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          Vishay MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導通電阻記錄

          •   日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK??SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET?功率MOSFET。Vishay?Siliconix?SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率,在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動下具有20?V(12V?VGS和8V?VGS)器件中最低的導通電阻,占位面積為2mm?x?2mm。  
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  SiA936EDJ  

          Vishay發(fā)布寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動器

          •   日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出用于電機驅(qū)動、太陽能逆變器、新能源和焊接設備,以及其他高工作電壓應用的新款IGBT和MOSFET驅(qū)動器VOW3120-X017T,擴充其光電子產(chǎn)品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長隔離距離,還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓,非常適合在高工作電壓下運轉(zhuǎn)的應用及污染程度較重的環(huán)境。  除了具有優(yōu)異的隔離能力,使用可靠和久經(jīng)考驗的光電子
          • 關(guān)鍵字: Vishay  IGBT  MOSFET  VOW3120  

          Vishay發(fā)布高穩(wěn)定性薄膜片式電阻實驗室樣品套件

          •   日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出高穩(wěn)定性薄膜片式電阻的實驗室樣品套件---TNPW0402?e3?(LTW0402?e3?96/4)和TNPW0603?e3?(LTW0603?e3?96/4),它們可幫助工程師開發(fā)原型,加快電子系統(tǒng)的上市時間?! 〗裉彀l(fā)布的樣品套件分別提供了采用TNPW0402?e3和TNPW0603?e3封裝的大約100個最
          • 關(guān)鍵字: Vishay  TNPW0402  E-96  薄膜技術(shù)  

          Vishay發(fā)布新款高穩(wěn)定性薄膜片式電阻實驗室樣品套件

          •  日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出高穩(wěn)定性薄膜片式電阻的實驗室樣品套件---TNPW0402?e3?(LTW0402?e3?96/4)和TNPW0603?e3?(LTW0603?e3?96/4),它們可幫助工程師開發(fā)原型,加快電子系統(tǒng)的上市時間?! 〗裉彀l(fā)布的樣品套件分別提供了采用TNPW0402?e3和TNPW0603?e3封裝的大約100個最常
          • 關(guān)鍵字: Vishay  TNPW0402  傳感器  RoHS  E-96  

          Vishay推出開關(guān)頻率高達1.5MHz 的同步降壓穩(wěn)壓器

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款可編程開關(guān)---Vishay Siliconix SiP12109,其頻率高達1.5MHz,輸入電壓4.5~15V的4A器件,擴充了Vishay的microBUCK?系列集成式同步降壓穩(wěn)壓器。Vishay Siliconix SiP12109在節(jié)省空間的3mm x 3mm QFN-16封裝內(nèi)集成了高邊和低邊功率MOSFET,為設計者提供了
          • 關(guān)鍵字: Vishay  SiP12109  microBUCK  CM-COT  DC/DC  

          Vishay發(fā)布新款配對高速紅外發(fā)射器/光電二極管

          •   日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出兩款通過AEC-Q101認證的配對高速940nm紅外發(fā)射器和硅PIN光電二極管VSMB10940X01/VEMD10940FX01和VSMB11940X01/VEMD11940FX01,采用小尺寸3mm?x?2mm側(cè)視表面貼裝封裝。VSMB10940X01/VEMD10940FX01高度為1mm,VSMB11940X01/VEMD11940FX01的高度為0.6mm,是業(yè)內(nèi)高度最低的側(cè)視產(chǎn)品
          • 關(guān)鍵字: Vishay  紅外  PIN  VSMB  AEC-Q101  

          Vishay推出新款雙向電池開關(guān)

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的具有轉(zhuǎn)換速率控制功能的6.5mΩ雙向電池開關(guān)--- SiP32101,可在便攜式電子設備、醫(yī)療設備和儀器儀表中用來隔離低壓電池。在這些空間受限的應用中,Vishay Siliconix SiP32101比使用分立MOSFET的方案能節(jié)省91%的PCB空間,在小尺寸12凸點WCSP封裝內(nèi)實現(xiàn)了低導通電阻和超低靜態(tài)電流。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  SiP32101  雙向  

          Vishay推出業(yè)內(nèi)首款75V模塑鉭電容器

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,擴充其TANTAMOUNT?低ESR TR3和標準工業(yè)級293D系列固鉭表面貼裝片式電容器,使B、C、D、E、V和W外形尺寸器件的電壓提高到75V。來自于Vishay Sprague的該款器件是業(yè)內(nèi)首個75V模塑鉭電容器,是為滿足在+28V和+35V應用中降額50%額定電壓而設計的。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  模塑鉭電容器  表面貼裝片式  

          Vishay推出采用IHLP?制造的新款組合耦合電感器

          • 2014 年 2 月20 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用該公司IHLP? 技術(shù)制造,可用于SEPIC DC/DC轉(zhuǎn)換器和其他應用的新系列組合耦合電感器。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  電感器  LED  IHCL  

          Vishay推出新款850 nm紅外發(fā)射器

          • 2014 年 2 月19 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發(fā)布采用小尺寸3.85mm x 3.85mm x 2.24mm頂視SMD封裝的新款850nm紅外發(fā)射器--- VSMY98545,擴大其光電子產(chǎn)品組合。VSMY98545基于SurfLight?表面發(fā)射器芯片技術(shù),集成鏡片,具有高驅(qū)動電流、高發(fā)光強度和高光功率,同時具有低熱阻。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  發(fā)射器  VSMY98545  

          Vishay推出具有更強穩(wěn)定性的SMD NTC熱敏電阻

          • 2014 年 2 月18 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出具有更強穩(wěn)定性的新系列SMD NTC熱敏電阻---NTCS....E3...SMT,可用于溫度檢測和補償電路。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  熱敏電阻  NTC  

          Vishay推出用于汽車和其他領域的新款45V和50V TMBS整流器

          • 2014 年 2 月17 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出7個新的45V和50V器件,擴充其TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器。這些高電流密度的整流器適合汽車和商業(yè)應用,具有3A~8A的電流等級和低正向壓降,采用薄外形表面貼裝DO-221BC(SMPA)封裝。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  整流器  

          Vishay發(fā)布用于高功率表面貼裝射頻應用的AIN基板RCP新款厚膜片式電阻

          • 2014 年 2 月13 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發(fā)布用于高功率表面貼裝射頻應用的新系列厚膜片式電阻---RCP系列。Vishay Dale RCP系列器件具有1206小外形尺寸,在+70℃和標準印制板貼裝情況下的功率等級為1W,采用主動式溫度控制后,功率等級可達11W。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  RCP  電阻  

          Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET

          • 2014 年 1 月22 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP,擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  Si7157DP  

          Vishay擴大應用于高溫環(huán)境的表面貼裝多層陶瓷片式電容器

          • VishayIntertechnology,Inc.宣布,擴大其用于高溫應用的VJX8R系列表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)。為節(jié)...
          • 關(guān)鍵字: Vishay  高溫環(huán)境    電容器  
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          vishay介紹

          威世(VISHAY)集團成立于1962年,總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團通過科技創(chuàng)新和不斷的并購, 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導體和無源電子器件制造商之一。目前集團已有69個制造基地遍布全球17個國家,其中中國大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團被美國財富雜志評為半導體領域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應用于工業(yè)、計算機 [ 查看詳細 ]

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