm,VSMB11940X01/VEMD11940FX01的高度為0.6mm,是業(yè)內(nèi)高度最低的側(cè)視產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字: Vishay 紅外 PIN VSMB AEC-Q101
vishay介紹
威世(VISHAY)集團(tuán)成立于1962年,總部位于美國(guó)賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團(tuán)通過科技創(chuàng)新和不斷的并購(gòu), 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無源電子器件制造商之一。目前集團(tuán)已有69個(gè)制造基地遍布全球17個(gè)國(guó)家,其中中國(guó)大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團(tuán)被美國(guó)財(cái)富雜志評(píng)為半導(dǎo)體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、計(jì)算機(jī) [ 查看詳細(xì) ]
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